公开(公告)号：CN1510719A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310123273.7

申请日：2003-12-23

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社东芝

Inventor： 熊野畅 ,  见方裕一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/266 ,  H01L35/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/20 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/31711 ,  H01J2237/31794

Abstract: 本发明提供一种不产生弯曲或变形的、高精度、高可靠性的掩模，通过具有包括掩模图形部和至少1个pn结的板状体、为上述pn结供给电流的电流供给部，向上述pn结部通电，能够产生珀耳帖效应，控制上述掩模图形部的温度。此外，提供一种在离子注入技术中能够高精度注入离子的(漏印板)掩模。提供一种不需要形成抗蚀图形的、高精度、高可靠性的离子注入方法。采用该掩模，可不需要形成抗蚀图形地形成高可靠性的离子注入区。

公开(公告)号：CN100380582C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200310123273.7

申请日：2003-12-23

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社东芝

Inventor： 熊野畅 ,  见方裕一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/266 ,  H01L35/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/20 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/31711 ,  H01J2237/31794

Abstract: 本发明提供一种不产生弯曲或变形的、高精度、高可靠性的掩模，通过具有包括掩模图形部和至少1个pn结的板状体、为上述pn结供给电流的电流供给部，向上述pn结部通电，能够产生珀耳帖效应，控制上述掩模图形部的温度。此外，提供一种在离子注入技术中能够高精度注入离子的(漏印板)掩模。提供一种不需要形成抗蚀图形的、高精度、高可靠性的离子注入方法。采用该掩模，可不需要形成抗蚀图形地形成高可靠性的离子注入区。

公开(公告)号：CN101657895A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880011773.2

申请日：2008-04-11

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 熊野畅 ,  中川英二

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L27/0222 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H03K3/35613

Abstract: 本发明提供一种能够提高装置整体的耐压的半导体装置。半导体装置包含：半导体基板；形成于所述半导体基板表层部的pMOS；形成于所述半导体基板的表层部并在电源与地线之间与所述pMOS串联连接的nMOS；和基板电位控制电路，用于控制所述半导体基板的背面的电位为比地线电位高且比所述电源的电位低的中间电位。