公开(公告)号：CN100367495C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN03154939.X

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 汤浅宽 ,  佐竹哲郎 ,  松浦正纯 ,  后藤欣哉

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76822 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子器件，在设有通路孔(108)的第3绝缘膜(含碳的硅氧化膜)(106)中，密度或碳浓度在厚度方向上连续变化。从而在将含碳的硅氧化膜用做布线间绝缘膜的电子器件中可以防止布线结构等的不良。

公开(公告)号：CN1492504A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03154939.X

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 汤浅宽 ,  佐竹哲郎 ,  松浦正纯 ,  后藤欣哉

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76822 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子器件，在设有通路孔(108)的第3绝缘膜(含碳的硅氧化膜)(106)中，密度或碳浓度在厚度方向上连续变化。从而在将含碳的硅氧化膜用做布线间绝缘膜的电子器件中可以防止布线结构等的不良。

公开(公告)号：CN100394561C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410076874.1

申请日：2004-09-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦正纯 ,  堀部裕史 ,  松本晋 ,  滨谷毅

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的半导体器件配备：在半导体衬底上形成的弹性模量不同的多种层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18、3、7、11、15、19)和配置在上述多种层间绝缘膜上的金属焊区(22)，还配备：具有上述不同的弹性模量之中最小的弹性模量，在上述金属焊区(22)下面设置了开口部的低弹性模量的层间绝缘膜(3、7、11、15、19)；具有比上述低弹性模量的层间绝缘膜的弹性模量大的弹性模量，以与上述低弹性模量的层间绝缘膜连接的方式，遍及上述开口部及其外围区域连续扩展并叠层了的非低弹性模量的层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18)；以及在上述金属焊区下面，填埋上述低弹性模量的层间绝缘膜的开口部，与上述非低弹性模量的层间绝缘膜连接而配置的金属布线层(4、8、12、16、20)。

公开(公告)号：CN1595621A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410076874.1

申请日：2004-09-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦正纯 ,  堀部裕史 ,  松本晋 ,  滨谷毅

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的半导体器件配备：在半导体衬底上形成的弹性模量不同的多种层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18、3、7、11、15、19)和配置在上述多种层间绝缘膜上的金属焊区(22)，还配备：具有上述不同的弹性模量之中最小的弹性模量，在上述金属焊区(22)下面设置了开口部的低弹性模量的层间绝缘膜(3、7、11、15、19)；具有比上述低弹性模量的层间绝缘膜的弹性模量大的弹性模量，以与上述低弹性模量的层间绝缘膜连接的方式，遍及上述开口部及其外围区域连续扩展并叠层了的非低弹性模量的层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18)；以及在上述金属焊区下面，填埋上述低弹性模量的层间绝缘膜的开口部，与上述非低弹性模量的层间绝缘膜连接而配置的金属布线层(4、8、12、16、20)。

公开(公告)号：CN1160766C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN98106626.7

申请日：1998-02-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松浦正纯

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/31604

Abstract: 在以往的用硅烷和过氧化氢作为混合气体，按CVD法形成的氧化硅膜中，在连接上下配线的连接孔(通道)内，发生称为有毒掺杂孔的配线不良。本发明用以硅原子为主要元素，所述硅原子有氧键和碳键，并且，至少有一部分硅原子有氢键的材料来形成半导体器件的层间绝缘膜。该层间绝缘膜的脱水量比有硅-氧键和硅-甲基键的硅原子所构成膜的脱水量低。此外，作为层间绝缘膜的形成方法，使用有机硅烷作为反应性气体，将它与过氧化氢的混合气体，按化学气相生长法形成层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1204143A

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN98106626.7

申请日：1998-02-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松浦正纯

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/31604

Abstract: 在以往的用硅烷和过氧化氢作为混合气体,按CVD法形成的氧化硅膜中,在连接上下配线的连接孔(通道)内,发生称为有毒掺杂孔的配线不良。按照本发明,用以硅原子为主要元素,在所述硅原子与氧键合和与碳键合的同时,至少有一部分所述硅原子与氢键合的材料来形成半导体器件的层间绝缘膜。此外,作为层间绝缘膜的形成方法,使用气体分子结构中有硅原子与氢和碳键合的反应性气体与过氧化氢的混合气体,按化学气相生长法形成层间绝缘膜。