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公开(公告)号：CN101673724B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200810161065.9
申请日：2006-02-07
IPC: H01L23/498 , H01L23/12 , H05K1/02 , H05K1/11
CPC classification number: H05K3/205 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/3511 , H05K1/113 , H05K3/107 , H05K3/4682 , H05K2201/09472 , H05K2201/096 , H05K2203/0384 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 一种互连衬底具有：基底绝缘膜，在其下表面中具有凹陷部；位于凹陷部中的第一互连；形成在基底绝缘膜中的通路孔；以及第二互连，其经由通路孔内的导体连接到第一互连并且形成在基底绝缘膜的上表面上，其中互连衬底包括：由第一互连形成的第一互连图形，其至少包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的线性图形；以及翘曲控制图形，其位于基底绝缘膜的下表面中的凹陷部中，并且以抑制互连衬底在第一方向的两侧向底侧翘曲的方式形成。
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公开(公告)号：CN101512758B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200780032766.6
申请日：2007-09-04
Abstract: 一种布线板复合体，其由支撑衬底和分别在该支撑衬底的上表面和下表面上形成的布线板构成。所述支撑衬底由支撑体和分别布置在该支撑体的上表面和下表面的每个上的金属体构成。所述布线板至少设置有绝缘层、通过绝缘层绝缘的上和下布线、以及用于连接上和下布线的通路。安装在金属体上的布线板构成设置有金属体的布线板。因此，在金属体上形成布线板的处理中高效地使用用于支撑金属体的支撑体，并提供在制造处理中和在成品结构中具有较少的翘曲和膨胀且能够提高布线板产量的布线板复合体。还提供一种半导体器件和一种用于制造此类布线板复合体和半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN101673724A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810161065.9
申请日：2006-02-07
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/12 , H05K1/02 , H05K1/11
CPC classification number: H05K3/205 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/3511 , H05K1/113 , H05K3/107 , H05K3/4682 , H05K2201/09472 , H05K2201/096 , H05K2203/0384 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 一种互连衬底具有：基底绝缘膜，在其下表面中具有凹陷部；位于凹陷部中的第一互连；形成在基底绝缘膜中的通路孔；以及第二互连，其经由通路孔内的导体连接到第一互连并且形成在基底绝缘膜的上表面上，其中互连衬底包括：由第一互连形成的第一互连图形，其至少包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的线性图形；以及翘曲控制图形，其位于基底绝缘膜的下表面中的凹陷部中，并且以抑制互连衬底在第一方向的两侧向底侧翘曲的方式形成。
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公开(公告)号：CN101512758A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780032766.6
申请日：2007-09-04
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
Abstract: 一种布线板复合体，其由支撑衬底和分别在该支撑衬底的上表面和下表面上形成的布线板构成。所述支撑衬底由支撑体和分别布置在该支撑体的上表面和下表面的每个上的金属体构成。所述布线板至少设置有绝缘层、通过绝缘层绝缘的上和下布线、以及用于连接上和下布线的通路。安装在金属体上的布线板构成设置有金属体的布线板。因此，在金属体上形成布线板的处理中高效地使用用于支撑金属体的支撑体，并提供在制造处理中和在成品结构中具有较少的翘曲和膨胀且能够提高布线板产量的布线板复合体。还提供一种半导体器件和一种用于制造此类布线板复合体和半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN104241258B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201410249835.0
申请日：2014-06-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及半导体器件。本发明能够减少在第一半导体芯片中产生并通过硅通孔传递到第二半导体芯片的热量。第一半导体芯片具有第一硅通孔。每个第一硅通孔被布置于成m行和n列(m>n)排布的网格点中的任意一个上。第一半导体芯片还具有第一电路形成区。第一电路被形成于第一电路形成区内。第一电路在与第二半导体芯片通信的同时执行信号处理。在平面图中，第一电路形成区不与通过耦接成m行和n列排布的最外侧网格点来界定的硅通孔区重叠。在平面图中，一些连接端子位于第一电路形成区与硅通孔区之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104253101A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410409959.0
申请日：2010-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L25/16
