公开(公告)号：CN118369411A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202280080628.X

申请日：2022-11-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： A·K·达斯 ,  D·怀特 ,  M·L·怀特 ,  刘俊 ,  A·D·维尔马

IPC: C11D3/00 ,  C11D3/43 ,  C11D3/36 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/37 ,  C11D11/00

Abstract: 本发明提供可用于微电子装置、尤其含有一或多个包含疏水性碳或SiC的表面的装置的CMP后清洁的组合物和方法。一般来说，所述组合物包含螯合剂；水可混溶溶剂；还原剂；和pH调节剂，其中所述组合物具有约2到约13的pH。

公开(公告)号：CN119563000A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380053968.8

申请日：2023-06-16

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： S·M·比洛迪奥 ,  D·怀特

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供适用于在氧化硅和氮化硅存在下蚀刻多晶硅的组合物。所述组合物包含氢氧化胆碱、例如过碘酸的氧化剂和任选的表面活性剂，且一般适用于多晶硅的蚀刻，且尤其适用于多晶硅修整以及多晶硅剥蚀的操作。发现利用所添加的氧化剂可降低基于硅晶体定向的硅蚀刻的选择性，发现其可降低蚀刻步骤之后的粗糙度和残余硅残余物，例如硅(111)残余物的存在。

公开(公告)号：CN119032157A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202380034465.6

申请日：2023-03-03

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 刘俊 ,  王朝钰 ,  D·怀特 ,  M·L·怀特

IPC: C11D3/34 ,  C11D3/00 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D3/37 ,  C11D7/32 ,  C11D11/00

Abstract: 本发明提供适用于CMP后清洁操作、特别是那些含有经暴露铜表面的衬底中的组合物。本发明的组合物提供这些衬底的极佳清洁，同时显示存在于所述衬底的表面的二氧化硅和有机材料的缺陷较少。还提供一种使用这些组合物清洁微电子装置衬底的方法和在两个或更多个容器中包括所述组合物的组分的套组。

公开(公告)号：CN116457447A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180076458.3

申请日：2021-10-01

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·怀特 ,  金榮玟 ,  M·L·怀特

IPC: C11D11/00

Abstract: 本发明大体上提供用于介电表面，如PETEOS、SiO2、热氧化物、氮化硅、硅等的高pH清洁组合物。本发明的组合物提供优越表面润湿、粒子和有机残留物的分散，并且防止经分散的残留物在清洁期间再沉积和再附聚以提供优良清洁和低缺陷率。

公开(公告)号：CN112996893A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980073312.6

申请日：2019-10-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·怀特 ,  M·怀特 ,  刘俊 ,  E·托马斯

IPC: C11D3/30 ,  C11D3/28 ,  C11D3/37

Abstract: 本发明大体上涉及一种组合物和方法，所述组合物和所述方法用于自上面具有残留物和污染物的微电子装置清洁所述残留物和/或污染物。所述残留物可包括CMP后、蚀刻后和/或灰分后残留物。所述组合物和方法在对包含铜、低k介电材料和阻挡材料的微电子表面进行清洁时尤其有利，所述阻挡材料包含含钽材料，含钴材料，含钽、含钨和含钌材料中的至少一者。

公开(公告)号：CN107208007A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680008165.0

申请日：2016-01-05

Applicant: 恩特格里斯公司 ,  恩特格里斯台湾公司

Inventor： E·托马斯 ,  D·弗赖伊 ,  刘俊 ,  M·怀特 ,  D·怀特 ,  王朝鈺

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  H01L21/02

CPC classification number: C11D11/0047 ,  B08B3/08 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/26 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3472 ,  C11D3/349 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明揭示一种用于从上面具有化学机械抛光CMP后残余物及污染物的微电子装置清除所述残余物及污染物的清洁组合物及方法。所述清洁组合物基本上没有碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物及四甲基氢氧化铵。所述组合物实现了在不危害低k电介质材料或铜互连材料的情况下从所述微电子装置的表面高效地清除所述CMP后残余物及污染物材料。

公开(公告)号：CN119095946A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380036832.6

申请日：2023-03-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 王朝钰 ,  A·K·达斯 ,  M·L·怀特 ,  李俊毅 ,  N·困达 ,  D·怀特 ,  D·弗赖伊

IPC: C11D3/00 ,  C11D3/06 ,  C11D3/065 ,  C11D3/20 ,  C11D3/34 ,  C11D3/32 ,  C11D1/66 ,  C11D7/32 ,  C11D7/16

Abstract: 本发明提供用于存在二氧化铈的化学机械抛光后清洁操作的组合物。在一个方面中，本发明提供一种包含还原剂、螯合剂、氨基(C6‑C12烷基)醇和水的组合物；其中所述组合物具有小于约8的pH。可发现本发明的组合物在例如多晶硅(poly Si)衬底上显示出改进的二氧化铈的去除。还提供一种使用这些组合物清洁微电子装置衬底的方法以及一种在一或多个容器中包含所述组合物的选定组分的试剂盒。

公开(公告)号：CN117295811A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280034673.1

申请日：2022-04-14

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 刘俊 ,  M·L·怀特 ,  D·怀特 ,  E·I·库珀

IPC: C11D3/36

Abstract: 本发明提供可用于清洁微电子装置结构的组合物。残留物可包含CMP后、蚀刻后、灰化后残留物、垫和刷碎屑、金属和金属氧化物粒子以及沉淀的金属有机络合物，如苯并三唑铜络合物。有利地，如本文中所述的组合物显示改良的铝、钴和铜相容性。

公开(公告)号：CN114269884A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080059034.1

申请日：2020-08-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·怀特 ,  D·凯珀 ,  S·迪梅奥

IPC: C09K13/06 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供可用于氮化硅材料相对于多晶硅、氧化硅材料及/或硅化物材料从其上具有这些材料的微电子装置的选择性去除的组合物。本发明的组合物特别可用于3DNAND结构的蚀刻。

公开(公告)号：CN113195698A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980083648.0

申请日：2019-11-25

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·怀特 ,  D·弗赖伊 ,  E·托马斯 ,  刘俊 ,  M·怀特

IPC: C11D11/00 ,  C11D3/00 ,  C11D3/30

Abstract: 本发明公开一种用于从上面有残留物和/或污染物的微电子装置清洗所述残留物和/或污染物的清洗组合物。所述组合物包含至少一种络合剂、至少一种清洗添加剂、至少一种pH调节剂、水和至少一种氧胺化合物。有利地，所述组合物展示含钴衬底的有效清洗和经改良的钴相容性。