公开(公告)号：CN102994952A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210103592.0

申请日：2012-04-10

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 辰巳宪之 ,  上田孝史郎

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明涉及一种Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管。本发明的课题在于形成具有高阻挡性的Cu-Mn合金膜。作为解决本发明的方法是，一种在半导体元件的配线的形成中所使用的Cu-Mn合金溅射靶材(10)，其由含有浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn和不可避免的杂质的Cu-Mn合金构成，Cu-Mn合金的平均结晶粒径为10μm以上50μm以下。

公开(公告)号：CN102994962A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210089149.2

申请日：2012-03-29

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 上田孝史郎 ,  辰巳宪之 ,  小林隆一

IPC: C23C14/34 ,  H01L23/498 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供圆筒型溅射靶材、使用其的配线基板以及薄膜晶体管。本发明的课题在于实现从圆筒型溅射靶材的外周面侧直至内周面侧的溅射速度的均一化。作为解决本发明课题的方法是，由纯度3N以上的无氧铜形成并具有圆筒形状的圆筒型溅射靶材(20)，从外周面(21)侧向着内周面(22)侧硬度逐渐增加，同时，从外周面(21)侧向着内周面(22)侧(111)面的取向率逐渐增加。

公开(公告)号：CN103173729A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210570188.4

申请日：2012-12-25

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 辰巳宪之 ,  外木达也 ,  小林隆一 ,  上田孝史郎

IPC: C23C14/34 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明提供溅射用铜靶材以及溅射用铜靶材的制造方法。本发明在获得高成膜速度的同时，在含高熔点金属的膜上形成由低电阻的纯铜构成的溅射膜。本发明的溅射用铜靶材由纯度3N以上的无氧铜形成，溅射面中的（111）面的取向率为13%以上30%以下，溅射面中的（200）面的取向率为10%以上50%以下，平均结晶粒径为0.1mm以上0.2mm以下。