公开(公告)号：CN1965414A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018358.6

申请日：2005-04-05

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大桥启之 ,  石勉 ,  马场寿夫 ,  藤方润一 ,  牧田纪久夫

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明涉及一种肖特基光电二极管，其包括半导体层和配置为接触半导体层的导电膜。导电膜具有小孔和配置在所述小孔周围的周期性结构，用于借助膜表面的入射光通过导电膜的膜表面中受激发的表面等离子体激元产生共振状态。光电二极管探测由受激的表面等离子体激元在导电膜和半导体层之间界面处产生的近场光。小孔具有小于入射光波长的直径。

公开(公告)号：CN1965414B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200580018358.6

申请日：2005-04-05

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大桥启之 ,  石勉 ,  马场寿夫 ,  藤方润一 ,  牧田纪久夫

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明涉及一种肖特基光电二极管，其包括半导体层和配置为接触半导体层的导电膜。导电膜具有小孔和配置在所述小孔周围的周期性结构，用于借助膜表面的入射光通过导电膜的膜表面中受激发的表面等离子体激元产生共振状态。光电二极管探测由受激的表面等离子体激元在导电膜和半导体层之间界面处产生的近场光。小孔具有小于入射光波长的直径。

公开(公告)号：CN1720606A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200380104626.7

申请日：2003-12-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 阪本利司 ,  川浦久雄 ,  马场寿夫 ,  二瓶史行 ,  落合幸德 ,  本乡广生

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76838 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 按比例缩小设计已经提出的问题在于，互连结构的电阻值增大和对电迁移和应力迁移的抵抗力减小。本发明提供一种高可靠性半导体器件的互连结构和制造该互连结构的方法，该半导体器件即使在按比例缩小设计的情况下仍具有低电阻值并且不产生电迁移或应力迁移。提供一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法，该半导体器件在形成于其上形成半导体器件元件的衬底上的绝缘膜上的互连沟槽或通孔中具有由金属和碳纳米管的混合物构成的互连或连接栓。