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公开(公告)号:CN113466322B
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202110671077.1
申请日:2021-06-17
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: G01N27/68 , G01N33/2028 , G01N33/205 , G01N1/44 , C22B21/00
Abstract: 本发明为一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法,所述的检测方法为:将固态的高纯铝成分检测后,放入坩埚中加热熔融,再每隔30min取样1次,检测高纯铝液的成分,最后根据所需分析元素,逐一计算其污染程度;其中,所述的坩埚采用接触材质制备而成;若接触材料无法制备成坩埚状,则将接触材料与高纯铝一起置于纯度99.9wt%以上纯度的刚玉坩埚进行加热熔融。本发明所述的一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法,通过材质在高温铝液内浸泡后对铝液的污染程度来实现材质的检测及评价。
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公开(公告)号:CN113444931B
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202110703339.8
申请日:2021-06-24
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种中子探测器中构架用铝片及其制备工艺。一种中子探测器中构架用铝片的制备工艺,包括:(1)将高纯铝锭熔融后,一次精炼,得熔体1;(2)加入高纯镁锭,熔融后,得熔体2;(3)所述的熔体2进行二次精炼,得熔体3;(4)所述的熔体3进行在线精炼,得熔体4;(5)所述的熔体4进行双级板式过滤,得熔体5;(6)铸造,得扁锭;(7)铣面后,经过热轧、冷轧处理,得箔片;(8)将所述的箔片清洗后,得所述的中子探测器中构架用铝片。本发明采用高纯铝添加高纯镁锭配置高纯铝镁合金熔体,通过精炼、过滤除气除渣处理后铸造铝镁扁锭;再将铝镁扁锭经过冷轧、热轧、清洗后,获得纯度及强度满足中子探测器使用需求的箔片。
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公开(公告)号:CN113444931A
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN202110703339.8
申请日:2021-06-24
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种中子探测器中构架用铝片及其制备工艺。一种中子探测器中构架用铝片的制备工艺,包括:(1)将高纯铝锭熔融后,一次精炼,得熔体1;(2)加入高纯镁锭,熔融后,得熔体2;(3)所述的熔体2进行二次精炼,得熔体3;(4)所述的熔体3进行在线精炼,得熔体4;(5)所述的熔体4进行双级板式过滤,得熔体5;(6)铸造,得扁锭;(7)铣面后,经过热轧、冷轧处理,得箔片;(8)将所述的箔片清洗后,得所述的中子探测器中构架用铝片。本发明采用高纯铝添加高纯镁锭配置高纯铝镁合金熔体,通过精炼、过滤除气除渣处理后铸造铝镁扁锭;再将铝镁扁锭经过冷轧、热轧、清洗后,获得纯度及强度满足中子探测器使用需求的箔片。
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公开(公告)号:CN116770084A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202210219005.8
申请日:2022-03-08
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种偏析铝锭的下料装置及方法,属于金属提纯技术领域。该下料装置包括偏析炉、冷却室、烘烤炉、下料机构、偏析转子以及桁架机械手;其中:桁架机械手控制偏析转子伸入偏析炉炉体内制备偏析铝锭;偏析铝锭移入冷却室内进行均匀冷却处理,然后移入烘烤炉进行烘烤,最后采用下料机构使偏析铝锭与偏析转子分离。本发明所提出的装置及方法,有效解决偏析锭与偏析转子难以分离的问题,显著提高生产效率,延长偏析轴套使用寿命,降低耗材成本,同时实现偏析铝锭的连续下料,提高偏析下料的自动化作业水平。
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公开(公告)号:CN111719059B
公开(公告)日:2021-12-28
申请号:CN202010527438.0
申请日:2020-06-11
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,包括:S10配制中间合金:所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金;S20:将所述的中间合金与99.9995%纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融,完全熔融后,得合金液;所述的合金液中硅含量为0.9‑1.1wt%,铜含量为0.45‑0.55wt%;S30:将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼;S40:将经过在线精炼的合金液进行双极过滤;S50:将经过双级过滤的合金液进行φ120‑164mm棒材坯料铸造,得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,制备的溅射用高纯AL‑1wt%Si‑0.5wt%Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低,溅射成膜性能好,且成分均匀。
