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公开(公告)号：CN101258616A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032480.3
申请日：2006-09-04
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件，具有：通过第一缓冲层(2)，在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成的n－型氮化物半导体层(3)；在n－型氮化物半导体层(3)的表面上形成的发光层(5)；和在发射光(5)的表面侧上形成的p－型氮化物半导体层(6)。发光层(5)具有AlGaInN量子阱结构，并且在n－型氮化物半导体层(3)和发光层(5)之间布置与发光层(5)的势垒层(5a)具有相同组成的第二缓冲层(4)。在半导体发光器件中，与常规构造相比，可以改善紫外光发光强度，同时使用AlGaInN作为用于发光层的材料。
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公开(公告)号：CN101258616B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680032480.3
申请日：2006-09-04
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件，具有：通过第一缓冲层(2)，在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成的n-型氮化物半导体层(3)；在n-型氮化物半导体层(3)的表面上形成的发光层(5)；和在发射光(5)的表面侧上形成的p-型氮化物半导体层(6)。发光层(5)具有AlGaInN量子阱结构，并且在n-型氮化物半导体层(3)和发光层(5)之间布置与发光层(5)的势垒层(5a)具有相同组成的第二缓冲层(4)。在半导体发光器件中，与常规构造相比，可以改善紫外光发光强度，同时使用AlGaInN作为用于发光层的材料。
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公开(公告)号：CN101981711A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980110753.5
申请日：2009-03-23
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种具有改善的内部量子效率的发光层和具有高的光输出的氮化物半导体发光器件。所述氮化物半导体发光器件包括用于外延生长的单晶衬底(1)、形成在单晶衬底(1)的上表面侧上的第一缓冲层(2)、形成在第一缓冲层(2)的上表面侧上的n-型氮化物半导体层(3)、通过第二缓冲层(4)形成在n-型氮化物半导体层(3)的上表面侧上的第三缓冲层(5)、形成在第三缓冲层(5)的上表面侧上的发光层(6)和形成在发光层(6)的上表面侧上的p-型氮化物半导体层(7)。第三缓冲层(5)用于减少发光层(6)中的线位错和剩余畸变，改善发光层(6)的基层的平坦度，以及进一步地通过利用第三缓冲层(5)中产生的载流子来改变发光层(6)中的压电场，并且在第三缓冲层(5)中添加Si充当施主的杂质。
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公开(公告)号：CN101981711B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200980110753.5
申请日：2009-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种具有改善的内部量子效率的发光层和具有高的光输出的氮化物半导体发光器件。所述氮化物半导体发光器件包括用于外延生长的单晶衬底(1)、形成在单晶衬底(1)的上表面侧上的第一缓冲层(2)、形成在第一缓冲层(2)的上表面侧上的n-型氮化物半导体层(3)、通过第二缓冲层(4)形成在n-型氮化物半导体层(3)的上表面侧上的第三缓冲层(5)、形成在第三缓冲层(5)的上表面侧上的发光层(6)和形成在发光层(6)的上表面侧上的p-型氮化物半导体层(7)。第三缓冲层(5)用于减少发光层(6)中的线位错和剩余畸变，改善发光层(6)的基层的平坦度，以及进一步地通过利用第三缓冲层(5)中产生的载流子来改变发光层(6)中的压电场，并且在第三缓冲层(5)中添加Si充当施主的杂质。
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