公开(公告)号：CN100514675C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200580014771.5

申请日：2005-05-12

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 河路佐智子 ,  石子雅康 ,  杉山隆英 ,  臼井正则 ,  斋藤顺 ,  堀田幸司

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 能够在IGBT的体区之内形成的悬浮状态下的半导体区域的宽范围之上获得密集累积的空穴载流子。电位悬浮的n型半导体区域(52)形成在p-型体区(28)之内。n型半导体区域(52)通过体区(28)与n+型发射区(32)和n-型漂移区(26)隔离。进而，形成第二电极(62)，以便经由绝缘膜(64)与至少部分的半导体区域(52)相对。第二电极(62)没有与发射区(32)相对。

公开(公告)号：CN1950947A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014771.5

申请日：2005-05-12

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 河路佐智子 ,  石子雅康 ,  杉山隆英 ,  臼井正则 ,  斋藤顺 ,  堀田幸司

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 能够在IGBT的体区之内形成的悬浮状态下的半导体区域的宽范围之上获得密集累积的空穴载流子。电位悬浮的n型半导体区域(52)形成在p－型体区(28)之内。n型半导体区域(52)通过体区(28)与n+型发射区(32)和n－型漂移区(26)隔离。进而，形成第二电极(62)，以便经由绝缘膜(64)与至少部分的半导体区域(52)相对。第二电极(62)没有与发射区(32)相对。

公开(公告)号：CN1316628C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410074196.5

申请日：2004-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  庄司智幸 ,  石子雅康

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L23/58

Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。

公开(公告)号：CN1967869A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610165662.X

申请日：2004-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  庄司智幸 ,  石子雅康

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L23/58 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38中的深的一方的深度的1/3以上。

公开(公告)号：CN1591897A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410074196.5

申请日：2004-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  庄司智幸 ,  石子雅康

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38)的重复区域(39)对向，上述重复区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。

公开(公告)号：CN101375402A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200680048427.2

申请日：2006-11-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 泷雅人 ,  川上昌宏 ,  早川清春 ,  石子雅康

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/20 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78624

Abstract: 二极管(10)包括SOI衬底，其中堆叠有半导体衬底(20)，绝缘膜(30)和半导体层(40)。底部半导体区域(60)、中间半导体区域(53)和表面半导体区域(54)在半导体层(40)中形成。底部半导体区域(60)包括高浓度的n型杂质。中间半导体区域(53)包括低浓度的n型杂质。表面半导体区域(54)包括p型杂质。还公开了LDMOS晶体管。

公开(公告)号：CN101375402B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200680048427.2

申请日：2006-11-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 泷雅人 ,  川上昌宏 ,  早川清春 ,  石子雅康

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/20 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78624

Abstract: 二极管(10)包括SOI衬底，其中堆叠有半导体衬底(20)，绝缘膜(30)和半导体层(40)。底部半导体区域(60)、中间半导体区域(53)和表面半导体区域(54)在半导体层(40)中形成。底部半导体区域(60)包括高浓度的n型杂质。中间半导体区域(53)包括低浓度的n型杂质。表面半导体区域(54)包括p型杂质。还公开了LDMOS晶体管。

公开(公告)号：CN1967869B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200610165662.X

申请日：2004-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  庄司智幸 ,  石子雅康

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L23/58 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，其防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38)的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。