公开(公告)号：CN115036142A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210678291.4

申请日：2022-06-16

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 赵俊善 ,  张明 ,  施佚涵 ,  李继涛 ,  杨定宇

IPC: H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明属于储能元件技术领域，公开了二氧化锰电极及其制备方法和应用。本发明以三维泡沫镍作为基底在NiSO4，Na2SO4混合溶液进行电还原，构筑了具有纳米核状结构的泡沫镍上还原镍基底(rNi Base)。随后再将rNi Base作为基底，在Na+，K+，NH4+三种不同一价阳离子预插层处理条件下分别电沉积二氧化锰，最终得到了具有特殊纳米菜花状结构的rNi/MnO2&Na+电极，该电极特殊的纳米结构提升了其电化学性能。

公开(公告)号：CN115036142B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202210678291.4

申请日：2022-06-16

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 赵俊善 ,  张明 ,  施佚涵 ,  李继涛 ,  杨定宇

IPC: H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明属于储能元件技术领域，公开了二氧化锰电极及其制备方法和应用。本发明以三维泡沫镍作为基底在NiSO4，Na2SO4混合溶液进行电还原，构筑了具有纳米核状结构的泡沫镍上还原镍基底(rNi Base)。随后再将rNi Base作为基底，在Na+，K+，NH4+三种不同一价阳离子预插层处理条件下分别电沉积二氧化锰，最终得到了具有特殊纳米菜花状结构的rNi/MnO2&Na+电极，该电极特殊的纳米结构提升了其电化学性能。