公开(公告)号：CN110211894A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201811524442.0

申请日：2018-12-13

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 古川雅志 ,  伊藤祯朗 ,  好井浩喜

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够缩短衬底相对于腔室的搬入搬出所需要的时间的热处理方法。本发明的热处理方法中，在半导体晶圆降温到可搬出温度(T3)的时刻(t7)之前的时刻(t6)，开始进行用来将半导体晶圆从处理腔室搬出的搬出准备动作。另外，在开始进行对于半导体晶圆的处理的时刻(t2)之后的时刻(t3)将闸阀关闭而将半导体晶圆搬入到处理腔室的动作完成。通过使用于半导体晶圆的处理的期间与用于半导体晶圆的搬入搬出的期间重叠，能够缩短半导体晶圆相对于处理腔室的搬入搬出所需要的时间。

公开(公告)号：CN110211894B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201811524442.0

申请日：2018-12-13

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 古川雅志 ,  伊藤祯朗 ,  好井浩喜

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够缩短衬底相对于腔室的搬入搬出所需要的时间的热处理方法。本发明的热处理方法中，在半导体晶圆降温到可搬出温度(T3)的时刻(t7)之前的时刻(t6)，开始进行用来将半导体晶圆从处理腔室搬出的搬出准备动作。另外，在开始进行对于半导体晶圆的处理的时刻(t2)之后的时刻(t3)将闸阀关闭而将半导体晶圆搬入到处理腔室的动作完成。通过使用于半导体晶圆的处理的期间与用于半导体晶圆的搬入搬出的期间重叠，能够缩短半导体晶圆相对于处理腔室的搬入搬出所需要的时间。