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公开(公告)号：CN110120336A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201811598895.8
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/225 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供一种即使是形成着自然氧化膜的半导体衬底也能够将掺杂剂较浅地导入的热处理方法。进行将成膜着包含掺杂剂的薄膜的半导体晶圆在包含氢气的气氛中加热至退火温度(T1)的氢气退火。在包含掺杂剂的薄膜与半导体晶圆之间不可避免地形成着自然氧化膜，但通过进行氢气退火，而掺杂剂原子相对容易地在自然氧化膜中扩散并集聚在半导体晶圆的表面与自然氧化膜的界面处。接着，在氮气气氛中将半导体晶圆预加热至预加热温度(T2)之后，进行将半导体晶圆的表面小于1秒地加热至峰值温度(T3)的闪光加热处理。掺杂剂原子从半导体晶圆的表面较浅地扩散并活化，能够获得低电阻且极浅的结。
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公开(公告)号：CN107658219B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201710616990.5
申请日：2017-07-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 谷村英昭
IPC: H01L21/268 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够抑制生成热施主的以锗为主要成分的p型半导体的热处理方法。注入了硼等掺杂剂的锗半导体层为p型半导体。以200℃以上且300℃以下的预备加热温度T1预备加热上述半导体层后，用照射时间极短的闪光照射将该半导体层加热至500℃以上且900℃以下的处理温度T2。在锗中不可避免地混入的氧在300℃～500℃的条件下成为热施主，但由于闪光的照射时间为0.1微秒以上且100微秒以下的极短时间，所以半导体层的温度停留在300℃～500℃的温度范区域的时间短到可以忽略的程度。因此，能够抑制锗半导体层中的热施主的生成。
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公开(公告)号：CN107658225A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710573685.2
申请日：2017-07-14
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 谷村英昭
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种以锗或硅锗为主要成分的p型半导体的热处理方法，利用该热处理方法，能够适当地控制掺杂剂的扩散。将形成有注入了硼等掺杂剂的锗的半导体层的基板搬入室(6)内。在向室(6)内供给含有氢气的处理气体而在半导体层的周围形成含有氢气的环境气体的状态下，由来自卤素灯(HL)的光照射预热半导体层。由此，利用氢气消除存在于半导体层的表面附近的空穴。然后，向半导体层照射来自闪光灯(FL)的闪光，将半导体层加热到处理温度。由于消除了半导体层的空穴，因此闪光加热时掺杂剂能够比较容易扩散，通过调整闪光照射的条件，能够适当地控制掺杂剂的扩散。
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公开(公告)号：CN110120336B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201811598895.8
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/225 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供一种即使是形成着自然氧化膜的半导体衬底也能够将掺杂剂较浅地导入的热处理方法。进行将成膜着包含掺杂剂的薄膜的半导体晶圆在包含氢气的气氛中加热至退火温度(T1)的氢气退火。在包含掺杂剂的薄膜与半导体晶圆之间不可避免地形成着自然氧化膜，但通过进行氢气退火，而掺杂剂原子相对容易地在自然氧化膜中扩散并集聚在半导体晶圆的表面与自然氧化膜的界面处。接着，在氮气气氛中将半导体晶圆预加热至预加热温度(T2)之后，进行将半导体晶圆的表面小于1秒地加热至峰值温度(T3)的闪光加热处理。掺杂剂原子从半导体晶圆的表面较浅地扩散并活化，能够获得低电阻且极浅的结。
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公开(公告)号：CN107564812B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710477838.3
申请日：2017-06-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制生产能力下降的热处理方法及热处理装置。在热处理装置(100)中设置有第一冷却室(131)及第二冷却室(141)两个冷却室。未处理的半导体晶片(W)交替地搬入到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被进行氮气清洗，之后通过搬运机械手(150)搬运到热处理部(160)。在热处理部(160)加热处理结束后的半导体晶片(W)交替地搬运到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被冷却。不仅能够对各个半导体晶片(W)确保充分的冷却时间，并且能够抑制热处理装置(100)整体的生产能力下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110211878A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910080719.3
