一种键合用铝基合金母线的制备方法

    公开(公告)号:CN108754196B

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN201811000424.2

    申请日:2018-08-30

    Abstract: 本发明涉及合金母线加工技术领域,具体涉及一种键合用铝基合金母线的制备方法。主要技术方案为:一种键合用铝基合金母线的制备方法,包括如下步骤:配制混合原料;所述混合原料包括:铝原料、硅元素以及铁元素、铜元素、镍元素中的至少一种;熔炼混合原料;熔化后的混合液在预定温度保温预定时间;混合液中除铝以外的金属元素及杂质总含量低于200ppm;对混合液除气并过滤;将混合液进行棒材铸造;棒材进行均热化处理;棒材被挤压成键合用铝基合金母线。采用本发明能够提升键合用铝基合金母线的抗拉强度,并使其具有较高的延伸率。

    一种6061铝合金金相试样的制备方法

    公开(公告)号:CN111024697A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911308913.9

    申请日:2019-12-18

    Abstract: 本发明为一种6061铝合金金相试样的制备方法。一种6061铝合金金相试样的制备方法,包括:S10:对6061铝合金板锭进行取样后,先粗磨,后将样品按如下顺序进行细磨:600#砂纸→1000#砂纸→1500#砂纸→2000#砂纸;S20:将细磨后的样品进行抛光处理,电源正极连接细磨后的样品,负极连接阴极材料,电压设定为15-20V,抛光2-3min;S30:判断抛光是否成功;S40阳极覆膜:将成功抛光后的样品放入阳极覆膜液中进行阳极覆膜,电压为15-20V,电流逐渐稳定于特定值1-2A,覆膜3-5min,再取出用蒸馏水冲洗后,吹干,得6061铝合金金相试样。本发明所述的一种6061铝合金金相试样的制备方法,能够高效的腐蚀出6061铝合金金相组织,且组织显示清晰,晶粒完整,为铝合金进行组织观察及晶粒度统计提供极大便利。

    一种键合用铝基合金母线的制备方法

    公开(公告)号:CN108754196A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201811000424.2

    申请日:2018-08-30

    Abstract: 本发明涉及合金母线加工技术领域,具体涉及一种键合用铝基合金母线的制备方法。主要技术方案为:一种键合用铝基合金母线的制备方法,包括如下步骤:配制混合原料;所述混合原料包括:铝原料、硅元素以及铁元素、铜元素、镍元素中的至少一种;熔炼混合原料;熔化后的混合液在预定温度保温预定时间;混合液中除铝以外的金属元素及杂质总含量低于200ppm;对混合液除气并过滤;将混合液进行棒材铸造;棒材进行均热化处理;棒材被挤压成键合用铝基合金母线。采用本发明能够提升键合用铝基合金母线的抗拉强度,并使其具有较高的延伸率。

    一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法

    公开(公告)号:CN110592406A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910956260.9

    申请日:2019-10-10

    Abstract: 本发明为一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法,包括:S10:将99.999-99.9995%纯度的高纯铝与99.999%以上纯度的高纯铜进行真空熔融,得中间合金液:S20:将99.9995wt%以上纯度的高纯铝锭与所述的中间合金液进行熔炼,熔炼温度在720-800℃,完全熔融后,控制合金液温度到达730±5℃,静置保温15min;S30:进行炉内精炼;S40:进行在线精炼;S50:进行双极过滤;S60:进行φ120-164mm棒材坯料铸造,得所述的溅射用高纯铝铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法,该方法该使用超高纯铝原料及高纯铝铜中间合金,通过半连续铸造,制备出杂质元素含量低、组织均匀的高纯铝铜合金棒材。

    一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109628897A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201811484894.0

    申请日:2018-12-06

    CPC classification number: C23C14/3414 C22C1/026 C22C1/03 C22C21/02

    Abstract: 本发明为一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法。一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料的制备方法,包括:(1)将超纯铝与高纯硅真空熔融,配置成硅含量为7‑13wt%的中间合金熔体;(2)将中间合金熔体铸造成中间合金;(3)将超纯铝与中间合金真空熔融,配置成硅含量为0.9‑1.1wt%的高纯铝硅合金熔体;(4)将高纯铝硅合金熔体在线精炼,得精炼后的高纯铝硅合金熔体;(5)将精炼后的高纯铝硅合金熔体在线过滤,得铝液;(6)将铝液进行棒材坯料铸造,得所述的高纯铝硅合金溅射靶材坯料。本发明所述的一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法,采用真空熔炼炉自配高纯铝硅中间合金后配制AL‑1wt%Si合金,通过铸造参数控制制备高纯净度、成分均匀且表面质量优异的铝硅合金靶材坯料。

    一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法

    公开(公告)号:CN111719059B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202010527438.0

    申请日:2020-06-11

    Abstract: 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,包括:S10配制中间合金:所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金;S20:将所述的中间合金与99.9995%纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融,完全熔融后,得合金液;所述的合金液中硅含量为0.9‑1.1wt%,铜含量为0.45‑0.55wt%;S30:将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼;S40:将经过在线精炼的合金液进行双极过滤;S50:将经过双级过滤的合金液进行φ120‑164mm棒材坯料铸造,得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,制备的溅射用高纯AL‑1wt%Si‑0.5wt%Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低,溅射成膜性能好,且成分均匀。

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