公开(公告)号：CN100508174C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200610065564.9

申请日：2006-03-22

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  佐藤晴信 ,  吴宗昭

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 采用本发明半导体器件引线框架的半导体器件具有将在其上安装半导体芯片的平台部分、连接到该平台部分的内部引线部分、和连接到该内部引线部分的外部引线部分。该引线框架包括：镍(Ni)层(1)，钯(Pd)或钯合金层(2)，锡(Sn)或锡合金层或者锌(Zn)或锌合金层(3)、(3a)或(3b)，以及金(Au)层(4)、(4a)或(4b)，从构成引线框架的基板材料表面开始在该基板材料上顺序形成全部各层。

公开(公告)号：CN1574300A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410042368.0

申请日：2004-05-20

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吉江崇 ,  佐藤晴信 ,  宫原义仁

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/04 ,  H01L23/34 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49582 ,  C25D5/02 ,  C25D5/12 ,  C25D7/12 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 用于构成安装半导体元件的封装的封装组件，以及采用上述封装组件的半导体封装。封装组件在其表面的至少一部分上具有覆盖表面，上述覆盖表面用绝缘树脂密封，或将胶粘剂层加于上述覆盖表面上，及封装组件包括导体基板和部分或全部覆盖其表面的导电层，而上述导电层包括粗糙表面镀层，上述粗糙表面镀层在覆盖表面上具有变粗糙的表面外形。封装组件包括例如引线架和热辐射板或散热板。

公开(公告)号：CN1306676A

公开(公告)日：2001-08-01

申请号：CN00800926.0

申请日：2000-03-24

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吉江崇 ,  佐藤晴信

IPC: H01L23/50

Abstract: 一种在树脂密封式半导体装置中使用的由铜或铜合金构成的半导体装置用引线框架,具备:由铜或铜合金构成的引线框架本体;在该引线框架本体上边形成,用由锌或铜-锌合金构成的下层和由厚度0.02～0.4的铜构成的上层构成的2层的基底电镀皮膜;和在由该基底电镀皮膜的该铜构成的上层的至少内部引线的金属丝键合部分上边形成的贵金属电镀皮膜。该引线框架与密封树脂之间的贴紧性优良,也没有贵金属电镀液(特别是银电镀液)的污染、贵金属电镀皮膜的外观也好、耐蚀性和耐湿性都优良、外装镀锡皮膜的外观和贴紧性也好。

公开(公告)号：CN1953168B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200610135629.2

申请日：2006-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  新光电气工业株式会社

Inventor： 老田成志 ,  中野高宏 ,  宫原义仁 ,  吉江崇 ,  佐藤晴信 ,  门崎幸一 ,  关和光

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3426 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种引线框架，即便是外部引线间距小也能够确实进行与无铅焊锡熔合的电镀层。具体的为在引线框架材料(9)上实施了四层电镀层。这些电镀层从最下层起为：基层电镀层(镍)(10)/钯电镀层(11)/银电镀层(12)/金电镀层(13)。

公开(公告)号：CN1953168A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610135629.2

申请日：2006-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  新光电气工业株式会社

Inventor： 老田成志 ,  中野高宏 ,  宫原义人 ,  吉江崇 ,  佐藤晴信 ,  门崎幸一 ,  关和光

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3426 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种引线框架，即便是外部引线间距小也能够确实进行与无铅焊锡熔合的电镀层。具体的为在引线框架材料(9)上实施了四层电镀层。这些电镀层从最下层起为：基层电镀层(镍)(10)/钯电镀层(11)/银电镀层(12)/金电镀层(13)。

公开(公告)号：CN1577825A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410050043.7

申请日：2004-06-29

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吴宗昭

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种引线框架，用于半导体器件，至少具有内部引线部分和外部引线部分，引线框架包括：引线框架的基础材料，由铜或铜合金构成；Pd或Pd合金电镀层，通过下层电镀层形成于所有表面或至少内部或外部引线部分上；以及下层电镀层由代替Ni电镀层的非铁磁金属构成。优选使用Ag、Sn、Au和Zn电镀层作为非铁磁金属。此外，优选使用Sn－Ag和Sn－Zn合金电镀层作为非铁磁金属。

公开(公告)号：CN100592501C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200410033875.8

申请日：2004-04-15

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  宫原义仁 ,  吴宗昭

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/495 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/49586 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/202 ,  H05K3/385 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 安装半导体元件的导体衬底，所述导体衬底的至少安装所述半导体元件的部分被绝缘树脂密封，其中所述导体衬底的最上表面层包括铜或其合金，并利用通过所述导体衬底的表面处理形成的含有氢氧化物的铜氧化物层覆盖部分或整个所述导体衬底，以及生产所述导体衬底的方法和生产使用所述导体衬底的半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN100433300C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200410042368.0

申请日：2004-05-20

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吉江崇 ,  佐藤晴信 ,  宫原义仁

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/04 ,  H01L23/34 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49582 ,  C25D5/02 ,  C25D5/12 ,  C25D7/12 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 用于构成安装半导体元件的封装的封装组件，以及采用上述封装组件的半导体封装。封装组件在其表面的至少一部分上具有覆盖表面，上述覆盖表面用绝缘树脂密封，或将胶粘剂层加于上述覆盖表面上，及封装组件包括导体基板和部分或全部覆盖其表面的导电层，而上述导电层包括粗糙表面镀层，上述粗糙表面镀层在覆盖表面上具有变粗糙的表面外形。封装组件包括例如引线架和热辐射板或散热板。

公开(公告)号：CN100483707C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200580000327.8

申请日：2005-04-19

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吉江崇 ,  门崎幸一

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种用于半导体器件的Pd-PPF结构的引线框架，包括内引线和外引线，其中构成所述引线框架的衬底的整个表面或至少所述外引线具有复合镀层，所述复合镀层包括由在构成所述引线框架的所述衬底的所述整个表面上或在至少所述外引线上沉积的基于Ni的镀层构成的下层，在所述下层的上表面上沉积的厚度为0.005至0.01μm的Pd或Pd合金镀层，以及在所述Pd或Pd合金镀层的上表面上沉积的厚度为0.02至0.1μm的Au镀层。当通过利用无铅的基于Sn-Zn焊料或任何其它无铅焊料在封装衬底上安装半导体器件时，改善了所述引线框架与所述无铅的基于Sn-Zn的焊料或任何其它无铅焊料之间的润湿性，从而改善了所述半导体器件的封装特性。

公开(公告)号：CN1957113A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580016841.0

申请日：2005-05-16

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吉江崇 ,  吴宗昭

IPC: C25D7/00 ,  H01L23/50

CPC classification number: C25D5/10 ,  C25D5/16 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在半导体封装的外部镀敷结构中，采用Pd或Pd合金膜作为材料代替作为焊接金属的常规焊料镀敷。提供了高度可靠的半导体元件外部镀敷结构，而不引起例如由须等导致的端子之间的短路的问题。在该外部镀敷结构中，在使用铜或铜合金材料的所述半导体元件的所述外部连接端子(10，12)的表面上，使用Pd或Pd合金(26)，代替作为焊接金属的常规焊料镀敷。在形成具有小于等于0.3μm厚度的镀敷膜的情况下，在所述材料与所述镀敷的Pd或Pd合金层之间进行镀敷，而在它们之间不具有基层或中间金属层。在所述镀敷膜上，根据情况，进一步形成具有小于等于0.1μm厚度的Au或Au合金镀敷(28)。