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公开(公告)号：CN102376709B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110241326.X
申请日：2011-08-17
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/861 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397 , H01L29/8613
Abstract: 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。
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公开(公告)号：CN102376709A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110241326.X
申请日：2011-08-17
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/861 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397 , H01L29/8613
Abstract: 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。
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公开(公告)号：CN104054179B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201380006534.9
申请日：2013-01-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/08
CPC classification number: H01L27/0664 , H01L29/0646 , H01L29/0834 , H01L29/407 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/861
Abstract: 半导体装置的半导体基板在从上方观看时，隔离区、IGBT区和二极管区都彼此相邻地形成。连接至主体区和阳极区的深区形成在隔离区中。在半导体基板内跨所述隔离区、所述IGBT区和所述二极管区延伸形成了漂移区。跨所述隔离区、所述IGBT区和所述二极管区延伸形成的集电极区，以及位于二极管区中的阴极区形成在暴露于半导体基板下表面上的区域中。集电极区与阴极区之间的边界位于二极管区中，处在切过隔离区与二极管区之间的边界、将所述隔离区与所述二极管区切分的剖面内。形成在隔离区中的集电极区具有比IGBT区中的集电极区更高浓度的掺杂杂质。
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公开(公告)号：CN102376759A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110251267.4
申请日：2011-08-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/30 , H01L21/263
CPC classification number: H01L29/8611 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L29/063 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/7397
Abstract: 在此公开了一种半导体装置，特别是公开了一种具有IGBT区和二极管区的半导体装置，其中IGBT结构设置在IGBT区中并且二极管结构设置在二极管区中，所述IGBT区和所述二极管区都位于同一个衬底内，并且所述IGBT区与所述二极管区相邻。在这种类型的半导体装置中，当IGBT结构被关断时会发生积聚在IGBT区内的载流子流入二极管区的现象。为防止这种现象，缩短载流子寿命的区域至少设置在所述IGBT区内的与所述二极管区相邻的分区中。在所述分区中，省略了IGBT结构的发射极。
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公开(公告)号：CN104054179A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201380006534.9
申请日：2013-01-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/08
CPC classification number: H01L27/0664 , H01L29/0646 , H01L29/0834 , H01L29/407 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/861
Abstract: 半导体装置的半导体基板在从上方观看时，隔离区、IGBT区和二极管区都彼此相邻地形成。连接至主体区和阳极区的深区形成在隔离区中。在半导体基板内跨所述隔离区、所述IGBT区和所述二极管区延伸形成了漂移区。跨所述隔离区、所述IGBT区和所述二极管区延伸形成的集电极区，以及位于二极管区中的阴极区形成在暴露于半导体基板下表面上的区域中。集电极区与阴极区之间的边界位于二极管区中，处在切过隔离区与二极管区之间的边界、将所述隔离区与所述二极管区切分的剖面内。形成在隔离区中的集电极区具有比IGBT区中的集电极区更高浓度的掺杂杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102376759B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110251267.4
申请日：2011-08-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/30 , H01L21/263
CPC classification number: H01L29/8611 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L29/063 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/7397
Abstract: 在此公开了一种半导体装置，特别是公开了一种具有IGBT区和二极管区的半导体装置，其中IGBT结构设置在IGBT区中并且二极管结构设置在二极管区中，所述IGBT区和所述二极管区都位于同一个衬底内，并且所述IGBT区与所述二极管区相邻。在这种类型的半导体装置中，当IGBT结构被关断时会发生积聚在IGBT区内的载流子流入二极管区的现象。为防止这种现象，缩短载流子寿命的区域至少设置在所述IGBT区内的与所述二极管区相邻的分区中。在所述分区中，省略了IGBT结构的发射极。
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公开(公告)号：CN105027289B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380072378.6
申请日：2013-02-13
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L27/0629 , H01L27/0664 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095
Abstract: 本说明书公开了一种IGBT区域与二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置。IGBT区域具备：第一导电型的体层，其被形成在半导体基板的表面上；第一导电型的体接触层，其被局部地形成在体层的表面上，并且与体层相比第一导电型的杂质浓度较高；第二导电型的发射层，其被局部地形成在体层的表面上；第二导电型的漂移层，其被形成于体层的背面侧；第一导电型的集电层，其被形成于漂移层的背面侧；栅电极，其通过绝缘膜而被覆盖并被配置于沟槽的内部。在该半导体装置中，距二极管区域的距离较远的位置处的体接触层与距二极管区域的距离较近的位置处的体接触层相比被形成为较大。
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公开(公告)号：CN105027289A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201380072378.6
申请日：2013-02-13
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L27/0629 , H01L27/0664 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095
Abstract: 本说明书公开了一种IGBT区域与二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置。IGBT区域具备：第一导电型的体层，其被形成在半导体基板的表面上；第一导电型的体接触层，其被局部地形成在体层的表面上，并且与体层相比第一导电型的杂质浓度较高；第二导电型的发射层，其被局部地形成在体层的表面上；第二导电型的漂移层，其被形成于体层的背面侧；第一导电型的集电层，其被形成于漂移层的背面侧；栅电极，其通过绝缘膜而被覆盖并被配置于沟槽的内部。在该半导体装置中，距二极管区域的距离较远的位置处的体接触层与距二极管区域的距离较近的位置处的体接触层相比被形成为较大。
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公开(公告)号：CN102522427A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110414104.3
申请日：2009-01-28
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型基板的第1主面上形成：主电流流过的主活性区域以及第1主电极；和对流过上述主活性区域的上述主电流的变动进行检测的电流检测结构区域以及与上述第1主电极分离的第2主电极。在上述基板的第2主面上形成第3主电极，上述主活性区域具有第1沟槽栅极结构部，在上述第1沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第1虚拟沟槽结构部，上述电流检测结构区域具有第2沟槽栅极结构部，在上述第2沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第2虚拟沟槽结构部。上述主活性区域，在上述第1沟槽栅极结构部和上述第1虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第1虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第1主电极电绝缘的第1个第2导电型的层，且上述第1沟槽栅极结构部相互连接。上述电流检测结构区域，在上述第2沟槽栅极结构部和上述第2虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第2虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第2主电极电连接的第2个第2导电型的层，且上述第2沟槽栅极结构部和上述第1沟槽栅极结构部相互连接。
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公开(公告)号：CN102272932B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201080004054.5
申请日：2010-05-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L24/73 , H01L29/0834 , H01L29/7397 , H01L2224/48472 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，包括：具有第一半导体层(11)和形成于第一表面(11a)上的第二半导体层(12)的半导体衬底(10)；具有第一电极(20)和第二电极(21)的二极管(30)；控制焊盘(42)；与所述控制焊盘(42)电耦合的控制电极(41)；以及绝缘构件(44，46)。在所述第一半导体层(11)的第二表面(11b)上形成所述第一电极(20)。在第一表面(11a)上形成第二电极(21)。电流在第一电极(20)和第二电极(21)之间流动。控制焊盘(42)布置于第一表面(11a)上，使得所述焊盘(42)输入控制信号，用于控制注入所述第一半导体层中的载流子的量。所述绝缘构件(44，46)在所述控制电极(41)和所述第二电极(21)之间以及在所述控制电极(41)和所述半导体衬底(10)之间绝缘。
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