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公开(公告)号：CN100508174C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200610065564.9
申请日：2006-03-22
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/50
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 采用本发明半导体器件引线框架的半导体器件具有将在其上安装半导体芯片的平台部分、连接到该平台部分的内部引线部分、和连接到该内部引线部分的外部引线部分。该引线框架包括：镍(Ni)层(1)，钯(Pd)或钯合金层(2)，锡(Sn)或锡合金层或者锌(Zn)或锌合金层(3)、(3a)或(3b)，以及金(Au)层(4)、(4a)或(4b)，从构成引线框架的基板材料表面开始在该基板材料上顺序形成全部各层。
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公开(公告)号：CN104152959A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410199014.0
申请日：2014-05-09
Applicant: 新光电气工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 一种在工件上形成镀膜的镀膜制造方法，所述工件具有一个主面和另一个主面，该另一个主面位于所述一个主面的相反侧，其中：在所述工件和与所述工件的所述一个主面对向配置的电极之间连接极性反转电源；在所述工件和与所述工件的所述另一个主面对向配置的电极之间连接直流电源；及同时进行所述工件的所述一个主面和所述另一个主面的电镀处理。
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公开(公告)号：CN1577825A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410050043.7
申请日：2004-06-29
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/50 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L24/48 , H01L2224/48247 , H01L2224/85464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2224/45099
Abstract: 一种引线框架，用于半导体器件，至少具有内部引线部分和外部引线部分，引线框架包括：引线框架的基础材料，由铜或铜合金构成；Pd或Pd合金电镀层，通过下层电镀层形成于所有表面或至少内部或外部引线部分上；以及下层电镀层由代替Ni电镀层的非铁磁金属构成。优选使用Ag、Sn、Au和Zn电镀层作为非铁磁金属。此外，优选使用Sn－Ag和Sn－Zn合金电镀层作为非铁磁金属。
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公开(公告)号：CN102738109A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210098663.2
申请日：2012-03-27
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L23/3107 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4826 , H01L2224/48644 , H01L2224/48744 , H01L2224/48844 , H01L2224/49109 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83444 , H01L2224/8385 , H01L2224/85444 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01026 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 一种用于树脂密封型半导体装置的引线框架，其中所述半导体装置包括具有电极的半导体元件、连接至所述半导体元件之电极的接合线、及覆盖并且密封所述半导体元件和所述接合线的密封树脂。所述引线框架包括基底框架、四层电镀、及三层电镀。所述基底框架包括引线、由所述密封树脂所密封并且连接至所述接合线的连接区域、及未被所述密封树脂所密封的暴露区域。四层电镀施加至所述基底框架的连接至所述接合线并且由所述密封树脂密封的一部分。三层电镀施加至所述基底框架的从所述密封树脂暴露的暴露区域。
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公开(公告)号：CN100592501C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200410033875.8
申请日：2004-04-15
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/28 , H01L23/495 , H01L23/00
CPC classification number: H01L23/49586 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01084 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K3/202 , H05K3/385 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 安装半导体元件的导体衬底，所述导体衬底的至少安装所述半导体元件的部分被绝缘树脂密封，其中所述导体衬底的最上表面层包括铜或其合金，并利用通过所述导体衬底的表面处理形成的含有氢氧化物的铜氧化物层覆盖部分或整个所述导体衬底，以及生产所述导体衬底的方法和生产使用所述导体衬底的半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104152959B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201410199014.0
申请日：2014-05-09
Applicant: 新光电气工业株式会社
Abstract: 一种在工件上形成镀膜的镀膜制造方法，所述工件具有一个主面和另一个主面，该另一个主面位于所述一个主面的相反侧，其中：在所述工件和与所述工件的所述一个主面对向配置的电极之间连接极性反转电源；在所述工件和与所述工件的所述另一个主面对向配置的电极之间连接直流电源；及同时进行所述工件的所述一个主面和所述另一个主面的电镀处理。
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公开(公告)号：CN102738109B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210098663.2
申请日：2012-03-27
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L23/3107 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4826 , H01L2224/48644 , H01L2224/48744 , H01L2224/48844 , H01L2224/49109 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83444 , H01L2224/8385 , H01L2224/85444 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01026 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 一种用于树脂密封型半导体装置的引线框架，其中所述半导体装置包括具有电极的半导体元件、连接至所述半导体元件之电极的接合线、及覆盖并且密封所述半导体元件和所述接合线的密封树脂。所述引线框架包括基底框架、四层电镀、及三层电镀。所述基底框架包括引线、由所述密封树脂所密封并且连接至所述接合线的连接区域、及未被所述密封树脂所密封的暴露区域。四层电镀施加至所述基底框架的连接至所述接合线并且由所述密封树脂密封的一部分。三层电镀施加至所述基底框架的从所述密封树脂暴露的暴露区域。
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公开(公告)号：CN1957113A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016841.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 新光电气工业株式会社
CPC classification number: C25D5/10 , C25D5/16 , H01L23/49582 , H01L24/48 , H01L2224/48247 , H01L2224/85464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 在半导体封装的外部镀敷结构中，采用Pd或Pd合金膜作为材料代替作为焊接金属的常规焊料镀敷。提供了高度可靠的半导体元件外部镀敷结构，而不引起例如由须等导致的端子之间的短路的问题。在该外部镀敷结构中，在使用铜或铜合金材料的所述半导体元件的所述外部连接端子(10，12)的表面上，使用Pd或Pd合金(26)，代替作为焊接金属的常规焊料镀敷。在形成具有小于等于0.3μm厚度的镀敷膜的情况下，在所述材料与所述镀敷的Pd或Pd合金层之间进行镀敷，而在它们之间不具有基层或中间金属层。在所述镀敷膜上，根据情况，进一步形成具有小于等于0.1μm厚度的Au或Au合金镀敷(28)。
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公开(公告)号：CN1838407A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610065564.9
申请日：2006-03-22
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/50
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 采用本发明半导体器件引线框架的半导体器件具有将在其上安装半导体芯片的平台部分、连接到该平台部分的内部引线部分、和连接到该内部引线部分的外部引线部分。该引线框架包括：镍(Ni)层(1)，钯(Pd)或钯合金层(2)，锡(Sn)或锡合金层或者锌(Zn)或锌合金层(3)、(3a)或(3b)，以及金(Au)层(4)、(4a)或(4b)，从构成引线框架的基板材料表面开始在该基板材料上顺序形成全部各层。
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公开(公告)号：CN1538518A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410033875.8
申请日：2004-04-15
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/28 , H01L23/495 , H01L23/00
CPC classification number: H01L23/49586 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01084 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K3/202 , H05K3/385 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 安装半导体元件的导体衬底，所述导体衬底的至少安装所述半导体元件的部分被绝缘树脂密封，其中所述导体衬底的最上表面层包括铜或其合金，并利用通过所述导体衬底的表面处理形成的含有氢氧化物的铜氧化物层覆盖部分或整个所述导体衬底，以及生产所述导体衬底的方法和生产使用所述导体衬底的半导体器件的方法。
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