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公开(公告)号：CN1559090A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02818779.2
申请日：2002-09-24
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 独立行政法人理化学研究所 , 日本电气株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/16 , H01L45/1633
Abstract: 本发明涉及一种使用用于选择存储单元的晶体管和固体电解质的开关。存储单元中，在形成于半导体基片表面的场效应晶体管的漏扩散层上层叠金属。在金属上层叠金属为载流子的固体电解质。固体电解质与金属隔着空隙连接，金属连接至共同接地线，场效应晶体管的源极连接至列地址线，场效应晶体管的栅极连接至行地址线。
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公开(公告)号：CN1494453A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN02805549.7
申请日：2002-08-01
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G01N30/6095 , B01D15/34 , B01L3/502761 , B01L2200/12 , B01L2300/0681 , B01L2400/0415 , B01L2400/086 , G01N27/44704 , G01N27/44773 , G01N2030/524 , Y10T29/49002
Abstract: 一种分离器，其样品分离区包含许多在样品通过的流道内壁上所限定的凹坑。为了分离核酸和蛋白，凹坑开口的最大直径为300nm或更小，相邻凹坑之间的空间平均距离为300nm或更小。
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公开(公告)号：CN101454920A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019848.7
申请日：2007-03-26
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L45/085 , G11C13/0009 , G11C13/02 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/12 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 公开了一种开关元件，该开关元件利用了电化学反应来操作，并包括：离子传导层(54)，能够传导金属离子；第一电极(49)，布置成与离子传导层接触；第二电极(58)，用于向离子传导层提供金属离子。该开关元件的特征在于包含比第二电极更易于被氧化的材料的吸氧层(55)形成为与第二电极接触。
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公开(公告)号：CN100334735C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN03809827.X
申请日：2003-04-25
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 独立行政法人理化学研究所 , 日本电气株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/1633 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种即使切断电源也能保持导通或断开状态，能降低在导通状态下的电阻，实现集成化，并且能够再编程的固体电解质开关元件及使用其的FPGA、存储元件及其制造方法。固体电解质开关元件(10、10′、20、20′)，其特征在于具有：用绝缘层来覆盖表面的基片(11)、布置在基片(11)上的第1布线层(13)、布置在第1布线层(13)上的离子供给层(17)、设置在离子供给层(17)上的固体电解质层(16)、布置成对第1布线层(13)、离子供给层(17)和固体电解质层(16)进行覆盖，并具有导通孔的层间绝缘层(12)、通过层间绝缘层(12)的导通孔而布置成与固体电解质层(16)相接触的对置电极层(15)、以及布置成对对置电极层(15)进行覆盖状态的第2布线层(14)。能够提供利用离子供给层(17)和对置电极层(15)之间所加的阈值电压来任意设定导通状态和断开状态，是非挥发性，而且导通状态电阻小的开关元件。并且，因为本发明的开关元件结构简单，微细，所以，与现有的开关元件相比能够大幅度地提高微细化。若把本发明的开关元件使用于FPGA(30)的开关元件，则能够提供能够再编程式而且动作速度快的FPGA(30)。并且，若把本发明的开关元件使用于存储元件的存储媒体中，则能够提供写入和读出速度快的非挥发性存储元件(50)。
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公开(公告)号：CN1774626A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480010376.5
申请日：2004-03-15
Applicant: 日本电气株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01J49/0418 , B01L3/502746 , B01L3/502753 , B01L2200/0663 , B01L2200/10 , B01L2300/0681 , B01L2300/0816 , B01L2300/16 , B01L2400/086 , G01N1/22 , G01N30/84 , G01N2030/8452
Abstract: 当在形成于微芯片(353)的通道中将样本事先分离成多种成分之后，使用从激光振荡器(361)发射的激光束沿着分离方向对通道进行照射，以对在通道中分离的每一个小段顺序地进行电离。通过质谱单元(363)来检测被电离的小段，并且通过分析结果分析单元(371)来进行分析。分析结果存储在存储器(369)中，同时与驱动器控制单元(367)中的位置信息和激光控制单元(373)中的激光束照射条件信息相关联，并且通过成像单元(375)对分析结果进行成像。成像的分析结果显示在显示器(377)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101454920B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200780019848.7
申请日：2007-03-26
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L45/085 , G11C13/0009 , G11C13/02 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/12 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 公开了一种开关元件，该开关元件利用了电化学反应来操作，并包括：离子传导层(54)，能够传导金属离子；第一电极(49)，布置成与离子传导层接触；第二电极(58)，用于向离子传导层提供金属离子。该开关元件的特征在于包含比第二电极更易于被氧化的材料的吸氧层(55)形成为与第二电极接触。
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公开(公告)号：CN100448049C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN02818779.2
申请日：2002-09-24
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 独立行政法人理化学研究所 , 日本电气株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/16 , H01L45/1633
Abstract: 本发明涉及一种使用用于选择存储单元的晶体管和固体电解质的开关。存储单元中，在形成于半导体基片表面的场效应晶体管的漏扩散层上层叠金属。在金属上层叠金属为载流子的固体电解质。固体电解质与金属隔着空隙连接，金属连接至共同接地线，场效应晶体管的源极连接至列地址线，场效应晶体管的栅极连接至行地址线。
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公开(公告)号：CN100407440C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200480001389.6
申请日：2004-07-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/1633
Abstract: 一个开关元件，包括：用于传导使用于电化学反应中的金属离子的一个离子导体，在接触离子导体的同时彼此分开一个规定距离提供的第一电极和第二电极，和与离子导体接触提供的第三电极。当引起切换到接通状态的一个电压被施加到第三电极时，一个金属被第一电极与第二电极之间的金属离子沉淀，从而电连接第一和第二电极。当引起切换到关闭状态的一个电压被施加到第三电极时，沉淀的金属溶解，因此，从而电断开第一和第二电极。
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公开(公告)号：CN1720606A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200380104626.7
申请日：2003-12-01
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/76838 , B82Y10/00 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/53276 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 按比例缩小设计已经提出的问题在于，互连结构的电阻值增大和对电迁移和应力迁移的抵抗力减小。本发明提供一种高可靠性半导体器件的互连结构和制造该互连结构的方法，该半导体器件即使在按比例缩小设计的情况下仍具有低电阻值并且不产生电迁移或应力迁移。提供一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法，该半导体器件在形成于其上形成半导体器件元件的衬底上的绝缘膜上的互连沟槽或通孔中具有由金属和碳纳米管的混合物构成的互连或连接栓。
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公开(公告)号：CN1575198A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02821234.7
申请日：2002-10-28
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B01D67/0006 , B01D57/02 , B01D61/002 , B01D61/18 , B01D61/24 , B01D61/28 , B01D67/0034 , B01D67/0058 , B01D67/0065 , B01D67/0088 , B01D67/0093 , B01D69/02 , B01D71/02 , B01D71/025 , B01D71/027 , B01D2323/34 , B01D2325/36 , B01D2325/38 , B01L3/502753 , B01L3/502761 , B01L2200/0647 , B01L2200/10 , B01L2300/0681 , B01L2300/0861 , G01N1/4077 , G01N30/6069 , G01N30/6095 , G01N2001/383
Abstract: 本发明公开了一种分离装置，其中在两个由隔断分隔开的流通槽路之间布置多个分离流道，所述的分离流道只让具有预定的尺寸和较小尺寸的分子通过；和使用该装置的分离方法。根据该分离技术，具有小尺寸的物质，譬如细胞、核酸和蛋白质可以通过使用少量样品在短时间内以优越的分辨率分离，并且还可以解决堵塞等问题。
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