CPC classification number: H01L28/10 , G11C5/005 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/48 , H01L23/49855 , H01L23/5227 , H01L23/562 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L27/0688 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/15183 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H05K1/117 , H05K3/0052 , H05K3/284 , H05K2201/0949 , H05K2201/09845 , H05K2203/0228 , H05K2203/1316 , H05K2203/1572 , Y10T29/4902 , Y10T29/4913 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及外部存储装置。该外部存储装置包括：互连基板；提供在互连基板中的接触型外部端子；设置在互连基板的第一表面上方的半导体芯片；以及形成在互连基板的第一表面上方的密封树脂层。密封树脂层密封半导体芯片并且没有覆盖外部端子。半导体芯片包括：存储元件、电连接到存储元件的多个电感器、驱动多个电感器的电路以及互连层。互连层形成在半导体芯片的下述表面上方，并且包括多个电感器，所述表面是与半导体芯片的面对互连基板的第一表面的表面不同的表面，电感器的每一个通过互连层连接到电路，并且电路根据预定的规则改变电路的电感器驱动。
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公开(公告)号：CN101106121A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710136413.2
申请日：2007-07-16
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/4846 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H05K3/205 , H05K3/4644 , H05K2201/09018 , H05K2201/09481 , H05K2201/09781 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 一种布线基板，包括基底绝缘膜、在基底绝缘膜的顶部表面侧上形成的第一互连、在基底绝缘膜中形成的通孔中提供的通孔导体、以及在基底绝缘膜的底部表面侧上形成的第二互连，该第二互连经由通孔导体连接到第一互连。布线基板包括分开的基板单元区域，在每个基板单元区域中形成第一互连、通孔导体和第二互连。布线基板包括基底绝缘膜上的扭曲控制图案，并且具有扭曲形状，由此当使布线基板静止在水平板上时，至少基板的平面表面的每个边的中心部分与水平板接触并且该边的两个端部被升起，其中每个边沿垂直于基板的平面表面中的第一方向的第二方向延伸。
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公开(公告)号：CN1819176A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610006815.6
申请日：2006-02-07
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/12 , H05K1/02
CPC classification number: H05K3/205 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/3511 , H05K1/113 , H05K3/107 , H05K3/4682 , H05K2201/09472 , H05K2201/096 , H05K2203/0384 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 一种互连衬底具有：基底绝缘膜，在其下表面中具有凹陷部；位于凹陷部中的第一互连；形成在基底绝缘膜中的通路孔；以及第二互连，其经由通路孔内的导体连接到第一互连并且形成在基底绝缘膜的上表面上，其中互连衬底包括：由第一互连形成的第一互连图形，其至少包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的线性图形；以及翘曲控制图形，其位于基底绝缘膜的下表面中的凹陷部中，并且以抑制互连衬底在第一方向的两侧向底侧翘曲的方式形成。
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公开(公告)号：CN104253101B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201410409959.0
申请日：2010-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L25/16
CPC classification number: H01L28/10 , G11C5/005 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/48 , H01L23/49855 , H01L23/5227 , H01L23/562 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L27/0688 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/15183 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H05K1/117 , H05K3/0052 , H05K3/284 , H05K2201/0949 , H05K2201/09845 , H05K2203/0228 , H05K2203/1316 , H05K2203/1572 , Y10T29/4902 , Y10T29/4913 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及外部存储装置。该外部存储装置包括：互连基板；提供在互连基板中的接触型外部端子；设置在互连基板的第一表面上方的半导体芯片；以及形成在互连基板的第一表面上方的密封树脂层。密封树脂层密封半导体芯片并且没有覆盖外部端子。半导体芯片包括：存储元件、电连接到存储元件的多个电感器、驱动多个电感器的电路以及互连层。互连层形成在半导体芯片的下述表面上方，并且包括多个电感器，所述表面是与半导体芯片的面对互连基板的第一表面的表面不同的表面，电感器的每一个通过互连层连接到电路，并且电路根据预定的规则改变电路的电感器驱动。
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公开(公告)号：CN102142404B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010593030.X
申请日：2010-12-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/561 , H01L23/645 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和通信方法。半导体芯片设置在其有源表面向上的安装板的第一表面上。电感器被提供在有源表面侧，也就是，被提供在半导体芯片的不面对安装板的表面侧处，以便在半导体芯片和外部之间进行通信。密封树脂层被形成在安装板的第一表面上，以便密封半导体芯片。另外，凹部或开口(在本实施例中的凹部)被提供在密封树脂层中。当在平面图中观看时，凹部在其内部包括电感器。
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