公开(公告)号：CN100338741C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200510064514.4

申请日：2005-04-11

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 金野智久 ,  仕田裕贵 ,  洼田清信 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/461 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 本发明提供一种可有效率地研磨除去势垒金属层以及罩层，同时减少对于存在于下层的低介电率绝缘膜材料损坏的化学机械研磨工序中使用的化学机械研磨用水性分散剂；以及使用该化学机械研磨用水性分散剂的化学机械研磨方法。该化学机械研磨用水性分散剂的特征在于，包括：第一煅制氧化硅(A1)，其比表面积为大于等于10m2/g小于160m2/g、平均二次颗粒直径为大于等于170nm小于等于250nm；以及第二煅制氧化硅(A2)，其比表面积为大于等于160m2/g、平均二次颗粒直径为大于等于50nm小于170nm。

公开(公告)号：CN1324106C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200510084026.X

申请日：2005-07-15

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 池田宪彦 ,  西元和男 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明的化学机械研磨用水性分散剂，是含有浓度0.1～1.5质量%的、含有二氧化铈颗粒的水性分散剂，该颗粒的平均分散粒径大于等于1.0μm。而且，本发明的化学机械研磨方法，其特征在于，使用上述化学机械研磨用水性分散剂来研磨绝缘膜。通过使用上述化学机械研磨用水性分散剂，能够不使研磨速度降低，且可以抑制研磨损伤的产生。

公开(公告)号：CN1712506A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510079916.1

申请日：2005-06-27

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 服部雅幸 ,  浪江祐司 ,  川桥信夫

IPC: C11D7/22 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D3/3765 ,  C11D3/3773 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明的半导体部件清洗用组合物，包括：特定分子量的水溶性聚合物(a)、以及如下式(1)表示的化合物(b)。NR4OH(1)(式(1)中，R分别独立地表示氢原子或碳原子个数为1～6的烷基)。并且，本发明的半导体装置的制造方法，包括：化学机械研磨半导体部件后，再以上述半导体部件清洗用组合物来清洗的工序。上述半导体部件清洗用组合物，对化学机械研磨后残留在被研磨面上的杂质有较高的清洗效果，并且对环境的负担较小。

公开(公告)号：CN1683465A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510064514.4

申请日：2005-04-11

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 金野智久 ,  仕田裕贵 ,  洼田清信 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/461

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 本发明提供一种可有效率地研磨除去势垒金属层以及罩层，同时减少对于存在于下层的低介电率绝缘膜材料损坏的化学机械研磨工序中使用的化学机械研磨用水性分散剂；以及使用该化学机械研磨用水性分散剂的化学机械研磨方法。该化学机械研磨用水性分散剂的特征在于，包括：第一煅制氧化硅(A1)，其比表面积为大于等于10m2/g小于160m2/g、平均二次颗粒直径为大于等于170nm小于等于250nm；以及第二煅制氧化硅(A2)，其比表面积为大于等于160m2/g、平均二次颗粒直径为大于等于50nm小于170nm。

公开(公告)号：CN1576347A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069162.7

申请日：2004-07-05

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 内仓和一 ,  西元和男 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  矢野博之 ,  松井之辉 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  仓嵨延行

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。

公开(公告)号：CN100410357C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510079916.1

申请日：2005-06-27

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 服部雅幸 ,  浪江祐司 ,  川桥信夫

IPC: C11D7/22 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D3/3765 ,  C11D3/3773 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明的半导体部件清洗用组合物，包括：特定分子量的水溶性聚合物(a)、以及如下式(1)表示的化合物(b)。NR4OH(1)(式(1)中，R分别独立地表示氢原子或碳原子个数为1～6的烷基)。并且，本发明的半导体装置的制造方法，包括：化学机械研磨半导体部件后，再以上述半导体部件清洗用组合物来清洗的工序。上述半导体部件清洗用组合物，对化学机械研磨后残留在被研磨面上的杂质有较高的清洗效果，并且对环境的负担较小。

公开(公告)号：CN1721494A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510084026.X

申请日：2005-07-15

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 池田宪彦 ,  西元和男 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明的化学机械研磨用水性分散剂，是含有浓度小于等于1.5质量％的、含有二氧化铈颗粒的水性分散剂，其特征在于，该颗粒的平均分散粒径大于等于1.0μm。而且，本发明的化学机械研磨方法，其特征在于，使用上述化学机械研磨用水性分散剂来研磨绝缘膜。通过使用上述化学机械研磨用水性分散剂，能够不使研磨速度降低，且可以抑制研磨损伤的产生。

公开(公告)号：CN1321441C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200410069162.7

申请日：2004-07-05

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 内仓和一 ,  西元和男 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  矢野博之 ,  松井之辉 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  仓嶋延行

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。

公开(公告)号：CN1654617A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510001678.2

申请日：2005-02-03

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 金野智久 ,  洼田清信 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C11D3/37 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D3/3765 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中的清洗用组合物是使用于化学机械研磨后的清洗用组合物，并包括具有交联构造的有机聚合物颗粒(A)和表面活性剂(B)。本发明中的半导体基板的清洗方法是使用该清洗用组合物来清洗经化学机械研磨后半导体基板的清洗方法。本发明中的半导体装置的制造方法包括化学机械研磨半导体基板的工序；使用权利要求5所述的清洗方法清洗研磨后的半导体基板的工序。

公开(公告)号：CN1550538A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410034759.8

申请日：2004-05-12

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 仕田裕贵 ,  金野智久 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨方法是，用含有研磨粉粒的化学机械研磨用水性分散体(A)进行研磨后，再并用化学机械研磨用水性分散体(A)和含有一种以上杂环有机化合物的化学机械研磨用水性组成物(B)来研磨。本发明中所涉及的化学机械研磨剂组合是，由化学机械研磨用水性分散体(A)，以及化学机械研磨用水性组成物(B)来组合而成。运用本发明，可防止凹陷的扩大及线路部分的腐蚀，从而提高产品合格率。