公开(公告)号：CN119317700A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202380045108.X

申请日：2023-06-08

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·怀特 ,  M·L·怀特 ,  金荣玟 ,  A·拉乔帕德耶 ,  A·K·达斯

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D11/00

Abstract: 本公开涉及去除组合物，其用于从微电子装置的表面至少部分地去除化学机械抛光后(CMP后)残留物。所述去除组合物包含水性碱组合物和各种钼蚀刻抑制剂，与所述水性碱组合物相比，所述钼蚀刻抑制剂减少从微电子装置的表面所去除的钼的量。

公开(公告)号：CN115485417A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180032467.2

申请日：2021-04-14

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： A·K·达斯 ,  D·怀特 ,  E·I·库珀 ,  E·洪 ,  梁正烈 ,  余珠姬 ,  M·L·怀特 ,  洪性辰 ,  蔡升贤 ,  S·A·利普皮 ,  金元来

IPC: C23F1/38 ,  C23F11/14

Abstract: 本发明描述一种用于以一定蚀刻速率，从微电子装置蚀刻钼的蚀刻剂组合物及方法。使微电子装置与蚀刻剂组合物接触足以至少部分去除所述钼的时间。所述蚀刻剂组合物包含至少一种氧化剂、至少一种氧化剂稳定剂及至少一种碱且具有7.5到13的pH。所述蚀刻剂组合物以5到的蚀刻速率选择性去除钼。

公开(公告)号：CN118234830A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280075706.7

申请日：2022-10-18

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 洪亨杓 ,  许家荣 ,  A·K·达斯 ,  金元来 ,  S·A·利普皮 ,  廖明吉

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/311

Abstract: 提供用于蚀刻微电子装置衬底上的含钼膜的组合物和方法。使微电子装置衬底与本发明的组合物接触达足以至少部分地移除所述含钼膜的时间。所述组合物包含至少一种氧化剂、至少一种络合剂、至少一种阳离子表面活性剂，且具有约7.5到约13的pH。所述蚀刻剂组合物在室温下以约20到50#imgabs0#/分钟的蚀刻速率选择性地移除钼，同时具有经改良的移除均匀性。

公开(公告)号：CN116438284A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180075325.4

申请日：2021-10-01

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： E·托马斯 ,  M·L·怀特 ,  A·K·达斯 ,  金荣玟 ,  刘俊 ,  D·怀特

IPC: C11D3/33

Abstract: 本发明提供一种用于清洁微电子装置衬底的组合物。所述组合物可用于清洁具有暴露的钴、钼、铜、钼、钨和电介质表面的过程中微电子装置衬底。也提供一种清洁此类装置的方法和包含所述组合物的组分中的一或多者的试剂盒。

公开(公告)号：CN113412326A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202080012705.9

申请日：2020-02-05

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： A·K·达斯 ,  M·怀特 ,  D·怀特

IPC: C11D1/90 ,  C11D3/00 ,  C11D3/33 ,  C11D3/20 ,  C11D3/37 ,  C11D3/43 ,  C11D11/00

Abstract: 本发明大体上涉及一种去除组合物和方法，其尤其适用于从上面有氧化铈粒子和CMP污染物的微电子装置，尤其具有PETEOS、氮化硅和多晶硅衬底的微电子装置清洁所述粒子和CMP污染物。在一个方面中，本发明提供利用不含硫和磷原子的络合剂处理上面有氧化铈粒子的微电子衬底。

公开(公告)号：CN113166684A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980079664.2

申请日：2019-11-20

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： A·K·达斯 ,  M·怀特 ,  D·怀特

IPC: C11D3/00 ,  C11D3/26 ,  C11D3/28 ,  C11D3/04 ,  C11D3/36 ,  C11D1/72 ,  C11D11/00 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供一种用于从上面有氧化铈粒子和化学机械抛光(CMP)后污染物的微电子装置清洁所述污染物和粒子的去除组合物和方法。所述组合物实现从所述微电子装置的表面高度有效去除所述氧化铈粒子和CMP副产物污染物材料而不损害低k介电材料、氮化硅材料或含钨材料。

公开(公告)号：CN118369411A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202280080628.X

申请日：2022-11-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： A·K·达斯 ,  D·怀特 ,  M·L·怀特 ,  刘俊 ,  A·D·维尔马

IPC: C11D3/00 ,  C11D3/43 ,  C11D3/36 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/37 ,  C11D11/00

Abstract: 本发明提供可用于微电子装置、尤其含有一或多个包含疏水性碳或SiC的表面的装置的CMP后清洁的组合物和方法。一般来说，所述组合物包含螯合剂；水可混溶溶剂；还原剂；和pH调节剂，其中所述组合物具有约2到约13的pH。

公开(公告)号：CN119095946A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380036832.6

申请日：2023-03-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 王朝钰 ,  A·K·达斯 ,  M·L·怀特 ,  李俊毅 ,  N·困达 ,  D·怀特 ,  D·弗赖伊

IPC: C11D3/00 ,  C11D3/06 ,  C11D3/065 ,  C11D3/20 ,  C11D3/34 ,  C11D3/32 ,  C11D1/66 ,  C11D7/32 ,  C11D7/16

Abstract: 本发明提供用于存在二氧化铈的化学机械抛光后清洁操作的组合物。在一个方面中，本发明提供一种包含还原剂、螯合剂、氨基(C6‑C12烷基)醇和水的组合物；其中所述组合物具有小于约8的pH。可发现本发明的组合物在例如多晶硅(poly Si)衬底上显示出改进的二氧化铈的去除。还提供一种使用这些组合物清洁微电子装置衬底的方法以及一种在一或多个容器中包含所述组合物的选定组分的试剂盒。