公开(公告)号：CN100367495C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN03154939.X

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 汤浅宽 ,  佐竹哲郎 ,  松浦正纯 ,  后藤欣哉

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76822 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子器件，在设有通路孔(108)的第3绝缘膜(含碳的硅氧化膜)(106)中，密度或碳浓度在厚度方向上连续变化。从而在将含碳的硅氧化膜用做布线间绝缘膜的电子器件中可以防止布线结构等的不良。

公开(公告)号：CN1492504A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03154939.X

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 汤浅宽 ,  佐竹哲郎 ,  松浦正纯 ,  后藤欣哉

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76822 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子器件，在设有通路孔(108)的第3绝缘膜(含碳的硅氧化膜)(106)中，密度或碳浓度在厚度方向上连续变化。从而在将含碳的硅氧化膜用做布线间绝缘膜的电子器件中可以防止布线结构等的不良。