-
公开(公告)号：CN101981711B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200980110753.5
申请日：2009-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种具有改善的内部量子效率的发光层和具有高的光输出的氮化物半导体发光器件。所述氮化物半导体发光器件包括用于外延生长的单晶衬底(1)、形成在单晶衬底(1)的上表面侧上的第一缓冲层(2)、形成在第一缓冲层(2)的上表面侧上的n-型氮化物半导体层(3)、通过第二缓冲层(4)形成在n-型氮化物半导体层(3)的上表面侧上的第三缓冲层(5)、形成在第三缓冲层(5)的上表面侧上的发光层(6)和形成在发光层(6)的上表面侧上的p-型氮化物半导体层(7)。第三缓冲层(5)用于减少发光层(6)中的线位错和剩余畸变，改善发光层(6)的基层的平坦度，以及进一步地通过利用第三缓冲层(5)中产生的载流子来改变发光层(6)中的压电场，并且在第三缓冲层(5)中添加Si充当施主的杂质。
-
公开(公告)号：CN101528991B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200780038953.5
申请日：2007-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
Inventor： 罗伯特·大卫·阿米蒂奇 , 近藤行广 , 平山秀树
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C30B25/18 , C30B28/12 , C30B29/38
CPC classification number: H01L21/02661 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供通过气相法使晶体m面生长的廉价的蓝宝石衬底，使用该蓝宝石衬底的氮化物半导体发光元件及该氮化物半导体发光元件的制造方法。蓝宝石衬底(1)，作为晶体(2)的生长面(3)，具有相对于m面(4)倾斜预先设定的微小角度的斜切面。使用廉价的蓝宝石衬底(1)，通过气相法，使GaN晶体从作为a面的各台阶(5)的面起在平台(6)上沿c轴生长，外延生长的良好的GaN单结晶继续生长，使m面为平台(6)的表面的相反侧，同时各台阶(5)一体化(融合)，获得m面GaN晶体，进而能够利用穿透位错(threading dislocation)少的GaN单结晶衬底制造器件。而且，通过使用m面能够消除压电电场的影响。
-
公开(公告)号：CN1641900A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200510004321.X
申请日：2005-01-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件(1)具备：发光区域(3)、第1AlX1Ga1－X1N半导体(0≤X1≤1)层(5)、第2AlX2Ga1－X2N半导体(0≤X2≤1)层(7)。该半导体发光元件中，发光区域由III族氮化物半导体制成，包含InAlGaN半导体层。第1AlX1Ga1－X1N半导体层例如被镁(Mg)之类的p型掺杂剂掺杂，被设于发光区域上。第2AlX2Ga1－X2N半导体层被设于发光区域和第1AlX1Ga1－X1N半导体层之间。第2AlX2Ga1－X2N半导体层具有比第1AlX1Ga1－X1N半导体层的p型掺杂剂浓度更小的p型掺杂剂浓度。
-
公开(公告)号：CN1585144A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410057832.3
申请日：2004-08-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种通过高效率发光能够实现高输出发光的使用了氮化物半导体的发光元件及其制造方法，为达到该目的，所述发光元件具备GaN基板(1)，以及在该GaN基板(1)的第一主表面侧含有InAlGaN4元混晶的发光层。
-
公开(公告)号：CN101258616A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032480.3
申请日：2006-09-04
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件，具有：通过第一缓冲层(2)，在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成的n－型氮化物半导体层(3)；在n－型氮化物半导体层(3)的表面上形成的发光层(5)；和在发射光(5)的表面侧上形成的p－型氮化物半导体层(6)。发光层(5)具有AlGaInN量子阱结构，并且在n－型氮化物半导体层(3)和发光层(5)之间布置与发光层(5)的势垒层(5a)具有相同组成的第二缓冲层(4)。在半导体发光器件中，与常规构造相比，可以改善紫外光发光强度，同时使用AlGaInN作为用于发光层的材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103650176B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280034634.8
申请日：2012-05-25
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科
CPC classification number: H01L33/32 , H01L22/12 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。
-
公开(公告)号：CN103650176A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034634.8
申请日：2012-05-25
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科
CPC classification number: H01L33/32 , H01L22/12 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统（结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。
-
公开(公告)号：CN105934833B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201480002228.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
-
公开(公告)号：CN105934833A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201480002228.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
-
公开(公告)号：CN103797668A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280042684.0
申请日：2012-08-01
Applicant: 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3401 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0035 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/3402 , H01S2302/02
Abstract: 本发明的课题是制作一种减小了阈值电流密度(Jth)、提高了最高工作温度(Tmax)的量子级联激光元件。解决的手段是：在本发明的一个实施方式中，提供一种具有QCL结构(100)的THz-QCL元件(1000)，该QCL结构(100)为被一对电极(20、30)夹持的半导体超晶格结构(100A)。半导体超晶格结构(100A)(QCL结构100)具有活性区域(10)，该活性区域(10)例如通过在一对电极之间被施加了电压时的子带间的电子跃迁来发射THz波段的电磁波。该活性区域具有在厚度方向方向上重复设置的具有一定厚度的单位结构(10U)，该单位结构(10U)包括几个交替层叠的势阱层(10W)和势垒层(10B)，势阱层(10W)由作为AlAs和GaAs的混晶的AlxGa1-xAs(0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.034 seconds)
