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公开(公告)号：CN1196205C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN01121846.0
申请日：2001-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种半导体发光元件，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该半导体发光元件的特征在于，包括：在半导体衬底上设置的第一导电型的第一半导体层；在上述第一半导体层上设置的发生并放出自然光的活性层；在上述活性层上设置的第二导电型的第二半导体层；仅在上述半导体衬底的内面边缘部分设置的第一电极；以及以位于上述第二半导体层的中央部分的方式设置的第二电极，且该半导体发光元件在设置有上述第二电极的一侧进行安装，主要从上述半导体衬底的内面侧取出光。
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公开(公告)号：CN104779336A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410226984.5
申请日：2014-05-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/44 , H01L2224/20 , H01L2224/73267
Abstract: 本发明提供一种发光装置，维持发光强度或者亮度，并且色斑较少。本实施方式的发光装置具备发光元件。第一膜覆盖发光元件。荧光膜设置在第一膜上，局部地覆盖发光元件的光取出面的至少中心部的上方。透明部设置在荧光膜上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101183699A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710159720.2
申请日：2001-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种半导体发光元件，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该发光元件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的用来发光的活性层；在所述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与所述第二半导体层接触的第二电极；以及与所述半导体衬底接触的第一电极；其中：所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层在所述透明衬底的中央部位形成脊形部件。
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公开(公告)号：CN1330416A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN01121846.0
申请日：2001-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性的半导体发光元件及其制造方法和半导体发光装置。该半导体发光元件的特征在于,向蓝宝石衬底20上的InGaN活性层22注入电流的p型电极26具有五层结构,即,包括:作为与p型GaN层24欧姆接触的欧姆电极的Ni层32、作为阻挡电极的Mo层33、作为高反射率电极的Al层34、作为阻挡电极的Ti层35、和作为提高与引线框12上的分支柱13的接触性的覆盖电极的Au层36。
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公开(公告)号：CN100587985C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710159720.2
申请日：2001-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种半导体发光元件，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该发光元件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的用来发光的活性层；在所述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与所述第二半导体层接触的第二电极；以及与所述半导体衬底接触的第一电极；其中：所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层在所述透明衬底的中央部位形成脊形部件。
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公开(公告)号：CN100459183C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410056639.8
申请日：2001-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种半导体发光元件及其制造方法和半导体发光装置，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该半导体发光元件包括：衬底；在衬底上形成的发光层，该发光层包括：第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上形成的用来发光的活性层、以及在活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与第二半导体层接触的第一电极；以及与第一半导体层接触的第二电极，第一电极包括：与第二半导体层欧姆接触的欧姆层、在欧姆层上形成的第一阻挡层、在第一阻挡层上形成的光反射层、在光反射层上形成的第二阻挡层、以及在第二阻挡层上形成的用来安装的覆盖电极；第一阻挡层包含与欧姆层不同的材料，光反射层包含与覆盖电极不同的材料。
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公开(公告)号：CN1591918A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410056639.8
申请日：2001-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种半导体发光元件及其制造方法和半导体发光装置，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该半导体发光元件包括：衬底；在衬底上形成的发光层，该发光层包括：第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上形成的用来发光的活性层、以及在活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与第二半导体层接触的第一电极；以及与第一半导体层接触的第二电极，第一电极包括：与第二半导体层欧姆接触的欧姆层、在欧姆层上形成的第一阻挡层、在第一阻挡层上形成的光反射层、在光反射层上形成的第二阻挡层、以及在第二阻挡层上形成的用来安装的覆盖电极；第一阻挡层包含与欧姆层不同的材料，光反射层包含与覆盖电极不同的材料。
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