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公开(公告)号：CN101528991B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200780038953.5
申请日：2007-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
Inventor： 罗伯特·大卫·阿米蒂奇 , 近藤行广 , 平山秀树
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C30B25/18 , C30B28/12 , C30B29/38
CPC classification number: H01L21/02661 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供通过气相法使晶体m面生长的廉价的蓝宝石衬底，使用该蓝宝石衬底的氮化物半导体发光元件及该氮化物半导体发光元件的制造方法。蓝宝石衬底(1)，作为晶体(2)的生长面(3)，具有相对于m面(4)倾斜预先设定的微小角度的斜切面。使用廉价的蓝宝石衬底(1)，通过气相法，使GaN晶体从作为a面的各台阶(5)的面起在平台(6)上沿c轴生长，外延生长的良好的GaN单结晶继续生长，使m面为平台(6)的表面的相反侧，同时各台阶(5)一体化(融合)，获得m面GaN晶体，进而能够利用穿透位错(threading dislocation)少的GaN单结晶衬底制造器件。而且，通过使用m面能够消除压电电场的影响。
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公开(公告)号：CN101528991A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038953.5
申请日：2007-10-19
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
Inventor： 罗伯特·大卫·阿米蒂奇 , 近藤行广 , 平山秀树
IPC: C30B25/18 , C30B28/12 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/02661 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明实现能够通过气相法使晶体m面生长的廉价的衬底。在蓝宝石衬底(1)中，在生长GaN等的晶体(2)之际，作为该晶体(2)的模板的生长面(3)，通过研磨工序来制作相对于m面(4)倾斜预先设定的微小角度的斜切面，来形成具有台阶(5)和平台(6)的阶梯状台阶衬底。从而，即使使用通常不生长m面(无极性面)GaN膜的廉价的蓝宝石衬底(1)来作为结晶生长用衬底，也能够通过有利于器件制作的气相法，使GaN晶体从作为a面的各台阶(5)的面起在平台(6)上沿c轴生长，外延生长的良好的GaN单结晶继续生长，使m面为平台(6)的表面的相反侧，同时各台阶(5)一体化(融合)，能够利用穿透位错(threading dislocation)少的GaN单结晶衬底制造器件。而且，通过使用m面能够消除压电电场的影响。
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公开(公告)号：CN101258616B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680032480.3
申请日：2006-09-04
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件，具有：通过第一缓冲层(2)，在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成的n-型氮化物半导体层(3)；在n-型氮化物半导体层(3)的表面上形成的发光层(5)；和在发射光(5)的表面侧上形成的p-型氮化物半导体层(6)。发光层(5)具有AlGaInN量子阱结构，并且在n-型氮化物半导体层(3)和发光层(5)之间布置与发光层(5)的势垒层(5a)具有相同组成的第二缓冲层(4)。在半导体发光器件中，与常规构造相比，可以改善紫外光发光强度，同时使用AlGaInN作为用于发光层的材料。
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公开(公告)号：CN101258616A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032480.3
申请日：2006-09-04
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件，具有：通过第一缓冲层(2)，在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成的n－型氮化物半导体层(3)；在n－型氮化物半导体层(3)的表面上形成的发光层(5)；和在发射光(5)的表面侧上形成的p－型氮化物半导体层(6)。发光层(5)具有AlGaInN量子阱结构，并且在n－型氮化物半导体层(3)和发光层(5)之间布置与发光层(5)的势垒层(5a)具有相同组成的第二缓冲层(4)。在半导体发光器件中，与常规构造相比，可以改善紫外光发光强度，同时使用AlGaInN作为用于发光层的材料。
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