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公开(公告)号：CN115136323A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180014587.X
申请日：2021-02-17
IPC: H01L29/786 , C23C16/36 , C23C16/42 , C23C16/50 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/336
Abstract: 本发明之晶体管具有闸极电极、闸极绝缘膜、半导体膜、源极电极及汲极电极，且上述闸极绝缘膜系交替积层SiOx膜与SiCyNz膜而成之积层膜，构成上述积层膜之膜之总数为3层以上18层以下，构成上述积层膜之各膜之膜厚为25nm以上150nm以下。
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公开(公告)号：CN104136657A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380011749.X
申请日：2013-01-16
Applicant: 东丽工程株式会社
CPC classification number: H01L31/0203 , C23C16/401 , C23C16/505 , H01L21/56 , H01L23/291 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供在有机物与无机物混杂的基材中对其两种物质的密合性高、且阻隔性高的气体阻隔膜的膜结构和制造方法。具体地说，提供一种化学沉积膜，其包含硅原子、氧原子、碳原子和氢原子，该氧原子的浓度为10元素％～35元素％，该化学沉积膜是通过等离子体CVD法形成的；以及提供一种层积体，其具备：该化学沉积膜；包含硅原子和0元素％以上且小于10元素％的氧原子并通过等离子体CVD法形成的第2化学沉积膜；以及包含硅原子和超过35元素％且70元素％以下的氧原子并通过等离子体CVD法形成的第3化学沉积膜，在化学沉积膜的一个面上层积有第2化学沉积膜和第3化学沉积膜。
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公开(公告)号：CN107075680A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580048757.0
申请日：2015-10-29
Applicant: 东丽工程株式会社
IPC: C23C16/505 , B32B7/02 , H01L21/316 , H01L31/048
Abstract: 本发明提供能够稳定地形成具有高阻隔性的密封膜的密封膜形成方法。具体地说，本发明涉及在基材(2)上进行缓冲层(M1)和密度高于缓冲层(M1)的阻隔层(M2)的交替成膜而形成密封膜的密封膜的形成方法，该方法具有下述工序：在基材(2)的表面形成第1缓冲层(M1a)的第1缓冲层成膜工序；在第1缓冲层(M1)的表面形成阻隔层(M2)的第1阻隔层成膜工序；以及在第1阻隔层形成工序中形成的阻隔层(M2)的表面形成第2缓冲层(M1b)的第2缓冲层成膜工序，与第2缓冲层(M1b)中的在与基材(2)的厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在该厚度方向成膜的部分的膜厚的比例相比，第1缓冲层(M1a)中的在与上述厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在上述厚度方向成膜的部分的膜厚的比例更接近于1。
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公开(公告)号：CN104136657B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380011749.X
申请日：2013-01-16
Applicant: 东丽工程株式会社
CPC classification number: H01L31/0203 , C23C16/401 , C23C16/505 , H01L21/56 , H01L23/291 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供在有机物与无机物混杂的基材中对其两种物质的密合性高、且阻隔性高的气体阻隔膜的膜结构和制造方法。具体地说，提供一种化学沉积膜，其包含硅原子、氧原子、碳原子和氢原子，该氧原子的浓度为10元素％～35元素％，该化学沉积膜是通过等离子体CVD法形成的；以及提供一种层积体，其具备：该化学沉积膜；包含硅原子和0元素％以上且小于10元素％的氧原子并通过等离子体CVD法形成的第2化学沉积膜；以及包含硅原子和超过35元素％且70元素％以下的氧原子并通过等离子体CVD法形成的第3化学沉积膜，在化学沉积膜的一个面上层积有第2化学沉积膜和第3化学沉积膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106232868B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201580020201.0
申请日：2015-02-23
Applicant: 东丽工程株式会社
IPC: C23C16/54
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置，该薄膜形成装置通过抑制一个制膜腔室中的薄膜材料气体进入其他制膜腔室，能够抑制所形成的薄膜的膜质的下降。即，该薄膜形成装置通过在使带状基材沿着主辊的外周面的状态下对带状基材进行输送并进行表面处理，由此在带状基材上形成薄膜，该薄膜形成装置以下述方式构成：其具备收纳主辊的主辊腔室以及在主辊的外径侧周向排列的多个制膜腔室，在所述间隔部上设置有将带状基材所移动的主辊的外周面覆盖的主辊罩，在该主辊罩上形成有与所述制膜腔室连通的制膜腔室连通部，将由所述主辊罩和主辊的外周面形成的主辊罩内的压力设定成比所述制膜腔室的压力高。
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公开(公告)号：CN107075680B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580048757.0
申请日：2015-10-29
Applicant: 东丽工程株式会社
IPC: C23C16/505 , B32B7/02 , H01L21/316 , H01L31/048
Abstract: 本发明提供能够稳定地形成具有高阻隔性的密封膜的密封膜形成方法。具体地说，本发明涉及在基材(2)上进行缓冲层(M1)和密度高于缓冲层(M1)的阻隔层(M2)的交替成膜而形成密封膜的密封膜的形成方法，该方法具有下述工序：在基材(2)的表面形成第1缓冲层(M1a)的第1缓冲层成膜工序；在第1缓冲层(M1)的表面形成阻隔层(M2)的第1阻隔层成膜工序；以及在第1阻隔层形成工序中形成的阻隔层(M2)的表面形成第2缓冲层(M1b)的第2缓冲层成膜工序，与第2缓冲层(M1b)中的在与基材(2)的厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在该厚度方向成膜的部分的膜厚的比例相比，第1缓冲层(M1a)中的在与上述厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在上述厚度方向成膜的部分的膜厚的比例更接近于1。
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公开(公告)号：CN104160062B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201380011711.2
申请日：2013-01-16
Applicant: 东丽工程株式会社
CPC classification number: H01L31/028 , B82Y10/00 , C23C16/0272 , C23C16/401 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/0224 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/03926 , H01L31/0481 , H01L31/1804 , H01L51/0046 , H01L51/0078 , H01L51/424 , H01L51/448 , H01L51/5253 , H01L2251/308 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种膜，该膜通过为低应力且水分吸收少的密封膜结构，从而在经时变化中不会发生剥离，具有稳定的阻隔性。具体地说，提供一种含硅膜，该含硅膜具备：通过等离子体CVD法形成的包含硅元素且氧浓度为0元素％以上且小于10元素％的第1化学沉积层；和通过等离子体CVD法形成的包含硅元素且氧浓度超过35元素％且为70元素％以下的第2化学沉积层，其中，上述第1化学沉积层的厚度(L1)与上述第2化学沉积层的厚度(L2)之比L2/L1为1.5～9。
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公开(公告)号：CN106232868A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020201.0
申请日：2015-02-23
Applicant: 东丽工程株式会社
IPC: C23C16/54
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/042 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C16/4409 , C23C16/45519 , C23C16/505 , C23C16/545
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置，该薄膜形成装置通过抑制一个制膜腔室中的薄膜材料气体进入其他制膜腔室，能够抑制所形成的薄膜的膜质的下降。即，该薄膜形成装置通过在使带状基材沿着主辊的外周面的状态下对带状基材进行输送并进行表面处理，由此在带状基材上形成薄膜，该薄膜形成装置以下述方式构成：其具备收纳主辊的主辊腔室以及在主辊的外径侧周向排列的多个制膜腔室，在所述间隔部上设置有将带状基材所移动的主辊的外周面覆盖的主辊罩，在该主辊罩上形成有与所述制膜腔室连通的制膜腔室连通部，将由所述主辊罩和主辊的外周面形成的主辊罩内的压力设定成比所述制膜腔室的压力高。
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