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公开(公告)号：CN110867370A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910676989.0
申请日：2019-07-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/26
Abstract: 本发明提供一种能够将腔室内以短时间减压的热处理方法。半导体晶片(W)在形成在腔室(6)内的氨气气氛中通过来自卤素灯(HL)及闪光灯(FL)的光照射而进行加热处理。当在腔室(6)内形成氨气气氛时暂时将腔室(6)内减压。另外，在半导体晶片(W)的加热处理后也将腔室(6)内减压。在将腔室(6)内排气而减压之前，从卤素灯(HL)进行光照射而将腔室(6)内的气氛加热。通过在减压前将腔室(6)内的气氛加热，该气氛中的气体分子的热运动活化并且气体密度变小。其结果，在减压时腔室(6)内的气体分子会迅速地排出，能够将腔室(6)内以短时间减压至特定的气压为止。
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公开(公告)号：CN110211894A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201811524442.0
申请日：2018-12-13
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够缩短衬底相对于腔室的搬入搬出所需要的时间的热处理方法。本发明的热处理方法中，在半导体晶圆降温到可搬出温度(T3)的时刻(t7)之前的时刻(t6)，开始进行用来将半导体晶圆从处理腔室搬出的搬出准备动作。另外，在开始进行对于半导体晶圆的处理的时刻(t2)之后的时刻(t3)将闸阀关闭而将半导体晶圆搬入到处理腔室的动作完成。通过使用于半导体晶圆的处理的期间与用于半导体晶圆的搬入搬出的期间重叠，能够缩短半导体晶圆相对于处理腔室的搬入搬出所需要的时间。
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公开(公告)号：CN107564812B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710477838.3
申请日：2017-06-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制生产能力下降的热处理方法及热处理装置。在热处理装置(100)中设置有第一冷却室(131)及第二冷却室(141)两个冷却室。未处理的半导体晶片(W)交替地搬入到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被进行氮气清洗，之后通过搬运机械手(150)搬运到热处理部(160)。在热处理部(160)加热处理结束后的半导体晶片(W)交替地搬运到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被冷却。不仅能够对各个半导体晶片(W)确保充分的冷却时间，并且能够抑制热处理装置(100)整体的生产能力下降。
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公开(公告)号：CN114743895A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111490559.3
申请日：2021-12-08
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够效率良好地将衬底加热的热处理装置及热处理方法。本发明是在收纳半导体晶圆W的腔室6的上方配置多个闪光灯FL，同时在下方配置多个LED灯45。从闪光灯FL对由来自多个LED灯45的光照射预备加热的半导体晶圆W的正面照射闪光。LED灯45放射波长900nm以下的光。从LED灯45放射的光透过石英的下侧腔室窗64照射到半导体晶圆W。从LED灯45放射的波长900nm以下的光能够被500℃以下的低温区的半导体晶圆W良好地吸收，同时几乎不被石英的下侧腔室窗64吸收。因此，由LED灯45能够效率良好地将半导体晶圆W加热。
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公开(公告)号：CN107564812A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710477838.3
申请日：2017-06-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制生产能力下降的热处理方法及热处理装置。在热处理装置(100)中设置有第一冷却室(131)及第二冷却室(141)两个冷却室。未处理的半导体晶片(W)交替地搬入到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被进行氮气清洗，之后通过搬运机械手(150)搬运到热处理部(160)。在热处理部(160)加热处理结束后的半导体晶片(W)交替地搬运到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被冷却。不仅能够对各个半导体晶片(W)确保充分的冷却时间，并且能够抑制热处理装置(100)整体的生产能力下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110867370B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201910676989.0
申请日：2019-07-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/26
Abstract: 本发明提供一种能够将腔室内以短时间减压的热处理方法。半导体晶片(W)在形成在腔室(6)内的氨气气氛中通过来自卤素灯(HL)及闪光灯(FL)的光照射而进行加热处理。当在腔室(6)内形成氨气气氛时暂时将腔室(6)内减压。另外，在半导体晶片(W)的加热处理后也将腔室(6)内减压。在将腔室(6)内排气而减压之前，从卤素灯(HL)进行光照射而将腔室(6)内的气氛加热。通过在减压前将腔室(6)内的气氛加热，该气氛中的气体分子的热运动活化并且气体密度变小。其结果，在减压时腔室(6)内的气体分子会迅速地排出，能够将腔室(6)内以短时间减压至特定的气压为止。
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公开(公告)号：CN110211894B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201811524442.0
申请日：2018-12-13
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够缩短衬底相对于腔室的搬入搬出所需要的时间的热处理方法。本发明的热处理方法中，在半导体晶圆降温到可搬出温度(T3)的时刻(t7)之前的时刻(t6)，开始进行用来将半导体晶圆从处理腔室搬出的搬出准备动作。另外，在开始进行对于半导体晶圆的处理的时刻(t2)之后的时刻(t3)将闸阀关闭而将半导体晶圆搬入到处理腔室的动作完成。通过使用于半导体晶圆的处理的期间与用于半导体晶圆的搬入搬出的期间重叠，能够缩短半导体晶圆相对于处理腔室的搬入搬出所需要的时间。
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公开(公告)号：CN110164790A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201811523701.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 古川雅志
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够加热基板而不会在基板产生翘曲的热处理方法。因来自经加热的半导体晶片(W)的导热及热辐射，石英基座(74)也升温。在处理过的半导体晶片(W)被搬出的时间点，产生与基座(74)的端缘部相比中央部成为高温这样的不均匀的温度分布。于在该基座(74)保持着新的半导体晶片(W)并开始来自卤素灯(HL)的光照射的预加热的初期阶段，将从排列着多个卤素灯(HL)的光照射部(45)的中央部放射的光的强度相对于从端部放射的光的强度的比率也就是强度比设为小于100％。之后，提高从光照射部(45)的中央部放射的光的强度相对于从端部放射的光的强度的比率。
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公开(公告)号：CN119419136A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411495679.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供一种能够将腔室内以短时间减压的热处理方法。半导体晶片(W)在形成在腔室(6)内的氨气气氛中通过来自卤素灯(HL)及闪光灯(FL)的光照射而进行加热处理。当在腔室(6)内形成氨气气氛时暂时将腔室(6)内减压。另外，在半导体晶片(W)的加热处理后也将腔室(6)内减压。在将腔室(6)内排气而减压之前，从卤素灯(HL)进行光照射而将腔室(6)内的气氛加热。通过在减压前将腔室(6)内的气氛加热，该气氛中的气体分子的热运动活化并且气体密度变小。其结果，在减压时腔室(6)内的气体分子会迅速地排出，能够将腔室(6)内以短时间减压至特定的气压为止。
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公开(公告)号：CN110164790B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201811523701.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 古川雅志
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够加热基板而不会在基板产生翘曲的热处理方法。因来自经加热的半导体晶片(W)的导热及热辐射，石英基座(74)也升温。在处理过的半导体晶片(W)被搬出的时间点，产生与基座(74)的端缘部相比中央部成为高温这样的不均匀的温度分布。于在该基座(74)保持着新的半导体晶片(W)并开始来自卤素灯(HL)的光照射的预加热的初期阶段，将从排列着多个卤素灯(HL)的光照射部(45)的中央部放射的光的强度相对于从端部放射的光的强度的比率也就是强度比设为小于100％。之后，提高从光照射部(45)的中央部放射的光的强度相对于从端部放射的光的强度的比率。
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