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公开(公告)号：CN100367495C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN03154939.X
申请日：2003-08-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76822 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/3122 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件，在设有通路孔(108)的第3绝缘膜(含碳的硅氧化膜)(106)中，密度或碳浓度在厚度方向上连续变化。从而在将含碳的硅氧化膜用做布线间绝缘膜的电子器件中可以防止布线结构等的不良。
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公开(公告)号：CN1492504A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03154939.X
申请日：2003-08-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76822 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/3122 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件，在设有通路孔(108)的第3绝缘膜(含碳的硅氧化膜)(106)中，密度或碳浓度在厚度方向上连续变化。从而在将含碳的硅氧化膜用做布线间绝缘膜的电子器件中可以防止布线结构等的不良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102326448B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080001932.8
申请日：2010-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 汤浅宽
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L27/322 , H01L51/5218 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明在使用了有机EL元件的有机EL装置中，实现有机EL装置的薄型化，并且防止有机EL元件的构成要件经长时期而变质。有机EL装置具备：第1基板；多个有机EL元件，设置于第1基板上；第1无机物层(109)，覆盖多个有机EL元件；活性层(114)，设置在第1基板上的没有设置多个有机EL元件的区域，包含至少具有吸湿性及易氧化性的一方的材料；第2无机物层(116)，覆盖活性层(114)；第2基板，隔着多个有机EL元件与第1基板相对配置；密封材料(113)，设置于第1基板与第2基板的间隙，包围多个有机EL元件及活性层(114)；经由设置于第2无机物层(116)的贯通孔(115)，活性层(114)暴露于由第1基板、第2基板及密封材料(113)形成的密封空间110。
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公开(公告)号：CN103843457A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201180074002.X
申请日：2011-10-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L27/3246 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种发光元件和发光元件的制造方法。发光元件具备：第一电极；发光功能层，其形成在所述第一电极上，且在最上层具有导电层；第二电极，其在与所述导电层的一部分区域对应的部分具有不希望的开口的状态下，形成在所述导电层上面；以及封止层，其形成在所述第二电极上，但所述第二电极的构成所述开口的周面除外。并且，所述导电层的所述一部分区域被氧化。所述发光功能层包括有机发光层，在所述有机发光层上具有所述导电层。
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公开(公告)号：CN1469453A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03142730.8
申请日：2003-06-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 汤浅宽
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/4846 , H01L21/76885 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种电子器件及其制造方法。是在绝缘膜(12)上形成了布线沟(14)后，在布线沟(14)的附近的第2绝缘膜(12)上形成改质层(15)，然后，在布线沟(14)内形成布线(16)。接着，借助于刻蚀选择性地除去改质层(15)以形成缝隙(17)，之后，向该缝隙(17)内埋入本身为低介电常数膜的第3绝缘膜(18)。提供尽管用机械强度并不充分的低介电常数绝缘膜来降低布线间电容，但却可以实现具有充分的机械强度的布线构造的方法。
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公开(公告)号：CN102960069A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201080003025.7
申请日：2010-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 汤浅宽
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L51/5209 , H01L51/5218
Abstract: 本发明提供一种有机EL显示面板及其制造方法。在面板(100)的下部电极(6)，设置仅有反射金属膜(60)的单层区域(150、151)。使露出的反射金属膜(60)的表面存在由来自反射金属膜60的金属材料形成的金属氧化物膜(62、63)。金属氧化物膜(62、63)通过下部电极工序的蚀刻处理和灰化处理来形成。由此，能够期待能以较低成本来生产，即使不使用像素限制层也能防止短路、异常发光，能适当地谋求像素分离。另外，能够期待以比以往更均匀的膜厚形成发光层，能实现良好的图像显示性能。
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公开(公告)号：CN102326448A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080001932.8
申请日：2010-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 汤浅宽
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L27/322 , H01L51/5218 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明在使用了有机EL元件的有机EL装置中，实现有机EL装置的薄型化，并且防止有机EL元件的构成要件经长时期而变质。有机EL装置具备：第1基板；多个有机EL元件，设置于第1基板上；第1无机物层(109)，覆盖多个有机EL元件；活性层(114)，设置在第1基板上的没有设置多个有机EL元件的区域，包含至少具有吸湿性及易氧化性的一方的材料；第2无机物层(116)，覆盖活性层(114)；第2基板，隔着多个有机EL元件与第1基板相对配置；密封材料(113)，设置于第1基板与第2基板的间隙，包围多个有机EL元件及活性层(114)；经由设置于第2无机物层(116)的贯通孔(115)，活性层(114)暴露于由第1基板、第2基板及密封材料(113)形成的密封空间110。
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