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公开(公告)号：CN116997691A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280017444.9
申请日：2022-03-02
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 一种III族氮化物晶体衬底，具有主面和主面相反侧的背面。另外，主面的平均位错密度和背面的平均位错密度为6.0×105cm－2以下。此外，主面的平均位错密度和背面的平均位错密度的差为5.0×104cm－2以下。主面晶轴翘曲为曲率半径30m以上。
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公开(公告)号：CN113629490A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110397398.7
申请日：2021-04-12
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本公开提供一种激光二极管条及其制造方法、使用其的波长光束耦合系统。用于波长光束耦合系统的激光二极管条具备：氮化物半导体基板，将(0001)面作为面方位，并且具有从(0001)面向m轴或a轴的至少一个轴被赋予了大于0°的偏离角的基板面；层叠构造体，形成在所述氮化物半导体基板上，包括第1导电型包层、活性层以及第2导电型包层；多个发射极，以发射极的波导方向与所述偏离角的主轴方向垂直的方式，呈条带状地形成于所述层叠构造体。
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公开(公告)号：CN110473943A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910025850.X
申请日：2019-01-10
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低横向电阻的倒装芯片型的发光二极管元件。该倒装芯片型的发光二极管元件具备依次层叠载流子浓度为1×1019cm-3以上且小于3×1020cm-3的第一n型III族氮化物半导体层(102)、载流子浓度为5×1017cm-3以上且小于1×1019cm-3的第二n型III族氮化物半导体层(103)、由III族氮化物半导体构成的发光层(104)、以及p型III族氮化物半导体层(105)的层叠体结构，所述第一n型III族氮化物半导体层(102)与所述第二n型III族氮化物半导体层(103)的界面的凹凸的高低差大于所述第二n型III族氮化物半导体层(103)与所述发光层(104)的界面的凹凸的高低差。
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公开(公告)号：CN110473943B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910025850.X
申请日：2019-01-10
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低横向电阻的倒装芯片型的发光二极管元件。该倒装芯片型的发光二极管元件具备依次层叠载流子浓度为1×1019cm‑3以上且小于3×1020cm‑3的第一n型III族氮化物半导体层(102)、载流子浓度为5×1017cm‑3以上且小于1×1019cm‑3的第二n型III族氮化物半导体层(103)、由III族氮化物半导体构成的发光层(104)、以及p型III族氮化物半导体层(105)的层叠体结构，所述第一n型III族氮化物半导体层(102)与所述第二n型III族氮化物半导体层(103)的界面的凹凸的高低差大于所述第二n型III族氮化物半导体层(103)与所述发光层(104)的界面的凹凸的高低差。
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公开(公告)号：CN113258445A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202011213218.7
申请日：2020-11-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种激光二极管条以及波长光束耦合系统。本公开的激光二极管条(100)具有相互隔开间隔地形成的n(n≥2)个发射极的注入区域(101)，将注入区域(101)的排列方向设为X坐标，将排列方向的中心位置设为X坐标的原点，将各注入区域(101)的X坐标设为Xi(i＝1～n)，将各注入区域(101)的面积设为Si(i＝1～n)，此时，注入区域(101)形成为满足下式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113258439A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110039255.9
申请日：2021-01-12
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Inventor： 大野启
Abstract: 本公开提供一种波长光束耦合系统以及激光二极管条阵列的制造方法。在本公开的WBC系统(10)中，由多个LD条构成的LD条阵列构成为至少1个LD条的偏离角的主轴方向相对于其他LD条的偏离角的主轴方向反转。这样，即使在存在晶片内的波长分布的LD条中，也能够使设计锁定波长与增益峰值波长的差分在LD条内的所有发射极中收敛于能够进行基于外部谐振的LD振荡的范围，从而能够使WBC系统中的输出最大化。
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公开(公告)号：CN112051695A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010497257.8
申请日：2020-06-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 一种波长转换装置，其具有腔室，该腔室包含RAMO4晶体、激光晶体和镜，所述RAMO4晶体含有由通式RAMO4所示的单晶体，其中，通式中，R表示选自Sc、In、Y及镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga及Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn及Cd中的一个或多个二价元素。
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公开(公告)号：CN113517630A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110262560.4
申请日：2021-03-10
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种激光二极管条及其制造方法和波长光束耦合系统。用于波长光束耦合系统的激光二极管条的制造方法包括：准备氮化物半导体基板(10)的工序，该氮化物半导体基板具有从(0001)面向m轴或a轴的至少一个轴被赋予了大于0°的偏离角的基板面；在氮化物半导体基板(10)上形成层叠构造体的工序，该层叠构造体包含第1导电型包层(21)、活性层(22)及第2导电型包层(23)；以氮化物半导体基板(10)具有的偏离角的主轴方向和发射极(13)的波导方向一致的方式，在层叠构造体形成呈条带状排列的多个发射极(13)的工序；从氮化物半导体基板(10)切出具有多个发射极(13)的激光二极管条(20)的工序。
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公开(公告)号：CN113258444A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202011175685.5
申请日：2020-10-28
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本公开提供一种激光二极管条以及波长光束耦合系统。在本公开的激光二极管条(100)中，关于注入区域(101)的面积，越靠近注入区域(101)的排列方向的中央部的注入区域(101)越小。由此，越靠近散热少的排列方向的中央部则越能够抑制发热，因此能够抑制发射极的排列方向上的温度差。
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公开(公告)号：CN103444021B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201280014025.6
申请日：2012-02-21
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01S5/323 , B82Y20/00 , H01L33/0045 , H01L33/20 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有光波导(120)的氮化物半导体发光元件，至少以下部覆盖层(102)、活性层(104)、上部覆盖层(107)的顺序来包含这些层，上部覆盖层(107)具有：由透明导电体构成的第二上部覆盖层(109)、以及由氮化物半导体构成的第一上部覆盖层(108)，且第一上部覆盖层(108)被形成在比该第二上部覆盖层(109)靠近活性层一侧。
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