公开(公告)号：CN105980598B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201480066960.6

申请日：2014-12-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： F·里斯 ,  A·索尔 ,  S·海恩

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  H01J37/32 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458

CPC classification number: B05C9/08 ,  B05C1/0826 ,  B05C1/12 ,  B05C9/14 ,  B05C13/00 ,  B05C15/00 ,  B05D3/12 ,  B65G23/34 ,  C23C14/50 ,  C23C14/562 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  C23C16/545 ,  G11B5/85 ,  H01J37/3277

Abstract: 本发明描述了一种用于处理柔性基板的处理设备，具体地是一种用于处理柔性基板的真空处理设备。所述处理设备包括真空腔室；处理滚筒，所述处理滚筒在所述真空腔室内，其中所述处理滚筒被配置成围绕沿第一方向延伸的轴线旋转；以及加热装置，所述加热装置邻近所述处理滚筒，其中所述加热装置被配置成使所述基板沿所述第一方向延展或者维持所述基板沿所述第一方向的延展，并且其中所述加热装置在与基板传输方向平行的方向上具有至少20mm的尺寸。

公开(公告)号：CN109402598A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811519640.8

申请日：2018-12-12

Applicant: 安徽金美新材料科技有限公司

Inventor： 严佐毅 ,  刘文卿

IPC: C23C14/56

CPC classification number: C23C14/562

Abstract: 本发明公开了一种双面往返连续真空镀膜设备，包括真空腔体，所述真空腔体内设置有上收放卷机构、上传送机构、下传送机构及下收放卷机构；所述下收放卷机构及下传送机构分别位于上收放卷机构及上传送机构的下方，待镀膜材料从上或下收放卷机构开始依次经过上或下传送机构、下或上传送机构后回到下或上收放卷机构；与所述上传送机构及下传送机构处的待镀膜材料对应的位置处均设置有一套镀膜装置。本发明通过设置上下两个收放卷机构以及上下两个镀膜装置，能够在真空腔体内实现连续往返镀膜，极大地提高了工作效率。

公开(公告)号：CN108949031A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810435135.9

申请日：2018-05-09

Applicant: 通用汽车环球科技运作有限责任公司

Inventor： G·V·达德黑奇 ,  T·A·塞德 ,  J·A·卡朋特

IPC: C09D201/04 ,  C09D1/00 ,  C08J7/04 ,  C23C14/12 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  B05D7/24 ,  C08L69/00 ,  C08L33/12

CPC classification number: C23C14/352 ,  B01J27/12 ,  B01J35/004 ,  C23C14/046 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/562 ,  C23C14/5873 ,  C09D201/04 ,  B05D7/24 ,  C08J7/045 ,  C08J2333/12 ,  C08J2369/00 ,  C08J2483/08 ,  C09D1/00 ,  C23C14/12 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44

Abstract: 一种形成自清洁膜系统的方法包括将选自由氟化有机化合物、氟化无机化合物及其组合组成的组的氟化材料沉积到基底上以形成第一层。该方法包括去除第一层的多个部分以在第一层中限定多个腔并且形成从基底突出的多个突起。该方法包括将光催化材料沉积到多个突起上并沉积到多个腔中以形成第二层，该第二层包括：设置在多个腔中并与基底接触的多个结合部分；以及设置在多个突起上并与基底间隔开的非结合部分。该方法还包括在沉积光催化材料之后，去除非结合部分，从而形成自清洁膜系统。

公开(公告)号：CN106164331B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201480051500.6

申请日：2014-09-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·M·怀特 ,  Z·王

IPC: C23C16/00 ,  B65G49/05 ,  C23C14/00

CPC classification number: H01L21/6833 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  C23C14/562 ,  C23C16/042 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/463 ,  C23C16/545 ,  F26B3/00 ,  F27B1/08 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6732 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67718 ,  H01L21/67742 ,  H05B3/03

Abstract: 一种适用于在处理系统中使用的基板载体包括电极组件和支撑底座。电极组件配置成生成静电夹持力以将基板固定至基板载体。支撑底座具有形成在其中的加热/冷却槽。电极组件和支撑底座形成单一主体，所述单一主体配置成在处理系统内传输。快断器耦接至主体，并且配置成当主体从热调节介质的源解除耦接时来将热调节介质陷捕在加热/冷却槽中。

公开(公告)号：CN108754446A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810891762.3

申请日：2018-08-07

Applicant: 安徽金美新材料科技有限公司

Inventor： 严佐毅 ,  刘文卿

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/562

Abstract: 本发明公开了一种卷绕式双面磁控溅射真空镀膜设备，其包括真空腔体以及设置在所述真空腔体内放卷机构、收卷机构、冷却主鼓、放卷摆架和收卷摆架；所述放卷机构和收卷机构上下设置，所述放卷摆架和放卷机构连接，所述收卷摆架和收卷机构连接，所述冷却主鼓设置两个，均位于放卷机构和收卷机构之间且左右相对设置；本发明还公开了一种卷绕式双面磁控溅射真空镀膜方法；卷料经放卷机构、放卷摆架后通过其中一个冷却主鼓实现一面的镀膜，再经另外一个冷却主鼓实现另外一面的镀膜，之后经收卷摆架和收卷机构进行收卷，实现一次性在薄膜两面同时镀上镀层。

公开(公告)号：CN108754426A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810639273.9

