公开(公告)号：CN103794511B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201310526469.4

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  保坂泰靖 ,  冈崎健一 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  神崎庸辅 ,  松木园广志

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/3262

Abstract: 本公开涉及显示装置以及电子设备,本发明的目的之是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的个方式的显示装置包括:像素部104;以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106,其中所述像素部包括:像素晶体管252;覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第绝缘膜124;设置在所述第绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126;以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130,所述驱动电路部包括:对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250;覆盖所述驱动晶体管的所述第绝缘膜;以及形成在所述第绝缘膜上的所述第二绝缘膜,并且,所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。

公开(公告)号：CN103794511A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310526469.4

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  保坂泰靖 ,  冈崎健一 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  神崎庸辅 ,  松木园广志

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及显示装置以及电子设备，本发明的目的之一是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的一个方式的显示装置包括：像素部104；以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106，其中所述像素部包括：像素晶体管252；覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第一绝缘膜124；设置在所述第一绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126；以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130，所述驱动电路部包括：对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250；覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜；以及形成在所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜，并且，所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。

公开(公告)号：CN119013783A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380033837.3

申请日：2023-04-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  井口贵弘 ,  三泽千惠子 ,  佐藤亚美 ,  土桥正佳 ,  神长正美

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/786 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H10K50/10 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置(10)。半导体装置包括彼此电连接的第一及第二晶体管以及第一绝缘层(110)，其中，第一晶体管(M2)包括第一半导体层(108)、第二绝缘层(106)及第一至第三导电层，第二晶体管(M1)包括第二半导体层(109)、第三绝缘层(106)及第四至第六导电层，第一绝缘层具有位于第一导电层(112a)上且到达第一导电层的开口，第二导电层(112b)位于第一绝缘层上，第一半导体层与第一导电层的顶面、开口的内壁及第二导电层接触，第三导电层(104)位于第二绝缘层上的与开口的内壁重叠的位置，第三绝缘层位于第四导电层(112b)上，第二半导体层以与第四导电层重叠的方式位于第三绝缘层上，并且，在剖视时，第五导电层(116a)接触于第二半导体层的侧端部的一个顶面，第六导电层(116b)接触于与一个侧端部相对的侧端部的另一个顶面。

公开(公告)号：CN118829321A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410727130.9

申请日：2017-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  保坂泰靖 ,  井户尻悟 ,  冈崎健一 ,  安达広树 ,  久保田大介

IPC: H10K59/80 ,  H10K59/121 ,  H10K77/10

Abstract: 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的树脂层，在树脂层上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管，使用线状激光装置对树脂层照射光，将晶体管与形成用衬底分离。可以在树脂层中形成第一区域及其厚度比第一区域薄的第二区域或开口。当以与树脂层的第二区域或开口重叠的方式形成被用作外部连接端子等的导电层时，通过分离使该导电层露出。

公开(公告)号：CN108738364B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201780012189.8

申请日：2017-02-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  肥冢纯一 ,  羽持贵士 ,  保坂泰靖

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。

公开(公告)号：CN113675275A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110965455.7

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  羽持贵士 ,  日向野聪 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

公开(公告)号：CN107408579B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201680012805.5

申请日：2016-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。晶体管包括第一栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第二绝缘膜、第二栅电极以及第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn(M为Al、Ga、Y或Sn)。在第二氧化物半导体膜的区域中，In的原子个数少于第一氧化物半导体膜。第二栅电极包含氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。

公开(公告)号：CN108538916A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810172995.8

申请日：2018-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  中泽安孝 ,  保坂泰靖 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78 ,  H01L29/511

Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种电特性良好的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

公开(公告)号：CN107359202A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710317084.5

申请日：2017-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中泽安孝 ,  保坂泰靖 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个方式包括：栅电极；栅电极上的绝缘膜；绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜是In氧化物或In-Zn氧化物，第二氧化物半导体膜是In-M-Zn氧化物(M为Al、Ga或Y)，并且，第二氧化物半导体膜包括In原子的数量为In、M和Zn原子的总数的40％以上且50％以下的区域及M原子的数量为In、M和Zn原子的总数的5％以上且30％以下的区域。

公开(公告)号：CN101399177B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200810168156.5

申请日：2007-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/50 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1266

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。