公开(公告)号：CN101528991B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780038953.5

申请日：2007-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 罗伯特·大卫·阿米蒂奇 ,  近藤行广 ,  平山秀树

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C30B25/18 ,  C30B28/12 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/02661 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供通过气相法使晶体m面生长的廉价的蓝宝石衬底，使用该蓝宝石衬底的氮化物半导体发光元件及该氮化物半导体发光元件的制造方法。蓝宝石衬底(1)，作为晶体(2)的生长面(3)，具有相对于m面(4)倾斜预先设定的微小角度的斜切面。使用廉价的蓝宝石衬底(1)，通过气相法，使GaN晶体从作为a面的各台阶(5)的面起在平台(6)上沿c轴生长，外延生长的良好的GaN单结晶继续生长，使m面为平台(6)的表面的相反侧，同时各台阶(5)一体化(融合)，获得m面GaN晶体，进而能够利用穿透位错(threading dislocation)少的GaN单结晶衬底制造器件。而且，通过使用m面能够消除压电电场的影响。

公开(公告)号：CN101528991A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038953.5

申请日：2007-10-19

Applicant: 松下电工株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 罗伯特·大卫·阿米蒂奇 ,  近藤行广 ,  平山秀树

IPC: C30B25/18 ,  C30B28/12 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02661 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明实现能够通过气相法使晶体m面生长的廉价的衬底。在蓝宝石衬底(1)中，在生长GaN等的晶体(2)之际，作为该晶体(2)的模板的生长面(3)，通过研磨工序来制作相对于m面(4)倾斜预先设定的微小角度的斜切面，来形成具有台阶(5)和平台(6)的阶梯状台阶衬底。从而，即使使用通常不生长m面(无极性面)GaN膜的廉价的蓝宝石衬底(1)来作为结晶生长用衬底，也能够通过有利于器件制作的气相法，使GaN晶体从作为a面的各台阶(5)的面起在平台(6)上沿c轴生长，外延生长的良好的GaN单结晶继续生长，使m面为平台(6)的表面的相反侧，同时各台阶(5)一体化(融合)，能够利用穿透位错(threading dislocation)少的GaN单结晶衬底制造器件。而且，通过使用m面能够消除压电电场的影响。

公开(公告)号：CN102197299B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200980143715.X

申请日：2009-10-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 罗伯特·大卫·阿米蒂奇

IPC: G01N21/63 ,  G01N21/66

CPC classification number: G01N21/6489 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  G01N21/783

Abstract: 本发明提供一种检测元件，该检测元件通过受激励光激励而产生与周围气氛相对应的光，以检测所述周围气氛中的预先指定的气体或液体的参数，包括基板以及形成在所述基板上、采用具有异质结构的阱层的化合物半导体发光元件的纳米级的结晶结构体，通过所述预先指定的气体或液体的分子或原子吸附在所述纳米级的结晶结构体，使在所述阱层中带隙宽度较小的结构体发生能带的畸变，该畸变使跃迁能产生变化，利用因该变化而在所述阱层产生的光的强度和波长的至少其中之一的变化来表示所述气体或液体的参数。

公开(公告)号：CN102047450B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200980119886.9

申请日：2009-05-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 罗伯特·大卫·阿米蒂奇

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18

Abstract: 本发明公开一种化合物半导体发光元件，包括：构成其中之一电极侧的衬底；在所述衬底上沿垂直方向延伸的纳米级多个柱状结晶结构体；以及将所述多个柱状结晶结构体的顶部相互连接的另一电极，其中，在所述衬底上设置有第一区域和第二区域，所述第二区域与该第一区域之间具有高度差且衬底的厚度大于该第一区域，在所述衬底上的第一区域的表面形成有多孔的第一掩膜层，所述多个柱状结晶结构体是在所述衬底上的第一及第二区域依次层叠有n型半导体层、发光层以及p型半导体层的结构。

公开(公告)号：CN101971369B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200980108846.4

申请日：2009-03-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 罗伯特·大卫·阿米蒂奇

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件，包括：衬底；第一电极，设置于所述衬底的其中一个面上；纳米级的多个柱状结晶结构体，其为被依次层叠在所述衬底的另一个面上的n型半导体层、发光层以及p型半导体层；第二电极，与所述多个柱状结晶结构体的顶部连接；以及基础层，设置于作为所述衬底的一部分区域的第一区域中的所述另一个面一侧，用于控制所述柱状结晶结构体的生长，其中，在作为所述衬底中除所述第一区域以外的其余区域的至少一部分的第二区域与该第一区域之间的所述另一个面上设置有高度差。