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公开(公告)号：CN108754196B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811000424.2
申请日：2018-08-30
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明涉及合金母线加工技术领域，具体涉及一种键合用铝基合金母线的制备方法。主要技术方案为：一种键合用铝基合金母线的制备方法，包括如下步骤：配制混合原料；所述混合原料包括：铝原料、硅元素以及铁元素、铜元素、镍元素中的至少一种；熔炼混合原料；熔化后的混合液在预定温度保温预定时间；混合液中除铝以外的金属元素及杂质总含量低于200ppm；对混合液除气并过滤；将混合液进行棒材铸造；棒材进行均热化处理；棒材被挤压成键合用铝基合金母线。采用本发明能够提升键合用铝基合金母线的抗拉强度，并使其具有较高的延伸率。
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公开(公告)号：CN111024697A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911308913.9
申请日：2019-12-18
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种6061铝合金金相试样的制备方法。一种6061铝合金金相试样的制备方法，包括：S10：对6061铝合金板锭进行取样后，先粗磨，后将样品按如下顺序进行细磨：600#砂纸→1000#砂纸→1500#砂纸→2000#砂纸；S20：将细磨后的样品进行抛光处理，电源正极连接细磨后的样品，负极连接阴极材料，电压设定为15-20V,抛光2-3min；S30：判断抛光是否成功；S40阳极覆膜：将成功抛光后的样品放入阳极覆膜液中进行阳极覆膜，电压为15-20V,电流逐渐稳定于特定值1-2A，覆膜3-5min,再取出用蒸馏水冲洗后，吹干，得6061铝合金金相试样。本发明所述的一种6061铝合金金相试样的制备方法，能够高效的腐蚀出6061铝合金金相组织，且组织显示清晰，晶粒完整，为铝合金进行组织观察及晶粒度统计提供极大便利。
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公开(公告)号：CN108754196A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201811000424.2
申请日：2018-08-30
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明涉及合金母线加工技术领域，具体涉及一种键合用铝基合金母线的制备方法。主要技术方案为：一种键合用铝基合金母线的制备方法，包括如下步骤：配制混合原料；所述混合原料包括：铝原料、硅元素以及铁元素、铜元素、镍元素中的至少一种；熔炼混合原料；熔化后的混合液在预定温度保温预定时间；混合液中除铝以外的金属元素及杂质总含量低于200ppm；对混合液除气并过滤；将混合液进行棒材铸造；棒材进行均热化处理；棒材被挤压成键合用铝基合金母线。采用本发明能够提升键合用铝基合金母线的抗拉强度，并使其具有较高的延伸率。
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公开(公告)号：CN111719059B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010527438.0
申请日：2020-06-11
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，包括：S10配制中间合金：所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金；S20：将所述的中间合金与99.9995％纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融，完全熔融后，得合金液；所述的合金液中硅含量为0.9‑1.1wt％，铜含量为0.45‑0.55wt％；S30：将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼；S40：将经过在线精炼的合金液进行双极过滤；S50：将经过双级过滤的合金液进行φ120‑164mm棒材坯料铸造，得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，制备的溅射用高纯AL‑1wt％Si‑0.5wt％Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低，溅射成膜性能好，且成分均匀。
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公开(公告)号：CN111719059A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010527438.0
申请日：2020-06-11
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，包括：S10配制中间合金：所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金；S20：将所述的中间合金与99.9995％纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融，完全熔融后，得合金液；所述的合金液中硅含量为0.9-1.1wt％，铜含量为0.45-0.55wt％；S30：将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼；S40：将经过在线精炼的合金液进行双极过滤；S50：将经过双级过滤的合金液进行φ120-164mm棒材坯料铸造，得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，制备的溅射用高纯AL-1wt％Si-0.5wt％Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低，溅射成膜性能好，且成分均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115808079A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202111078862.2