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公开(公告)号:CN113466322A
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202110671077.1
申请日:2021-06-17
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: G01N27/68 , G01N33/2028 , G01N33/205 , G01N1/44 , C22B21/00
Abstract: 本发明为一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法,所述的检测方法为:将固态的高纯铝成分检测后,放入坩埚中加热熔融,再每隔30min取样1次,检测高纯铝液的成分,最后根据所需分析元素,逐一计算其污染程度;其中,所述的坩埚采用接触材质制备而成;若接触材料无法制备成坩埚状,则将接触材料与高纯铝一起置于纯度99.9wt%以上纯度的刚玉坩埚进行加热熔融。本发明所述的一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法,通过材质在高温铝液内浸泡后对铝液的污染程度来实现材质的检测及评价。
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公开(公告)号:CN113174487A
公开(公告)日:2021-07-27
申请号:CN202110392864.2
申请日:2021-04-13
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种液晶面板用铝残靶的回收方法。一种液晶面板用铝残靶的回收方法,包括以下步骤:(1)从铝残靶中取小样,去除小样表面的焊剂粘附层;(2)测定步骤(1)处理后小样的焊剂粘附深度;(3)根据所述的小样测定得到的焊剂粘附深度,对铝残靶进行四面打磨;(4)对步骤(3)处理后的铝残靶进行碱洗;(5)对步骤(4)处理后的铝残靶进行清洗;(6)烘干。本发明采用辉光放电质朴仪激发的方式测定表面铟含量厚度,则可对应制定打磨工艺,确保残留焊剂的完全去除;打磨结合碱洗的处理工艺效率高,清洗效果更佳,可有效保障回配原料的纯净度。
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公开(公告)号:CN111719059A
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN202010527438.0
申请日:2020-06-11
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,包括:S10配制中间合金:所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金;S20:将所述的中间合金与99.9995%纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融,完全熔融后,得合金液;所述的合金液中硅含量为0.9-1.1wt%,铜含量为0.45-0.55wt%;S30:将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼;S40:将经过在线精炼的合金液进行双极过滤;S50:将经过双级过滤的合金液进行φ120-164mm棒材坯料铸造,得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,制备的溅射用高纯AL-1wt%Si-0.5wt%Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低,溅射成膜性能好,且成分均匀。
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公开(公告)号:CN219169545U
公开(公告)日:2023-06-13
申请号:CN202223445642.1
申请日:2022-12-22
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种铝合金铸造模具的预热装置,包括外壳,且所述外壳设于铸造模具上侧,所述外壳上侧设有上盖、下侧设有底板组件,所述铸造模具上设有多个依次连通的铸孔腔,所述底板组件设有多个铸孔腔加热孔,所述外壳内部设有多个加热元件,且所述加热元件与铸孔腔加热孔一一对应,所述铸孔腔加热孔与铸孔腔一一对应,所述外壳内部设有导电铜排,且各个加热元件上端均与所述导电铜排连接,所述上盖上设有热电偶,且所述热电偶与一个智能温控表连接。本实用新型能够用于铸造模具的在线预热,并且加热温度和加热均匀性均满足工艺要求。
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公开(公告)号:CN217628563U
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202220485699.5
申请日:2022-03-08
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种偏析铝锭的下料装置,属于金属提纯装置技术领域。该下料装置包括偏析炉、冷却室、烘烤炉、下料机构、偏析转子以及桁架机械手;其中:桁架机械手控制偏析转子伸入偏析炉炉体内制备偏析铝锭;偏析铝锭移入冷却室内进行均匀冷却处理,然后移入烘烤炉进行烘烤,最后采用下料机构使偏析铝锭与偏析转子分离。本实用新型所提出的装置及方法,有效解决偏析锭与偏析转子难以分离的问题,显著提高生产效率,延长偏析轴套使用寿命,降低耗材成本,同时实现偏析铝锭的连续下料,提高偏析下料的自动化作业水平。
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