申请日：2019-01-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种可使多晶硅低电阻化的热处理方法。在用来制造场效晶体管的半导体晶圆的正面形成着多晶硅的栅电极。在该多晶硅中注入有掺杂剂。通过来自卤素灯的光照射使半导体晶圆的温度达到预加热温度T1后，立即从闪光灯对半导体晶圆的正面进行闪光照射，之后立即将卤素灯熄灭。包含多晶硅的栅电极的半导体晶圆的正面被加热到预加热温度T1以上后的持续时间较短，从而能够抑制多晶硅的晶粒生长。其结果为，既多晶硅的结晶晶界的减少受到抑制，掺杂剂经由晶界的扩散也能充分地进行，从而可使多晶硅低电阻化。
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公开(公告)号：CN119446959A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410883279.6
申请日：2024-07-02
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 谷村英昭
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够减少对衬底施加的热量的热处理方法。本发明的热处理方法通过来自卤素灯的光照射将半导体晶圆预加热至规定的预加热温度，其后执行闪光加热：由闪光灯向半导体晶圆的表面照射闪光，加热该表面1秒以下。闪光加热包括使半导体晶圆的表面以第1升温速率升温的第1闪光加热及使该表面以更高的第2升温速率升温的第2闪光加热。使预加热温度低于半导体晶圆上发生反应的反应温度，并通过第1闪光加热来弥补该预加热的不足部分，最终通过第2闪光加热来使半导体晶圆的表面升温至目标处理温度。由于通过毫秒级的闪光加热来对预加热进行弥补，因此能够比以往减少对半导体晶圆施加的热量。
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公开(公告)号：CN110867371B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201910677777.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种p型氮化镓系半导体的制造方法及热处理方法。本发明提供一种能够使p型掺杂剂以高效率活化的技术。向氮化镓(GaN)衬底注入镁作为p型掺杂剂。在包含氮及氢的气氛中利用来自卤素灯的光照射，将该GaN衬底进行预加热，进而利用来自闪光灯的闪光照射，极短时间内加热至高温。通过在包含氮及氢的气氛中将GaN衬底加热，便可补充已脱离的氮，防止氮缺乏。而且，可一面向GaN衬底供给氢一面进行加热处理。进而，可使GaN衬底中存在的结晶缺陷修复。作为该等结果，可使注入至GaN衬底的p型掺杂剂以高效率活化。
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公开(公告)号：CN114242612A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111038519.5
申请日：2021-09-06
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H05B3/00 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供能够防止光扩散板的滑动的热处理装置。在设置于容纳半导体晶片的腔室的上部的石英的上侧腔室窗(63)的上表面载置有石英的光扩散板(90)。光扩散板(90)的下表面被实施喷丸加工而成为磨砂玻璃。在光扩散板(90)载置于上侧腔室窗(63)的上表面时双方不紧贴。即使进入光扩散板(90)与上侧腔室窗(63)之间的接触面的空气团在半导体晶片热处理时发生热膨胀，也会通过光扩散板(90)的下表面的磨砂玻璃而被排出至外部。其结果是，能够抑制产生在光扩散板(90)与上侧腔室窗(63)之间夹入薄空气层的现象，从而能够防止因空气层而引起的光扩散板(90)的滑动。
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公开(公告)号：CN107658219A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710616990.5
申请日：2017-07-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 谷村英昭
IPC: H01L21/268 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/2636 , H01L21/0231 , H01L33/343 , H01L21/268 , H01L21/67115
Abstract: 本发明提供能够抑制生成热施主的以锗为主要成分的p型半导体的热处理方法。注入了硼等掺杂剂的锗半导体层为p型半导体。以200℃以上且300℃以下的预备加热温度T1预备加热上述半导体层后，用照射时间极短的闪光照射将该半导体层加热至500℃以上且900℃以下的处理温度T2。在锗中不可避免地混入的氧在300℃～500℃的条件下成为热施主，但由于闪光的照射时间为0.1微秒以上且100微秒以下的极短时间，所以半导体层的温度停留在300℃～500℃的温度范区域的时间短到可以忽略的程度。因此，能够抑制锗半导体层中的热施主的生成。
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