-
公开(公告)号：CN113444931A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110703339.8
申请日：2021-06-24
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种中子探测器中构架用铝片及其制备工艺。一种中子探测器中构架用铝片的制备工艺，包括：(1)将高纯铝锭熔融后，一次精炼，得熔体1；(2)加入高纯镁锭，熔融后，得熔体2；(3)所述的熔体2进行二次精炼，得熔体3；(4)所述的熔体3进行在线精炼，得熔体4；(5)所述的熔体4进行双级板式过滤，得熔体5；(6)铸造，得扁锭；(7)铣面后，经过热轧、冷轧处理，得箔片；(8)将所述的箔片清洗后，得所述的中子探测器中构架用铝片。本发明采用高纯铝添加高纯镁锭配置高纯铝镁合金熔体，通过精炼、过滤除气除渣处理后铸造铝镁扁锭；再将铝镁扁锭经过冷轧、热轧、清洗后，获得纯度及强度满足中子探测器使用需求的箔片。
-
公开(公告)号：CN119615081A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411917270.9
申请日：2024-12-24
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本申请涉及靶材技术领域，提供了一种铝靶材的熔铸方法，包括：将铝原料熔融形成铝液后，依次对铝液进行精炼处理、第一过滤处理和铸造处理，制备得到铝靶材；其中，对进入铸造处理的铝液进行喂丝处理，铸造处理包括预稳态阶段和稳态阶段，预稳态阶段中铸造处理的参数发生变化，稳态阶段中铸造处理的参数不发生变化；当铸造处理处于预稳态阶段，喂丝处理包括向铝液加入第一铝丝，且对铸造处理中的铝液进行第一搅拌处理；当铸造处理处于稳态阶段，喂丝处理包括向铝液加入第二铝丝，且对铸造处理中的铝液进行第二搅拌处理；第一铝丝的直径小于第二铝丝的直径，第一搅拌处理的强度小于第二搅拌处理的强度。本申请实现了熔铸法对高纯铝靶材的晶粒细化。
-
公开(公告)号：CN116904941A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310836114.9
申请日：2023-07-10
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种旋转铝靶材及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供高纯铝铸锭；对所述高纯铝铸锭进行冷锻造处理，得到第一锻坯；对所述第一锻坯进行车削处理，得到第二锻坯；将所述第二锻坯在50℃～60℃温度下进行去应力退火处理1h～2h；对所述去应力退火后的第二锻坯进行穿孔挤压处理，得到第一铝管坯；其中，穿孔针的温度为350℃～450℃，挤压筒的温度为350℃～450℃，挤压速度为0.5m/s～1.5m/s；将所述第一铝管坯在280℃～320℃温度下进行再结晶退火处理3h～6h，得到旋转铝靶材。本发明的制备方法对原材料高纯铝铸锭的晶粒度要求较低，可以采用晶粒度较大的高纯铝铸锭制备得到内部无缺陷、组织致密、均匀性好、平均晶粒度＜100μm的旋转铝靶材，能够满足客户法使用需求，适于工业化批量生产。
-
公开(公告)号：CN116900265A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310855507.4
申请日：2023-07-13
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: B22D11/115 , B22D11/119 , C22C1/03 , C22C1/06 , C22C21/12 , C22C21/02 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种铝合金铸锭及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：提供铝合金铸锭的制备原料；对所述制备原料进行真空熔炼，得到合金液；及对所述合金液依次进行精炼、过滤处理和电磁铸造，得到所述铝合金铸锭；其中，所述电磁铸造的电磁频率为500Hz～1000Hz。采用本发明的方法制备的铝合金铸锭，组织均匀细小、平均晶粒度＜1mm且组织内部无缺陷。
-
公开(公告)号：CN115808079A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202111078862.2
申请日：2021-09-15
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: F27B14/04 , F27B14/06 , F27B14/08 , F27B14/10 , F27B14/14 , F27B14/20 , B22D35/04 , C22C1/02 , C22C1/03 , C22C1/06 , C22C21/00
Abstract: 本发明公开了一种真空炉用无落差暗流浇铸的方法及设备，属于高纯铝真空冶炼技术领域。该设备包括真空中频熔炼炉、石墨坩埚、出铝溜槽、旋转溜槽和固定溜槽；所述真空中频熔炼炉的筒状炉体内放置石墨坩埚，石墨坩埚的上端设有坩埚上沿，坩埚上沿上开设竖直方向贯通的缺口形成流液通道，流液通道依次连接出铝溜槽、真空挡板阀、旋转溜槽和固定溜槽；铝熔体浇注时，真空中频熔炼炉炉体倾转，石墨坩埚中的铝熔体经流液通道流出，再经浇注组件直至结晶器完成无落差落铸。本发明通过真空炉配套无落差出铝溜槽的结构设计及特定工艺能够控制熔炼及浇铸过程熔体的稳定状态，避免熔体落差及扰动等造成气渣卷入，最终实现低气低渣的高品质高纯铝产品制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113466322B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110671077.1
