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公开(公告)号：CN117334601A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310749424.7
申请日：2023-06-20
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种能效率良好地将衬底加热的热处理装置。在收容半导体晶圆(W)的腔室(6)的上侧，设置具备多个闪光灯(FL)的闪光加热部(5)，且在下侧，设置具备多个VCSEL(垂直谐振器型面发光激光器)(45)的辅助加热部(4)。通过来自VCSEL(45)的光照射将半导体晶圆(W)预备加热后，从闪光灯(FL)对半导体晶圆(W)的表面照射闪光，将所述表面瞬间升温。VCSEL(45)与LED相比，也能出射相对高强度的光。因此，如果能从多个VCSEL(45)进行光照射，那么照射到半导体晶圆(W)的光的强度也能提高，能效率良好地将半导体晶圆(W)加热。
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公开(公告)号：CN110867371A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910677777.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种p型氮化镓系半导体的制造方法及热处理方法。本发明提供一种能够使p型掺杂剂以高效率活化的技术。向氮化镓(GaN)衬底注入镁作为p型掺杂剂。在包含氮及氢的气氛中利用来自卤素灯的光照射，将该GaN衬底进行预加热，进而利用来自闪光灯的闪光照射，极短时间内加热至高温。通过在包含氮及氢的气氛中将GaN衬底加热，便可补充已脱离的氮，防止氮缺乏。而且，可一面向GaN衬底供给氢一面进行加热处理。进而，可使GaN衬底中存在的结晶缺陷修复。作为该等结果，可使注入至GaN衬底的p型掺杂剂以高效率活化。
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公开(公告)号：CN110867371B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201910677777.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种p型氮化镓系半导体的制造方法及热处理方法。本发明提供一种能够使p型掺杂剂以高效率活化的技术。向氮化镓(GaN)衬底注入镁作为p型掺杂剂。在包含氮及氢的气氛中利用来自卤素灯的光照射，将该GaN衬底进行预加热，进而利用来自闪光灯的闪光照射，极短时间内加热至高温。通过在包含氮及氢的气氛中将GaN衬底加热，便可补充已脱离的氮，防止氮缺乏。而且，可一面向GaN衬底供给氢一面进行加热处理。进而，可使GaN衬底中存在的结晶缺陷修复。作为该等结果，可使注入至GaN衬底的p型掺杂剂以高效率活化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114743895A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111490559.3
申请日：2021-12-08
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够效率良好地将衬底加热的热处理装置及热处理方法。本发明是在收纳半导体晶圆W的腔室6的上方配置多个闪光灯FL，同时在下方配置多个LED灯45。从闪光灯FL对由来自多个LED灯45的光照射预备加热的半导体晶圆W的正面照射闪光。LED灯45放射波长900nm以下的光。从LED灯45放射的光透过石英的下侧腔室窗64照射到半导体晶圆W。从LED灯45放射的波长900nm以下的光能够被500℃以下的低温区的半导体晶圆W良好地吸收，同时几乎不被石英的下侧腔室窗64吸收。因此，由LED灯45能够效率良好地将半导体晶圆W加热。
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公开(公告)号：CN107818926A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710649400.9
申请日：2017-08-01
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/67248 , H01L21/68757 , H05B3/0047
Abstract: 本发明提供一种能够防止闪光照射时基板被污染的热处理装置。在容纳半导体晶片(W)的室(6)的内壁面安装环状的支撑部(68)，由该支撑部(68)支撑基座(74)。当半导体晶片(W)载置于基座(74)时，室(6)的内侧空间被分成上部空间(65)和下部空间(67)。在构成室(6)的底部的下侧室窗(64)上容易堆积颗粒，但由于上部空间(65)和下部空间(67)被分离，因此，即使闪光照射时下侧室窗(64)的颗粒被扬起，也能够防止该颗粒流入上部空间(65)附着到半导体晶片(W)的表面而污染该半导体晶片(W)。
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公开(公告)号：CN119542180A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411070113.9
申请日：2024-08-06
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能将衬底高效地加热到高温的热处理装置。本发明的热处理装置在收容半导体晶圆的腔室的上侧设置具备多个闪光灯的闪光加热部，且在下侧设置具备多个激光二极管及多个VCSEL(垂直谐振器型面发光激光器)的辅助加热部。在半导体晶圆的预加热时，将从激光二极管出射的光通过光学元件以均匀的照度分布照射到半导体晶圆的全面，且从VCSEL对半导体晶圆的周缘部照射指向性较高的光。由于激光二极管对半导体晶圆照射波长比1μm短且强度相对较高的光，因此能将半导体晶圆高效地加热到高温。另外，通过来自VCSEL的光照射，能将半导体晶圆的面内温度分布均匀化。
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公开(公告)号：CN115668455A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180035426.9
申请日：2021-05-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/26 , H01L21/265 , H01L21/683
Abstract: 在保持成为处理对象的半导体晶片的晶座，竖立设置有多个衬底支持销。多个衬底支持销等间隔地设置成圆环状。对由多个衬底支持销支持的半导体晶片，从闪光灯照射闪光来加热所述半导体晶片。从闪光灯照射的闪光的脉宽越短，那么越增大设置有多个衬底支持销的设置圆的直径。如果在通过这样的多个衬底支持销支持半导体晶片的状态下照射闪光，那么即便因闪光照射而半导体晶片急剧变形，仍可防止半导体晶片的破裂。
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公开(公告)号：CN107818926B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201710649400.9
申请日：2017-08-01
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够防止闪光照射时基板被污染的热处理装置。在容纳半导体晶片(W)的室(6)的内壁面安装环状的支撑部(68)，由该支撑部(68)支撑基座(74)。当半导体晶片(W)载置于基座(74)时，室(6)的内侧空间被分成上部空间(65)和下部空间(67)。在构成室(6)的底部的下侧室窗(64)上容易堆积颗粒，但由于上部空间(65)和下部空间(67)被分离，因此，即使闪光照射时下侧室窗(64)的颗粒被扬起，也能够防止该颗粒流入上部空间(65)附着到半导体晶片(W)的表面而污染该半导体晶片(W)。
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