公开(公告)号：CN1253946C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN02103173.8

申请日：2002-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西照人 ,  高木刚 ,  浅井明 ,  藤井泰三 ,  杉浦三津夫 ,  南善久

IPC: H01L29/93 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/93 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0808

Abstract: 本发明提供一种包含电容量变化范围大的变容元件的半导体装置及其制造方法。变容元件VAR具备：含可变电容区域56a的N+层56、在N+层56上由外延生长形成的由SiGe膜和Si膜组成的P+层61、以及P型电极62。NPN-HBT具备：与变容元件VAR的N+层56同时形成的集电极扩散层57、集电极层59、与变容元件的P+层21同时外延生长形成的Si/SiGe层79。因为在变容元件VAR的PN结部形成的耗尽层的延伸范围能够确保达到N+层56全部、就能抑制电容变化范围的低下。

公开(公告)号：CN1267916A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN00102992.4

申请日：2000-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅井明 ,  大西照人 ,  高木刚 ,  斋藤彻 ,  原义博 ,  幸康一郎 ,  能泽克弥 ,  神泽好彦 ,  片上幸治 ,  市川洋

IPC: H01L29/737 ,  H01L27/24 ,  H01L21/328 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/7378

Abstract: 在硅基板100内,由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102,在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上,使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112,而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118;在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子,以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样,使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。

公开(公告)号：CN1225797C

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN01801134.9

申请日：2001-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西照人 ,  浅井明

IPC: H01L29/732 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/7378

Abstract: 集电区(102)上形成有起基区之作用且由i-Si1-xGex层和P+Si1-xGex层构成的Si1-xGex层(111b)，且在P+Si1-xGex层上积了会成为发射区的Si覆盖层(111a)。在基区开口部分(118)内Si覆盖层之上形成有发射区引出电极(129)，它又包括形成在含有其浓度在它在单晶硅中的固溶度以下的磷的N-多晶硅层(129b)和含有高浓度磷的N+多晶硅层(129a)。抑制了高浓度的磷(P)过分地掺杂到Si覆盖层中，而将基区层内杂质的浓度分布维持得很合适。Si覆盖层的上部可含有P型杂质。NPN型双极晶体管中基区层内的P型杂质的浓度分布被维持得很合适。

公开(公告)号：CN1205674C

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN01123693.0

申请日：2001-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田健治 ,  幸康一郎 ,  高木刚 ,  大西照人 ,  久保实

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/739 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7378

Abstract: 提供一种在实现低驱动电压化的同时，可以抑制发射极、基极之间的再结合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质结场效应晶体管。在Si基板10上积层Si集电极埋入层11、C含有率高的SiGeC层构成的第1基极区域12、C含有率低的SiGeC层或者SiGe层构成的第2基极区域13、包含发射极区域14a的Si空隙层14。第2基极区域的至少发射极区域侧端部，C含有率不到0.8%。因此，在发射极、基极结合部的耗尽层中，可以抑制由C引起的再结合中心的形成，维持低驱动电压性，通过降低再结合电流，实现对电流放大倍率等电特性的改善。

公开(公告)号：CN100346482C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200510003894.0

申请日：2001-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西照人 ,  浅井明

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/7378

Abstract: 集电区(102)上形成有起基区之作用且由i-Si1-xGex层和P+Si1-xGex层构成的Si1-xGex层(111b)，且在P+Si1-xGex层上设置会成为发射区的Si覆盖层(111a)。在基区开口部分(118)内Si覆盖层(111a)之上形成有发射区引出电极(129)，它又包括形成在含有其浓度在它在单晶硅中的固溶度以下的磷的N-多晶硅层(129b)和含有高浓度磷的N+多晶硅层(129a)。抑制了高浓度的磷(P)过分地掺杂到Si覆盖层(111a)中，而将基区层内杂质的浓度分布维持得很合适。Si覆盖层(111a)的上部可含有P型杂质。NPN型双极晶体管中基区层内的P型杂质的浓度分布被维持得很合适。

公开(公告)号：CN1215569C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN00102992.4

申请日：2000-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅井明 ,  大西照人 ,  高木刚 ,  斋藤彻 ,  原义博 ,  幸康一郎 ,  能泽克弥 ,  神泽好彦 ,  片上幸治 ,  市川洋

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/7378

Abstract: 在硅基板100内，由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102，在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上，使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112，而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118；在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子，以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样，使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。

公开(公告)号：CN1398432A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN01801372.4

申请日：2001-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅井明 ,  大西照人 ,  高木刚

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7378 ,  Y10S438/936

Abstract: 本发明提供一种新型双极晶体管及其制造方法。在Si衬底的集电极层102上，顺序外延生长SiGe衬垫层151、含硼的倾斜SiGe基极层152和Si盖层153。在Si盖层153上形成具有基极开口部118的第2堆积氧化膜112和填埋基极开口部并构成发射极引出电极的P+多晶硅层115，在Si盖层153上扩散磷形成发射极扩散层153a。在生长Si盖层153时、由于采用in－situ掺杂、仅仅在Si盖层153的上部含有硼，因而减少了耗尽层154的宽度、减少了复合电流、提高了电流特性的线性度。

公开(公告)号：CN1096400A

公开(公告)日：1994-12-14

申请号：CN94103346.5

申请日：1994-03-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西照人 ,  矢野航作 ,  野村登 ,  远藤政孝

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67057

Abstract: 本发明揭示了一种用于清洗半导体器件表面的清洗剂。该清洗剂包含这些成分：一种为清除有机和无机残余物的硫酸和双氧水混合液；用于产生氟的氟硫酸，氟用作清除其他残余物和微料的浸蚀剂；以及水。

公开(公告)号：CN1224109C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN01801372.4

申请日：2001-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅井明 ,  大西照人 ,  高木刚

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7378 ,  Y10S438/936

Abstract: 本发明提供一种新型双极晶体管及其制造方法。在Si衬底的集电极层102上，顺序外延生长SiGe衬垫层151、含硼的倾斜SiGe基极层152和Si盖层153。在Si盖层153上形成具有基极开口部118的第2堆积氧化膜112和填埋基极开口部并构成发射极引出电极的P+多晶硅层115，在Si盖层153上扩散磷形成发射极扩散层153a。在生长Si盖层153时、由于采用in-situ掺杂、仅仅在Si盖层153的上部含有硼，因而减少了耗尽层154的宽度、减少了复合电流、提高了电流特性的线性度。

公开(公告)号：CN1641885A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510003894.0

申请日：2001-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西照人 ,  浅井明

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/7378

Abstract: 集电区(102)上形成有起基区之作用且由i－Si1－xGex层和P+Si1－xGex层构成的Si1－xGex层(111b)，且在P+Si1－xGex层上设置会成为发射区的Si覆盖层(111a)。在基区开口部分(118)内Si覆盖层(111a)之上形成有发射区引出电极(129)，它又包括形成在含有其浓度在它在单晶硅中的固溶度以下的磷的N－多晶硅层(129b)和含有高浓度磷的N+多晶硅层(129a)。抑制了高浓度的磷(P)过分地掺杂到Si覆盖层(111a)中，而将基区层内杂质的浓度分布维持得很合适。Si覆盖层(111a)的上部可含有P型杂质。NPN型双极晶体管中基区层内的P型杂质的浓度分布被维持得很合适。