公开(公告)号：CN1683465A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510064514.4

申请日：2005-04-11

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 金野智久 ,  仕田裕贵 ,  洼田清信 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/461

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 本发明提供一种可有效率地研磨除去势垒金属层以及罩层，同时减少对于存在于下层的低介电率绝缘膜材料损坏的化学机械研磨工序中使用的化学机械研磨用水性分散剂；以及使用该化学机械研磨用水性分散剂的化学机械研磨方法。该化学机械研磨用水性分散剂的特征在于，包括：第一煅制氧化硅(A1)，其比表面积为大于等于10m2/g小于160m2/g、平均二次颗粒直径为大于等于170nm小于等于250nm；以及第二煅制氧化硅(A2)，其比表面积为大于等于160m2/g、平均二次颗粒直径为大于等于50nm小于170nm。

公开(公告)号：CN100338741C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200510064514.4

申请日：2005-04-11

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 金野智久 ,  仕田裕贵 ,  洼田清信 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/461 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 本发明提供一种可有效率地研磨除去势垒金属层以及罩层，同时减少对于存在于下层的低介电率绝缘膜材料损坏的化学机械研磨工序中使用的化学机械研磨用水性分散剂；以及使用该化学机械研磨用水性分散剂的化学机械研磨方法。该化学机械研磨用水性分散剂的特征在于，包括：第一煅制氧化硅(A1)，其比表面积为大于等于10m2/g小于160m2/g、平均二次颗粒直径为大于等于170nm小于等于250nm；以及第二煅制氧化硅(A2)，其比表面积为大于等于160m2/g、平均二次颗粒直径为大于等于50nm小于170nm。

公开(公告)号：CN1654617A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510001678.2

申请日：2005-02-03

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 金野智久 ,  洼田清信 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C11D3/37 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D3/3765 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中的清洗用组合物是使用于化学机械研磨后的清洗用组合物，并包括具有交联构造的有机聚合物颗粒(A)和表面活性剂(B)。本发明中的半导体基板的清洗方法是使用该清洗用组合物来清洗经化学机械研磨后半导体基板的清洗方法。本发明中的半导体装置的制造方法包括化学机械研磨半导体基板的工序；使用权利要求5所述的清洗方法清洗研磨后的半导体基板的工序。

公开(公告)号：CN1550538A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410034759.8

申请日：2004-05-12

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 仕田裕贵 ,  金野智久 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨方法是，用含有研磨粉粒的化学机械研磨用水性分散体(A)进行研磨后，再并用化学机械研磨用水性分散体(A)和含有一种以上杂环有机化合物的化学机械研磨用水性组成物(B)来研磨。本发明中所涉及的化学机械研磨剂组合是，由化学机械研磨用水性分散体(A)，以及化学机械研磨用水性组成物(B)来组合而成。运用本发明，可防止凹陷的扩大及线路部分的腐蚀，从而提高产品合格率。