一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法

    公开(公告)号:CN111719059B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202010527438.0

    申请日:2020-06-11

    Abstract: 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,包括:S10配制中间合金:所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金;S20:将所述的中间合金与99.9995%纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融,完全熔融后,得合金液;所述的合金液中硅含量为0.9‑1.1wt%,铜含量为0.45‑0.55wt%;S30:将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼;S40:将经过在线精炼的合金液进行双极过滤;S50:将经过双级过滤的合金液进行φ120‑164mm棒材坯料铸造,得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,制备的溅射用高纯AL‑1wt%Si‑0.5wt%Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低,溅射成膜性能好,且成分均匀。

    一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法

    公开(公告)号:CN111719059A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010527438.0

    申请日:2020-06-11

    Abstract: 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,包括:S10配制中间合金:所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金;S20:将所述的中间合金与99.9995%纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融,完全熔融后,得合金液;所述的合金液中硅含量为0.9-1.1wt%,铜含量为0.45-0.55wt%;S30:将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼;S40:将经过在线精炼的合金液进行双极过滤;S50:将经过双级过滤的合金液进行φ120-164mm棒材坯料铸造,得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,制备的溅射用高纯AL-1wt%Si-0.5wt%Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低,溅射成膜性能好,且成分均匀。

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