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公开(公告)号：CN116666241A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310046271.X
申请日：2023-01-16
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明能正确地测定衬底的温度。本发明涉及一种温度测定方法及热处理装置。本发明是一种测定通过光照射被加热的半导体晶圆(W)的温度的温度测定方法。本发明的温度测定方法具备以下步骤：辐射温度测定步骤，从半导体晶圆(W)的斜下方检测半导体晶圆(W)的亮度温度；输入参数算出步骤，根据在辐射温度测定步骤检测出的亮度温度，算出与半导体晶圆(W)的辐射率比对应的第1输入参数、及与半导体晶圆(W)的温度对应的第2输入参数这至少2个输入参数；输出参数推定步骤，根据第1输入参数与第2输入参数，推定输出参数；及温度算出步骤，根据在输出参数推定步骤推定出的输出参数、与在辐射温度测定步骤检测出的亮度温度，算出半导体晶圆(W)的温度。
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公开(公告)号：CN110120336A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201811598895.8
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/225 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供一种即使是形成着自然氧化膜的半导体衬底也能够将掺杂剂较浅地导入的热处理方法。进行将成膜着包含掺杂剂的薄膜的半导体晶圆在包含氢气的气氛中加热至退火温度(T1)的氢气退火。在包含掺杂剂的薄膜与半导体晶圆之间不可避免地形成着自然氧化膜，但通过进行氢气退火，而掺杂剂原子相对容易地在自然氧化膜中扩散并集聚在半导体晶圆的表面与自然氧化膜的界面处。接着，在氮气气氛中将半导体晶圆预加热至预加热温度(T2)之后，进行将半导体晶圆的表面小于1秒地加热至峰值温度(T3)的闪光加热处理。掺杂剂原子从半导体晶圆的表面较浅地扩散并活化，能够获得低电阻且极浅的结。
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公开(公告)号：CN109817550B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201811383725.8
申请日：2018-11-20
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 河原崎光
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够通过简单结构迅速掌握闪光照射后的基板的动作的热处理方法以及热处理装置。向半导体晶片的表面照射来自闪光灯的闪光从而瞬间加热。通过上部辐射温度计(25)以及高速辐射温度计单元(90)测量照射闪光后的半导体晶片的表面的温度，将该温度数据依次存储，获取温度曲线。分析部(31)从该温度曲线中确定闪光照射后的半导体晶片的最高测量温度，并基于该最高测量温度计算半导体晶片从基座跳跃的跳跃量。在计算出的跳跃量超过规定的阈值的情况下，半导体晶片的位置发生较大偏移的可能性较高，因此停止搬出该半导体晶片。
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公开(公告)号：CN107564812A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710477838.3
申请日：2017-06-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制生产能力下降的热处理方法及热处理装置。在热处理装置(100)中设置有第一冷却室(131)及第二冷却室(141)两个冷却室。未处理的半导体晶片(W)交替地搬入到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被进行氮气清洗，之后通过搬运机械手(150)搬运到热处理部(160)。在热处理部(160)加热处理结束后的半导体晶片(W)交替地搬运到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被冷却。不仅能够对各个半导体晶片(W)确保充分的冷却时间，并且能够抑制热处理装置(100)整体的生产能力下降。
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公开(公告)号：CN116913821A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311100538.5
申请日：2018-11-20
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 河原崎光
Abstract: 本发明提供能够通过简单结构迅速掌握闪光照射后的基板的动作的热处理方法以及热处理装置。向半导体晶片的表面照射来自闪光灯的闪光从而瞬间加热。通过上部辐射温度计(25)以及高速辐射温度计单元(90)测量照射闪光后的半导体晶片的表面的温度，将该温度数据依次存储，获取温度曲线。分析部(31)从该温度曲线中确定闪光照射后的半导体晶片的最高测量温度，并基于该最高测量温度计算半导体晶片从基座跳跃的跳跃量。在计算出的跳跃量超过规定的阈值的情况下，半导体晶片的位置发生较大偏移的可能性较高，因此停止搬出该半导体晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349587B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010639291.4
