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公开(公告)号:CN103380495A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201280008569.1
申请日:2012-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/495 , H01L23/4093 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/72 , H01L24/89 , H01L24/90 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的压接型半导体装置包括:功率半导体元件(21),该功率半导体元件(21)在上表面至少具有第1电极(26、27),且在其下表面至少具有第2电极(25);引线框(8、9、10),该引线框(8、9、10)配置成分别与功率半导体元件的第1电极及第2电极相对;以及卡箍(28),该卡箍(28)在利用引线框夹住功率半导体元件的状态下对引线框施加压力,在至少一个引线框的、与第1电极或第2电极相对的面上,形成有金属多孔镀覆部(22、23、24)。
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公开(公告)号:CN103502805A
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN201280020684.0
申请日:2012-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N27/416 , G01N27/28
CPC classification number: G01N27/327 , G01N27/40 , G01N33/5438 , G01N33/92
Abstract: 实现一种生物传感器设备,其能够实现小型化以及轻便化,不存在液流出的问题,能够正确且稳定地进行检测。在具有人工脂质膜的生物传感器设备(30)中,设置有:具有彼此位于相反侧的第1以及第2膜表面(1a,1b)的人工脂质膜(1);将第1电解液(2a)在与人工脂质膜的第1膜表面(1a)接触的状态下封入的第1室(11a);将第2电解液(2b)在与人工脂质膜的第2膜表面(1b)接触的状态下封入的第2室(11b);在第1室(11a)内与第1电解液(2a)接触的第1电极(3a,3a’);和在第2室内(11b)与第2电解液(2b)接触的第2电极(3b,3b’),第2室(11b)在封入第2电解液(2b)的壁部(10),至少遍及壁厚方向具有通气性。
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公开(公告)号:CN103201834A
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201280003499.0
申请日:2012-10-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/495 , C25D3/12 , C25D5/022 , C25D5/48 , C25D7/00 , C25D7/12 , H01L23/36 , H01L23/49513 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/35 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/35823 , H01L2224/35825 , H01L2224/3583 , H01L2224/35848 , H01L2224/35985 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3756 , H01L2224/37565 , H01L2224/37655 , H01L2224/37755 , H01L2224/37893 , H01L2224/37895 , H01L2224/40135 , H01L2224/40475 , H01L2224/40499 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/8338 , H01L2224/83455 , H01L2224/83555 , H01L2224/83693 , H01L2224/83695 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84801 , H01L2224/84815 , H01L2924/00011 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/83205
Abstract: 提供一种能抑制热阻的增加,并能减小施加到焊料层的热阻的半导体装置。其配置结构具有:半导体元件(5);焊料层(4),该焊料层(4)配置在半导体元件的至少一个面上;以及引线框(2),该引线框(2)以夹着多孔镀镍部(1)的方式配置在该焊料层上。与直接接合半导体元件与引线框的情况相比,能将焊料接合部的热阻的增加量抑制为仅与多孔镀镍部分相对应的量,能降低施加到焊料层的热阻。
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公开(公告)号:CN103843132A
公开(公告)日:2014-06-04
申请号:CN201380003217.1
申请日:2013-01-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/36 , H01L21/4875 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L23/4006 , H01L23/4093 , H01L23/492 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/72 , H01L2224/03003 , H01L2224/03005 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置(1)包括:半导体芯片(2),该半导体芯片(2)具有第一主面、和位于该第一主面的相反侧的第二主面;散热板(3),该散热板(3)设置成与所述第一主面相对;第一电极(5),该第一电极(5)设置在所述第一主面与所述散热板(3)之间,并与所述半导体芯片(2)电连接;压接构件(4),该压接构件(4)设置成与所述第二主面相对;第二电极(6),该第二电极(6)设置在所述第二主面与所述压接构件(4)之间,并与所述半导体芯片(2)电连接;以及压力产生机构,该压力产生机构产生压力,以将所述第一电极(5)分别压接到所述散热板(3)和所述半导体芯片(2)上,并且将所述第二电极(6)分别压接到所述压接构件(4)和所述半导体芯片(2)上。
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