薄膜形成装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106232868B

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201580020201.0

    申请日:2015-02-23

    Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置,该薄膜形成装置通过抑制一个制膜腔室中的薄膜材料气体进入其他制膜腔室,能够抑制所形成的薄膜的膜质的下降。即,该薄膜形成装置通过在使带状基材沿着主辊的外周面的状态下对带状基材进行输送并进行表面处理,由此在带状基材上形成薄膜,该薄膜形成装置以下述方式构成:其具备收纳主辊的主辊腔室以及在主辊的外径侧周向排列的多个制膜腔室,在所述间隔部上设置有将带状基材所移动的主辊的外周面覆盖的主辊罩,在该主辊罩上形成有与所述制膜腔室连通的制膜腔室连通部,将由所述主辊罩和主辊的外周面形成的主辊罩内的压力设定成比所述制膜腔室的压力高。

    半导体装置的制造装置和制造方法

    公开(公告)号:CN110235230A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201780084205.4

    申请日:2017-12-06

    Abstract: 提供半导体装置的制造装置和制造方法,在利用半导体芯片的临时正式分割工艺制造半导体装置时,防止在正式压接工序中产生位置偏移,不会对热压接对象以外的半导体芯片带来热的不良影响。具体而言,该制造装置具有搬送单元,该搬送单元具有对基板进行局部保持的保持部,具有将所述基板从临时压接部移动至正式压接部的功能以及将所述基板从所述正式压接部移动至所述临时压接部的功能。

    转印装置和转印装置的位置校正方法

    公开(公告)号:CN115398609A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202180024782.0

    申请日:2021-03-15

    Inventor: 阵田敏行

    Abstract: 本发明提供转印装置和转印装置的位置校正方法,能够在不累计测定误差的情况下,对以激光的照射位置为基准的转印基板保持部的位置、被转印基板保持部的位置以及元件测定摄像头的位置进行测定。具体而言,转印装置(1)具备激光照射部(2)、转印基板保持部(6)、被转印基板保持部(10)、元件测定摄像头(14)、保持部测定摄像头(16)以及控制部(18),将保持于转印基板(C1)的元件转印到被转印基板(C2)。转印基板保持部(6)具有转印基板用基准标记(9b),被转印基板保持部(10)具有标注在荧光玻璃上的被转印基板用基准标记(13b)。元件测定摄像头(14)构成为能够拍摄转印基板用基准标记(9b)和被转印基板用基准标记(13b),保持部测定摄像头(16)构成为能够同时拍摄向荧光玻璃照射了激光(L)时的荧光发光点(F)和被转印基板用基准标记(13b)。

    薄膜形成装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106232868A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201580020201.0

    申请日:2015-02-23

    Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置,该薄膜形成装置通过抑制一个制膜腔室中的薄膜材料气体进入其他制膜腔室,能够抑制所形成的薄膜的膜质的下降。即,该薄膜形成装置通过在使带状基材沿着主辊的外周面的状态下对带状基材进行输送并进行表面处理,由此在带状基材上形成薄膜,该薄膜形成装置以下述方式构成:其具备收纳主辊的主辊腔室以及在主辊的外径侧周向排列的多个制膜腔室,在所述间隔部上设置有将带状基材所移动的主辊的外周面覆盖的主辊罩,在该主辊罩上形成有与所述制膜腔室连通的制膜腔室连通部,将由所述主辊罩和主辊的外周面形成的主辊罩内的压力设定成比所述制膜腔室的压力高。

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