申请日：2018-06-20

Applicant: 安徽省通达包装材料有限公司

Inventor： 窦发军

IPC: C23C14/20 ,  C23C14/24 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C14/20 ,  C23C14/24 ,  C23C14/562

Abstract: 本发明公开一种真空椭球镀膜辊镀铝膜装置及其工作方式，包括椭球镀膜辊、展平辊、真空箱；所述椭球镀膜辊安装在真空箱内部下方位置；所述展平辊安装在真空箱内部，展平辊设置在椭球镀膜辊右上方位置；所述椭球镀膜辊呈椭球形，椭球镀膜辊内部设置有椭球镀膜辊空腔；椭球镀膜辊空腔一侧设置有冷却液注入口，冷却液注入口将低温度冷却液注入到椭球镀膜辊空腔中；所述冷却液注入口上安装有冷却液注入口螺塞；所述椭球镀膜辊两端设置成平面，椭球镀膜辊两端安装有椭球镀膜辊轴承；所述椭球镀膜辊轴承过盈安装在椭球镀膜辊上。通过椭球形的镀膜辊将薄膜镀膜层中间厚两边偏薄，边缘主要用于封装不需要镀厚度均匀的镀膜层，降低生产成本。

公开(公告)号：CN108677145A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810344717.6

申请日：2018-04-17

Applicant: 上海大学

Inventor： 蔡传兵 ,  曲兰雪 ,  鲁玉明 ,  白传易 ,  郭艳群 ,  刘志勇

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/28 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C14/30 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/28 ,  C23C14/562 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5853

Abstract: 本发明提供了一种异位多元金属氧化物薄膜外延生长及其连续化制备的方法，根据金属靶材的特点进行初始组分蒸镀；在高真空状态下由靶材蒸发出来的纳米颗粒到达衬底后沉积成非晶态金属前驱薄膜，经过沉积后，前驱膜输送到不同氧分压的低压气氛，再加以不同的温度进行晶化和外延生长。本发明方法实现不同熔点及升华温度的多元金属元素共蒸发，能根据组成元素的特点选取该元素的蒸发技术和条件，而动态基带能实现前驱组分的均匀性；后期氧化处理始于高度细化的、纳米级的前驱组分，后期晶化生长成核中心多，生长快速且密度比较高；此外，通过控制氧分压，能实现在较低温度下进行反应热处理，即可在较低温度下实现晶化和外延生长，制备方法简单。

公开(公告)号：CN108425098A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810217606.9

申请日：2011-12-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： U·赫曼斯 ,  N·莫里森 ,  T·斯托利 ,  V·哈克

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  C23C16/52 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/503 ,  C23C14/54 ,  C23C14/562 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/52 ,  C23C16/545

Abstract: 根据本公开案，提供一种用于处理柔性基板的基板处理设备，所述基板处理设备包含：真空腔室，配置成被抽成真空并配置成具有在其中提供的处理气体；处理模块，适配用于处理所述柔性基板，其中所述处理模块设置在所述真空腔室内；以及放电组件，配置用于产生带电粒子流以使所述柔性基板放电。所述放电组件配置用于产生电场，所述电场用于使处理气体离子化。

公开(公告)号：CN108409348A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810225632.6

申请日：2018-03-19

Applicant: 中南大学

Inventor： 阳海棠 ,  黄小忠 ,  岳建岭 ,  王春齐 ,  陆子龙 ,  唐秀之 ,  姜超

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/622 ,  C04B35/565 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/56 ,  C23C14/02 ,  D06M11/74 ,  D06M11/77 ,  D06M11/80 ,  D06M11/79 ,  D06M11/44 ,  D06M11/53

CPC classification number: C04B35/806 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/02 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/35 ,  C23C14/562 ,  D06M11/44 ,  D06M11/53 ,  D06M11/74 ,  D06M11/77 ,  D06M11/79 ,  D06M11/80

Abstract: 本发明公开了一种纤维表面沉积界面层的设备及其方法，设备包括放丝装置、静电散丝装置、磁控溅射装置、固态胶粘装置、收丝装置；所述收丝装置和放丝装置分别位于磁控溅射装置的两侧，所述静电散丝装置位于放丝装置与磁控溅射装置之间，所述固态胶粘装置位于收丝装置与磁控溅射装置之间；当设备工作时，所述纤维束从放丝装置放丝出来，运动至静电散丝装置被散丝，以散丝的状态进入磁控溅射装置，经磁控溅射沉积获得界面层后，经固态胶粘装置集束，最终纤维束由收丝装置收丝。利用本发明制备方法所得SiC纤维表面界面层厚度分布均匀、厚度可控，对纤维的损伤小，且为类石墨烯结构弱界面层，可以大副提高复合材料的力学性能。

公开(公告)号：CN108300966A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810026660.5

申请日：2018-01-11

Applicant: ALD真空技术股份有限公司

Inventor： 耶格·维蒂希 ,  西蒙·奥伯尔 ,  尤尔根·霍茨

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/50

CPC classification number: C23C14/562 ,  C23C14/30 ,  C23C14/50 ,  C23C14/505 ,  F01D5/288 ,  F05D2230/313 ,  F05D2230/90

Abstract: 本发明涉及用于以热障涂层涂覆工件的设备和方法。操作器的轴在这里被引导通过配备有伸缩部段的管道进入处理腔室中。本发明允许设施的特别紧凑的构造。