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公开(公告)号：CN1950947A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580014771.5
申请日：2005-05-12
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397
Abstract: 能够在IGBT的体区之内形成的悬浮状态下的半导体区域的宽范围之上获得密集累积的空穴载流子。电位悬浮的n型半导体区域(52)形成在p－型体区(28)之内。n型半导体区域(52)通过体区(28)与n+型发射区(32)和n－型漂移区(26)隔离。进而，形成第二电极(62)，以便经由绝缘膜(64)与至少部分的半导体区域(52)相对。第二电极(62)没有与发射区(32)相对。
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公开(公告)号：CN100514675C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200580014771.5
申请日：2005-05-12
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397
Abstract: 能够在IGBT的体区之内形成的悬浮状态下的半导体区域的宽范围之上获得密集累积的空穴载流子。电位悬浮的n型半导体区域(52)形成在p-型体区(28)之内。n型半导体区域(52)通过体区(28)与n+型发射区(32)和n-型漂移区(26)隔离。进而，形成第二电极(62)，以便经由绝缘膜(64)与至少部分的半导体区域(52)相对。第二电极(62)没有与发射区(32)相对。
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公开(公告)号：CN106458046B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201580011618.0
申请日：2015-02-24
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 丰田自动车株式会社
Abstract: 电源系统(5)包括第一和第二DC电源(B1,B2)以及具有第一至第五半导体元件(S1‑S5)与第一和第二电抗器(L1,L2)的电力转换器(10)。第一和第四半导体元件(S1,S4)分别电连接在第一节点(N1)和第二节点(N2)两者与第一电力线(PL)之间。第二和第三开关元件(S2,S3)分别电连接在第一节点(N1)和第二节点(N2)两者与第二电力线(GL)之间。第五开关元件(S5)电连接在第一节点(N1)和第二节点(N2)之间。第一电抗器(L1)在第一节点(N1)和第二电力线(GL)之间与第一DC电源(B1)串联电连接。第二电抗器(L2)在第一电力线PL和第二节点(N2)之间与第二DC电源(B2)串联电连接。
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公开(公告)号：CN106458046A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580011618.0
申请日：2015-02-24
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H02M3/158 , B60L11/1855 , B60L11/1866 , B60L15/007 , B60L2210/10 , H02M1/088 , H02M3/1584 , H02M2001/0003 , H02M2001/0077 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/705 , Y02T10/92
Abstract: 电源系统(5)包括第一和第二DC电源(B1,B2)以及具有第一至第五半导体元件(S1-S5)与第一和第二电抗器(L1,L2)的电力转换器(10)。第一和第四半导体元件(S1,S4)分别电连接在第一节点(N1)和第二节点(N2)两者与第一电力线(PL)之间。第二和第三开关元件(S2,S3)分别电连接在第一节点(N1)和第二节点(N2)两者与第二电力线(GL)之间。第五开关元件(S5)电连接在第一节点(N1)和第二节点(N2)之间。第一电抗器(L1)在第一节点(N1)和第二电力线(GL)之间与第一DC电源(B1)串联电连接。第二电抗器(L2)在第一电力线PL和第二节点(N2)之间与第二DC电源(B2)串联电连接。
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公开(公告)号：CN106487227B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201610736136.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明的电能转换电路具备U相以及V相开关电路、变压器以及α相开关电路。变压器的第一线圈连接在U相开关电路和V相开关电路之间，第二线圈的两端连接在α相开关电路上。α相开关电路包括：正极以及负极端子、具有两个开关元件的半桥电路、和分压电路。半桥电路设在正极端子和负极端子之间，两个开关元件的共同连接点连接在第二线圈的一端上。分压电路的分压输出点连接在第二线圈的另一端上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104868736B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510087324.8
申请日：2015-02-25
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H02M3/33584 , H02M3/33561 , H02M2001/0022
Abstract: 提供了一种电力转换电路系统，其具有初级侧电力转换电路、次级侧电力转换电路和控制电路。控制电路基于初级侧和次级侧电力转换电路的关断时段、初级侧和次级侧电力转换电路的死区时间以及电源电压的改变量，设置初级侧电力转换电路的左下臂晶体管与右下臂晶体管之间的半桥相位差和次级侧电力转换电路的半桥相位差中的至少一个，以使得在电力的非传输时段中，初级侧电力转换电路与次级侧电力转换电路之间的电流为零。
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公开(公告)号：CN102376709B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110241326.X
申请日：2011-08-17
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/861 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397 , H01L29/8613
Abstract: 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。
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公开(公告)号：CN102473705A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034016.4
申请日：2010-06-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0664 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/7397 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在半导体装置的半导体层中形成有二极管区和IGBT区。在半导体层中形成有寿命控制区。寿命控制区具有在俯视观察时位于二极管区中的第一寿命控制区、和位于IGBT区的一部分中的第二寿命控制区。该第二寿命控制区从二极管区和IGBT区的边界起朝向IGBT区内延伸。第二寿命控制区的前端在俯视观察时位于IGBT区中的体区的形成范围内。
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公开(公告)号：CN107068733B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201611257527.8
申请日：2012-07-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/36 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/417
Abstract: 公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由浓度比所述阴极区域低的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、阳极电极、形成于所述漂移区和所述阳极区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域，以及形成为将所述势垒区域连接至所述阳极电极且由金属制成的柱电极。柱电极形成为从所述阳极电极侧透过所述阳极区域且到达所述势垒区域。势垒区域和柱电极通过肖特基结相连接。
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公开(公告)号：CN107068733A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611257527.8
申请日：2012-07-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/36 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/417
Abstract: 公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由浓度比所述阴极区域低的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、阳极电极、形成于所述漂移区和所述阳极区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域，以及形成为将所述势垒区域连接至所述阳极电极且由金属制成的柱电极。柱电极形成为从所述阳极电极侧透过所述阳极区域且到达所述势垒区域。势垒区域和柱电极通过肖特基结相连接。
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