公开(公告)号：CN100367495C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN03154939.X

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 汤浅宽 ,  佐竹哲郎 ,  松浦正纯 ,  后藤欣哉

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76822 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子器件，在设有通路孔(108)的第3绝缘膜(含碳的硅氧化膜)(106)中，密度或碳浓度在厚度方向上连续变化。从而在将含碳的硅氧化膜用做布线间绝缘膜的电子器件中可以防止布线结构等的不良。

公开(公告)号：CN1492504A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03154939.X

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 汤浅宽 ,  佐竹哲郎 ,  松浦正纯 ,  后藤欣哉

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76822 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子器件，在设有通路孔(108)的第3绝缘膜(含碳的硅氧化膜)(106)中，密度或碳浓度在厚度方向上连续变化。从而在将含碳的硅氧化膜用做布线间绝缘膜的电子器件中可以防止布线结构等的不良。

公开(公告)号：CN1819181A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006224.9

申请日：2006-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 筒江诚 ,  后藤欣哉

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：在具有被低介电常数膜覆盖的金属布线的半导体装置中，能够提高防止来自金属布线的扩散的金属扩散防止膜、和低介电常数膜之间的界面的粘附性，实现低介电常数膜和金属扩散防止膜难以脱离的可靠性较高的半导体装置。在衬底上依次形成有第1绝缘膜21、第2绝缘膜23A、第3绝缘膜23B、由SiOC构成的第4绝缘膜24和第5绝缘膜25。第2绝缘膜23A为与氧相比氮原子百分率的值较高的SiOCN膜，第3绝缘膜23B为与氮相比氧原子百分率的值较高的SiOCN膜。在第3绝缘膜23B的上面，形成有氧对于硅的组成比与第3绝缘膜23B的底面相比，高5％或5％以上的表面层23a。