公开(公告)号：CN103227206A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201210223500.2

申请日：2012-06-29

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 楠敏明 ,  浅沼春彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L29/45 ,  C22C9/00 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管、其制造方法以及使用了该薄膜晶体管的显示装置。本发明的薄膜晶体管具备半导体膜、栅电极、源电极、以及漏电极，其中，栅电极、源电极以及漏电极内的至少1个电极具有包括由铜合金构成的第1电极层和由纯铜构成的第2电极层的2层构造，第1电极层的铜合金是针对铜添加了P和其他元素的铜合金，其他元素是从Mn、Mg、Ca、Ni、Zn、Si、Al、Be、Ga、In、Fe、Ti、V、Co、Zr、以及Hf内选择的至少1种元素，第1电极层的厚度是10nm以上50nm以下，第2电极层的厚度是300nm以上600nm以下，其他元素的浓度与第1电极层的厚度之积的范围是50at.%·nm以上400at.%·nm以下。

公开(公告)号：CN103094352A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210440979.5

申请日：2012-11-02

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 浅沼春彦 ,  楠敏明 ,  外木达也 ,  辰巳宪之

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  G09F9/33 ,  C23C14/34

Abstract: 在薄膜晶体管(TFT)的配线中使用Cu合金的情况下，在对由硅膜构成的半导体层进行氧化处理时产生TFT的移动度的降低，另外，在使Cu合金与由氧化物半导体膜构成的半导体层接触而进行加热时，存在发生亚阈值系数的增加及阈值电压的负位移，TFT成为正常接通动作的问题。本发明提供薄膜晶体管，其在基板上具备：栅极绝缘膜、Si系半导体层、具有Cu合金层的源/漏电极、以及在所述源电极及漏电极与所述Si系半导体层的界面形成的氧化物膜，其特征在于，所述Cu合金层含有Cu和至少一种添加元素，所述氧化物膜中的氧的原子浓度的深度分布的峰值为40原子％以上且66原子％以下，并且，在将距所述氧的原子浓度的峰值的或距所述源电极及漏电极和所述Si系半导体层的界面的氧的分布成为10原子％的距离定义为所述氧化物膜的膜厚时，所述氧化物膜的膜厚为1.8nm以下。