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公开(公告)号:CN1090887C
公开(公告)日:2002-09-11
申请号:CN97126041.9
申请日:1997-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G10K9/122 , G01B17/00 , G01S7/521 , G10K11/025 , G10K11/08
Abstract: 本发明涉及超声波发送机与接收机。采取在具备压电振子与圆锥状振盆的复合振子上,借助于压电振子的挠曲振动的谐振模式,振盆在对其圆锥的中心轴对称的位置上形成振动节点的结构,压电振子与振盆的振动中心高精度连接,压电振子的振动使振盆在与中心轴平行的方向上振动,以此实现大声压输出的超声波发送机和高灵敏度的超声波接收机。
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公开(公告)号:CN1096400A
公开(公告)日:1994-12-14
申请号:CN94103346.5
申请日:1994-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67057
Abstract: 本发明揭示了一种用于清洗半导体器件表面的清洗剂。该清洗剂包含这些成分:一种为清除有机和无机残余物的硫酸和双氧水混合液;用于产生氟的氟硫酸,氟用作清除其他残余物和微料的浸蚀剂;以及水。
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公开(公告)号:CN1117415C
公开(公告)日:2003-08-06
申请号:CN98810848.8
申请日:1998-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01Q21/30 , H01Q21/28 , H01Q1/32 , H01Q5/00 , H01Q9/26 , H01Q9/42 , H01Q23/00 , H04N5/44 , H01Q3/26
CPC classification number: H01Q9/14 , H01Q1/32 , H01Q1/36 , H01Q3/26 , H01Q5/321 , H01Q5/371 , H01Q5/378 , H01Q5/40 , H01Q5/50 , H01Q9/0414 , H01Q9/0421 , H01Q9/42 , H01Q21/28 , H01Q21/30 , H01Q23/00
Abstract: 一种天线装置包括导电接地基底、接收单元和发送单元。其中,接收单元具有接收端,位于导电接地基底的附近;发送单元具有发射端,位于接收单元的附近。接收单元和发送单元具有一公共端,和可通过导电接地基底接地。接收单元和发送单元具有不同的工作频带。
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公开(公告)号:CN1278368A
公开(公告)日:2000-12-27
申请号:CN98810848.8
申请日:1998-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01Q21/30 , H01Q21/28 , H01Q1/32 , H01Q5/00 , H01Q9/26 , H01Q9/42 , H01Q23/00 , H04N5/44 , H01Q3/26
CPC classification number: H01Q9/14 , H01Q1/32 , H01Q1/36 , H01Q3/26 , H01Q5/321 , H01Q5/371 , H01Q5/378 , H01Q5/40 , H01Q5/50 , H01Q9/0414 , H01Q9/0421 , H01Q9/42 , H01Q21/28 , H01Q21/30 , H01Q23/00
Abstract: 一种天线装置包括导电接地基底、接收单元和发送单元。其中,接收单元具有接收端,位于导电接地基底的附近;发送单元具有发射端,位于接收单元的附近。接收单元和发送单元具有一公共端,和可通过导电接地基底接地。接收单元和发送单元具有不同的工作频带。
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公开(公告)号:CN1292584A
公开(公告)日:2001-04-25
申请号:CN00130649.9
申请日:2000-10-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01Q1/38 , H01Q5/378 , H01Q5/385 , H01Q5/40 , H01Q9/0407 , H01Q9/065 , H01Q19/005
Abstract: 一种天线装置,包括第一辐射元件;第二辐射元件,它位于所述第一辐射元件的对面;以及地,它位于相对于所述第二辐射元件的所述第一辐射元件的对面一侧,并和所述第二辐射元件相对,其中,对所述第一辐射元件或所述第二辐射元件配备馈电端子,以及至少在所述第一辐射元件和所述第二辐射元件之间和所述第二辐射元件和所述地之间产生电场,并进行电波的发送和接收。
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公开(公告)号:CN1211833A
公开(公告)日:1999-03-24
申请号:CN98109891.6
申请日:1998-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01Q1/32
CPC classification number: H01Q9/42 , H01Q1/325 , H01Q1/36 , H01Q5/314 , H01Q5/357 , H01Q9/26 , H01Q9/27
Abstract: 本发明揭示一种汽车用的天线装置。汽车用的天线由于伸出车外,存在外表不美观、造成风吹发声,易遭偷窃,洗车时要取下等问题。而这种天线装置将天线元5202~5205与作为形成车身的金属板的导体接地板5201大致平行地设置于其内侧,把该天线元5202~5205的接地线连接于该导体接地板5201,以天线元5202~5205与导体接地板5201构成天线。
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公开(公告)号:CN1197199A
公开(公告)日:1998-10-28
申请号:CN97126041.9
申请日:1997-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G10K9/122 , G01B17/00 , G01S7/521 , G10K11/025 , G10K11/08
Abstract: 本发明涉及超声波发送机与接收机。采取在具备压电振子与圆锥状振盆的复合振子上,借助于压电振子的挠曲振动的谐振模式,振盆在对其圆锥的中心轴对称的位置上形成振动节点的结构,压电振子与振盆的振动中心高精度连接,压电振子的振动使振盆在与中心轴平行的方向上振动,以此实现大声压输出的超声波发送机和高灵敏度的超声波接收机。
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公开(公告)号:CN1119345A
公开(公告)日:1996-03-27
申请号:CN95116832.0
申请日:1995-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/76898 , H01L24/05 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2224/0401 , H01L2224/05571 , H01L2224/08145 , H01L2224/13099 , H01L2224/8013 , H01L2224/80141 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81121 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/83894 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
Abstract: 在于第1半导体衬底的表面上形成第1电极和第1电极所用的绝缘膜的同时,在第2半导体衬底的表面上形成第2电极和第2电极所用的绝缘膜。在第1半导体衬底的表面上形成具有一定周期的剖面为锯齿形的带状凹凸图形,同时在第2半导体衬底的表面上形成对第1半导体衬底的表面的凹凸图形相移180度的带状凹凸图形。使第1半导体衬底与第2半导体衬底在表面的凹凸图形相互咬合的状态下相互结合。
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公开(公告)号:CN1109216A
公开(公告)日:1995-09-27
申请号:CN94115769.5
申请日:1994-08-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/74
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体基板的一主面上部分地形成第一层布线层之后,在半导体基板的一主面和第一层布线层上边,在整个面上形成第一层硅氧化膜。在第一层硅氧化膜上边,在整个面上形成由环六甲基二硅氮烷构成的分子层之后,在该分子层上,利用用臭氧和四乙氧基硅烷进行反应的CVD法形成第二层硅氧化膜。在第二层硅氧化膜上边部分地形成第二层布线层。
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