申请日：2021-06-17
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: G01N27/68 , G01N33/2028 , G01N33/205 , G01N1/44 , C22B21/00
Abstract: 本发明为一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法，所述的检测方法为：将固态的高纯铝成分检测后，放入坩埚中加热熔融，再每隔30min取样1次，检测高纯铝液的成分，最后根据所需分析元素，逐一计算其污染程度；其中，所述的坩埚采用接触材质制备而成；若接触材料无法制备成坩埚状，则将接触材料与高纯铝一起置于纯度99.9wt％以上纯度的刚玉坩埚进行加热熔融。本发明所述的一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法，通过材质在高温铝液内浸泡后对铝液的污染程度来实现材质的检测及评价。
-
公开(公告)号：CN113444931B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110703339.8
申请日：2021-06-24
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种中子探测器中构架用铝片及其制备工艺。一种中子探测器中构架用铝片的制备工艺，包括：(1)将高纯铝锭熔融后，一次精炼，得熔体1；(2)加入高纯镁锭，熔融后，得熔体2；(3)所述的熔体2进行二次精炼，得熔体3；(4)所述的熔体3进行在线精炼，得熔体4；(5)所述的熔体4进行双级板式过滤，得熔体5；(6)铸造，得扁锭；(7)铣面后，经过热轧、冷轧处理，得箔片；(8)将所述的箔片清洗后，得所述的中子探测器中构架用铝片。本发明采用高纯铝添加高纯镁锭配置高纯铝镁合金熔体，通过精炼、过滤除气除渣处理后铸造铝镁扁锭；再将铝镁扁锭经过冷轧、热轧、清洗后，获得纯度及强度满足中子探测器使用需求的箔片。
-
公开(公告)号：CN111719059B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010527438.0
申请日：2020-06-11
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，包括：S10配制中间合金：所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金；S20：将所述的中间合金与99.9995％纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融，完全熔融后，得合金液；所述的合金液中硅含量为0.9‑1.1wt％，铜含量为0.45‑0.55wt％；S30：将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼；S40：将经过在线精炼的合金液进行双极过滤；S50：将经过双级过滤的合金液进行φ120‑164mm棒材坯料铸造，得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，制备的溅射用高纯AL‑1wt％Si‑0.5wt％Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低，溅射成膜性能好，且成分均匀。
-
公开(公告)号：CN113466322A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110671077.1
申请日：2021-06-17
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: G01N27/68 , G01N33/2028 , G01N33/205 , G01N1/44 , C22B21/00
Abstract: 本发明为一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法，所述的检测方法为：将固态的高纯铝成分检测后，放入坩埚中加热熔融，再每隔30min取样1次，检测高纯铝液的成分，最后根据所需分析元素，逐一计算其污染程度；其中，所述的坩埚采用接触材质制备而成；若接触材料无法制备成坩埚状，则将接触材料与高纯铝一起置于纯度99.9wt％以上纯度的刚玉坩埚进行加热熔融。本发明所述的一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法，通过材质在高温铝液内浸泡后对铝液的污染程度来实现材质的检测及评价。
-
公开(公告)号：CN113174487A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110392864.2
申请日：2021-04-13
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种液晶面板用铝残靶的回收方法。一种液晶面板用铝残靶的回收方法，包括以下步骤：(1)从铝残靶中取小样，去除小样表面的焊剂粘附层；(2)测定步骤(1)处理后小样的焊剂粘附深度；(3)根据所述的小样测定得到的焊剂粘附深度，对铝残靶进行四面打磨；(4)对步骤(3)处理后的铝残靶进行碱洗；(5)对步骤(4)处理后的铝残靶进行清洗；(6)烘干。本发明采用辉光放电质朴仪激发的方式测定表面铟含量厚度，则可对应制定打磨工艺，确保残留焊剂的完全去除；打磨结合碱洗的处理工艺效率高，清洗效果更佳，可有效保障回配原料的纯净度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.023 seconds)
