公开(公告)号：CN106505061A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610011822.9

申请日：2016-01-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 稻积贤 ,  大野博登 ,  江头克

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90 ,  H01L23/5222 ,  H01L28/40

Abstract: 实施方式的电容元件具备第一电极、第二电极、及第一通孔。第一电极设置在第一配线层内。第二电极设置在第一配线层内，且以闭路包围第一电极的周围。第一通孔连接于第一电极，且贯通第一配线层而设置。

公开(公告)号：CN103208513A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201210222992.3

申请日：2012-06-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白井浩司 ,  稻积贤 ,  平汤刚士 ,  坂本寿博

IPC: H01L29/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体装置，该半导体装置具备：导电型为p型的半导体基板；设在上述半导体基板上、导电型为n型的埋入层；设在上述埋入层上、导电型为p型的背栅层；设在上述背栅层上、导电型为n型的漏极层；设在上述背栅层上、与上述漏极层分离、导电型为n型的源极层；在上述背栅层中的上述漏极层与上述源极层之间的部分的正上方区域设置的栅电极；以及与上述漏极层的上表面的一部分接触的漏电极。上述漏极层与上述漏电极的接触面的正下方区域中的上述漏极层的厚度，是上述接触面的正下方区域中的上述背栅层以及上述漏极层的合计厚度的一半。

公开(公告)号：CN103208513B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210222992.3

申请日：2012-06-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白井浩司 ,  稻积贤 ,  平汤刚士 ,  坂本寿博

IPC: H01L29/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体装置，该半导体装置具备：导电型为p型的半导体基板；设在上述半导体基板上、导电型为n型的埋入层；设在上述埋入层上、导电型为p型的背栅层；设在上述背栅层上、导电型为n型的漏极层；设在上述背栅层上、与上述漏极层分离、导电型为n型的源极层；在上述背栅层中的上述漏极层与上述源极层之间的部分的正上方区域设置的栅电极；以及与上述漏极层的上表面的一部分接触的漏电极。上述漏极层与上述漏电极的接触面的正下方区域中的上述漏极层的厚度，是上述接触面的正下方区域中的上述背栅层以及上述漏极层的合计厚度的一半。