公开(公告)号：CN103797668A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201280042684.0

申请日：2012-08-01

Applicant: 独立行政法人理化学研究所

Inventor： 平山秀树 ,  林宗泽

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3401 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0035 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/3402 ,  H01S2302/02

Abstract: 本发明的课题是制作一种减小了阈值电流密度(Jth)、提高了最高工作温度(Tmax)的量子级联激光元件。解决的手段是：在本发明的一个实施方式中，提供一种具有QCL结构(100)的THz-QCL元件(1000)，该QCL结构(100)为被一对电极(20、30)夹持的半导体超晶格结构(100A)。半导体超晶格结构(100A)(QCL结构100)具有活性区域(10)，该活性区域(10)例如通过在一对电极之间被施加了电压时的子带间的电子跃迁来发射THz波段的电磁波。该活性区域具有在厚度方向方向上重复设置的具有一定厚度的单位结构(10U)，该单位结构(10U)包括几个交替层叠的势阱层(10W)和势垒层(10B)，势阱层(10W)由作为AlAs和GaAs的混晶的AlxGa1-xAs(0