申请日：2020-07-06
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够准确地测定衬底的正面温度的热处理方法。对半导体晶圆，通过卤素灯进行预加热后，通过来自闪光灯的闪光照射进行加热。即将进行闪光照射之前的半导体晶圆的温度由下部放射温度计测定。因为下部放射温度计对半导体晶圆的接收角为60°以上89°以下，所以无论成膜在半导体晶圆背面的膜的种类如何，下部放射温度计都能够准确地测定半导体晶圆的背面的温度。在闪光照射时，半导体晶圆的正面的上升温度由上部放射温度计测定。将通过下部放射温度计测定的半导体晶圆的背面温度与通过上部放射温度计测定的闪光照射时的半导体晶圆的正面的上升温度相加，而计算出半导体晶圆的正面温度。
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公开(公告)号：CN110120336B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201811598895.8
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/225 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供一种即使是形成着自然氧化膜的半导体衬底也能够将掺杂剂较浅地导入的热处理方法。进行将成膜着包含掺杂剂的薄膜的半导体晶圆在包含氢气的气氛中加热至退火温度(T1)的氢气退火。在包含掺杂剂的薄膜与半导体晶圆之间不可避免地形成着自然氧化膜，但通过进行氢气退火，而掺杂剂原子相对容易地在自然氧化膜中扩散并集聚在半导体晶圆的表面与自然氧化膜的界面处。接着，在氮气气氛中将半导体晶圆预加热至预加热温度(T2)之后，进行将半导体晶圆的表面小于1秒地加热至峰值温度(T3)的闪光加热处理。掺杂剂原子从半导体晶圆的表面较浅地扩散并活化，能够获得低电阻且极浅的结。
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公开(公告)号：CN112349587A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010639291.4
申请日：2020-07-06
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够准确地测定衬底的正面温度的热处理方法。对半导体晶圆，通过卤素灯进行预加热后，通过来自闪光灯的闪光照射进行加热。即将进行闪光照射之前的半导体晶圆的温度由下部放射温度计测定。因为下部放射温度计对半导体晶圆的接收角为60°以上89°以下，所以无论成膜在半导体晶圆背面的膜的种类如何，下部放射温度计都能够准确地测定半导体晶圆的背面的温度。在闪光照射时，半导体晶圆的正面的上升温度由上部放射温度计测定。将通过下部放射温度计测定的半导体晶圆的背面温度与通过上部放射温度计测定的闪光照射时的半导体晶圆的正面的上升温度相加，而计算出半导体晶圆的正面温度。
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公开(公告)号：CN107564812B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710477838.3
申请日：2017-06-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制生产能力下降的热处理方法及热处理装置。在热处理装置(100)中设置有第一冷却室(131)及第二冷却室(141)两个冷却室。未处理的半导体晶片(W)交替地搬入到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被进行氮气清洗，之后通过搬运机械手(150)搬运到热处理部(160)。在热处理部(160)加热处理结束后的半导体晶片(W)交替地搬运到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被冷却。不仅能够对各个半导体晶片(W)确保充分的冷却时间，并且能够抑制热处理装置(100)整体的生产能力下降。
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公开(公告)号：CN109817550A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811383725.8
申请日：2018-11-20
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 河原崎光
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够通过简单结构迅速掌握闪光照射后的基板的动作的热处理方法以及热处理装置。向半导体晶片的表面照射来自闪光灯的闪光从而瞬间加热。通过上部辐射温度计(25)以及高速辐射温度计单元(90)测量照射闪光后的半导体晶片的表面的温度，将该温度数据依次存储，获取温度曲线。分析部(31)从该温度曲线中确定闪光照射后的半导体晶片的最高测量温度，并基于该最高测量温度计算半导体晶片从基座跳跃的跳跃量。在计算出的跳跃量超过规定的阈值的情况下，半导体晶片的位置发生较大偏移的可能性较高，因此停止搬出该半导体晶片。
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