申请日：2021-09-15
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: F27B14/04 , F27B14/06 , F27B14/08 , F27B14/10 , F27B14/14 , F27B14/20 , B22D35/04 , C22C1/02 , C22C1/03 , C22C1/06 , C22C21/00
Abstract: 本发明公开了一种真空炉用无落差暗流浇铸的方法及设备，属于高纯铝真空冶炼技术领域。该设备包括真空中频熔炼炉、石墨坩埚、出铝溜槽、旋转溜槽和固定溜槽；所述真空中频熔炼炉的筒状炉体内放置石墨坩埚，石墨坩埚的上端设有坩埚上沿，坩埚上沿上开设竖直方向贯通的缺口形成流液通道，流液通道依次连接出铝溜槽、真空挡板阀、旋转溜槽和固定溜槽；铝熔体浇注时，真空中频熔炼炉炉体倾转，石墨坩埚中的铝熔体经流液通道流出，再经浇注组件直至结晶器完成无落差落铸。本发明通过真空炉配套无落差出铝溜槽的结构设计及特定工艺能够控制熔炼及浇铸过程熔体的稳定状态，避免熔体落差及扰动等造成气渣卷入，最终实现低气低渣的高品质高纯铝产品制备。
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公开(公告)号：CN110592406A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910956260.9
申请日：2019-10-10
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法，包括：S10：将99.999-99.9995％纯度的高纯铝与99.999％以上纯度的高纯铜进行真空熔融，得中间合金液：S20：将99.9995wt％以上纯度的高纯铝锭与所述的中间合金液进行熔炼，熔炼温度在720-800℃，完全熔融后，控制合金液温度到达730±5℃，静置保温15min；S30：进行炉内精炼；S40：进行在线精炼；S50：进行双极过滤；S60：进行φ120-164mm棒材坯料铸造，得所述的溅射用高纯铝铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法，该方法该使用超高纯铝原料及高纯铝铜中间合金，通过半连续铸造，制备出杂质元素含量低、组织均匀的高纯铝铜合金棒材。
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公开(公告)号：CN109628897A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811484894.0
申请日：2018-12-06
Applicant: 新疆众和股份有限公司
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C1/026 , C22C1/03 , C22C21/02
Abstract: 本发明为一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法。一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料的制备方法，包括：(1)将超纯铝与高纯硅真空熔融，配置成硅含量为7‑13wt％的中间合金熔体；(2)将中间合金熔体铸造成中间合金；(3)将超纯铝与中间合金真空熔融，配置成硅含量为0.9‑1.1wt％的高纯铝硅合金熔体；(4)将高纯铝硅合金熔体在线精炼，得精炼后的高纯铝硅合金熔体；(5)将精炼后的高纯铝硅合金熔体在线过滤，得铝液；(6)将铝液进行棒材坯料铸造，得所述的高纯铝硅合金溅射靶材坯料。本发明所述的一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法，采用真空熔炼炉自配高纯铝硅中间合金后配制AL‑1wt％Si合金，通过铸造参数控制制备高纯净度、成分均匀且表面质量优异的铝硅合金靶材坯料。
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公开(公告)号：CN221109873U
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202322879282.4
申请日：2023-10-26
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: B22D35/00
Abstract: 本实用新型涉及一种不污染金属液的流槽挡板，包括挡板本体、密封石墨绳和安装座，其中挡板本体外边缘设有密封凹槽，并且所述密封凹槽包括设于所述挡板本体上侧的上端槽，所述安装座与所述挡板本体上端固连，并且所述安装座两侧均设有密封压紧螺栓，所述密封凹槽除所述上端槽外的其余部分均充满密封石墨绳，并且所述密封石墨绳上侧的自由端部折弯进入所述上端槽中并通过对应侧的密封压紧螺栓压紧固定，所述挡板本体两侧均设有氧化铝纤维布。本实用新型能够保证密封石墨绳固定牢靠，并且使用过程中完全不会产生耐火材料和玻璃纤维等杂质残渣，也不会污染铝熔体，有效提升了铸坯成品质量。
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公开(公告)号：CN216159617U
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202122229713.3
申请日：2021-09-15
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: F27B14/04 , F27B14/06 , F27B14/08 , F27B14/10 , F27B14/14 , F27B14/20 , B22D35/04 , C22C1/02 , C22C1/03 , C22C1/06 , C22C21/00
Abstract: 本实用新型公开了一种真空炉用无落差暗流浇铸的设备，属于高纯铝真空冶炼技术领域。该设备包括真空中频熔炼炉、石墨坩埚、出铝溜槽、旋转溜槽和固定溜槽；所述真空中频熔炼炉的筒状炉体内放置石墨坩埚，石墨坩埚的上端设有坩埚上沿，坩埚上沿上开设竖直方向贯通的缺口形成流液通道，流液通道依次连接出铝溜槽、真空挡板阀、旋转溜槽和固定溜槽；铝熔体浇注时，真空中频熔炼炉炉体倾转，石墨坩埚中的铝熔体经流液通道流出，再经浇注组件直至结晶器完成无落差落铸。本实用新型通过真空炉配套无落差出铝溜槽的结构设计能够控制熔炼及浇铸过程熔体的稳定状态，避免熔体落差及扰动等造成气渣卷入，最终实现低气低渣的高品质高纯铝产品制备。
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