公开(公告)号：CN100446271C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510059287.6

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中林幸雄 ,  西之原一美 ,  木下敦宽 ,  古贺淳二

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78621

Abstract: 一种场效应晶体管，包括：第一半导体区；绝缘地设置于第一半导体区域之上的栅极电极；其间夹有第一半导体区域的源极和漏极电极；第二半导体区，每个都具有比第一半导体区域的杂质浓度更高的杂质浓度，一个第二半导体区被形成于该第一半导体区与该源极电极之间，而另一个第二半导体区被形成于该第一半导体区与该漏极电极之间，在源极电极和漏极电极相对于沟道方向而相互分离的方向上，源极电极向栅极电极偏移，所述一个第二半导体区域的厚度不大于在该源极电极与所述一个第二半导体区处于热平衡的情况下所述一个第二半导体区域在沟道方向上被完全耗尽时的厚度。

公开(公告)号：CN1674298A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510059287.6

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中林幸雄 ,  西之原一美 ,  木下敦宽 ,  古贺淳二

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78621

Abstract: 一种场效应晶体管，包括：第一半导体区；绝缘地设置于第一半导体区域之上的栅极电极；其间夹有第一半导体区域的源极和漏极电极；第二半导体区，均被形成于第一半导体区域与源极和漏极电极之一之间、具有比第一半导体区域的杂质浓度更高的杂质浓度，在源极电极和漏极电极相对于沟道方向而相互分离的方向上，源极电极向栅极电极偏移，第二半导体区域之一具有这样的厚度，其不大于该第二半导体区域之一在沟道方向上被完全耗尽时的厚度，该第二半导体区域之一与源极电极处于热平衡。