公开(公告)号：CN116438284A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180075325.4

申请日：2021-10-01

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： E·托马斯 ,  M·L·怀特 ,  A·K·达斯 ,  金荣玟 ,  刘俊 ,  D·怀特

IPC: C11D3/33

Abstract: 本发明提供一种用于清洁微电子装置衬底的组合物。所述组合物可用于清洁具有暴露的钴、钼、铜、钼、钨和电介质表面的过程中微电子装置衬底。也提供一种清洁此类装置的方法和包含所述组合物的组分中的一或多者的试剂盒。

公开(公告)号：CN118369411A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202280080628.X

申请日：2022-11-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： A·K·达斯 ,  D·怀特 ,  M·L·怀特 ,  刘俊 ,  A·D·维尔马

IPC: C11D3/00 ,  C11D3/43 ,  C11D3/36 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/37 ,  C11D11/00

Abstract: 本发明提供可用于微电子装置、尤其含有一或多个包含疏水性碳或SiC的表面的装置的CMP后清洁的组合物和方法。一般来说，所述组合物包含螯合剂；水可混溶溶剂；还原剂；和pH调节剂，其中所述组合物具有约2到约13的pH。

公开(公告)号：CN119095946A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380036832.6

申请日：2023-03-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 王朝钰 ,  A·K·达斯 ,  M·L·怀特 ,  李俊毅 ,  N·困达 ,  D·怀特 ,  D·弗赖伊

IPC: C11D3/00 ,  C11D3/06 ,  C11D3/065 ,  C11D3/20 ,  C11D3/34 ,  C11D3/32 ,  C11D1/66 ,  C11D7/32 ,  C11D7/16

Abstract: 本发明提供用于存在二氧化铈的化学机械抛光后清洁操作的组合物。在一个方面中，本发明提供一种包含还原剂、螯合剂、氨基(C6‑C12烷基)醇和水的组合物；其中所述组合物具有小于约8的pH。可发现本发明的组合物在例如多晶硅(poly Si)衬底上显示出改进的二氧化铈的去除。还提供一种使用这些组合物清洁微电子装置衬底的方法以及一种在一或多个容器中包含所述组合物的选定组分的试剂盒。

公开(公告)号：CN117295811A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280034673.1

申请日：2022-04-14

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 刘俊 ,  M·L·怀特 ,  D·怀特 ,  E·I·库珀

IPC: C11D3/36

Abstract: 本发明提供可用于清洁微电子装置结构的组合物。残留物可包含CMP后、蚀刻后、灰化后残留物、垫和刷碎屑、金属和金属氧化物粒子以及沉淀的金属有机络合物，如苯并三唑铜络合物。有利地，如本文中所述的组合物显示改良的铝、钴和铜相容性。

公开(公告)号：CN119032157A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202380034465.6

申请日：2023-03-03

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 刘俊 ,  王朝钰 ,  D·怀特 ,  M·L·怀特

IPC: C11D3/34 ,  C11D3/00 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D3/37 ,  C11D7/32 ,  C11D11/00

Abstract: 本发明提供适用于CMP后清洁操作、特别是那些含有经暴露铜表面的衬底中的组合物。本发明的组合物提供这些衬底的极佳清洁，同时显示存在于所述衬底的表面的二氧化硅和有机材料的缺陷较少。还提供一种使用这些组合物清洁微电子装置衬底的方法和在两个或更多个容器中包括所述组合物的组分的套组。

公开(公告)号：CN116457447A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180076458.3

申请日：2021-10-01

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·怀特 ,  金榮玟 ,  M·L·怀特

IPC: C11D11/00

Abstract: 本发明大体上提供用于介电表面，如PETEOS、SiO2、热氧化物、氮化硅、硅等的高pH清洁组合物。本发明的组合物提供优越表面润湿、粒子和有机残留物的分散，并且防止经分散的残留物在清洁期间再沉积和再附聚以提供优良清洁和低缺陷率。

公开(公告)号：CN119317700A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202380045108.X

申请日：2023-06-08

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·怀特 ,  M·L·怀特 ,  金荣玟 ,  A·拉乔帕德耶 ,  A·K·达斯

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D11/00

Abstract: 本公开涉及去除组合物，其用于从微电子装置的表面至少部分地去除化学机械抛光后(CMP后)残留物。所述去除组合物包含水性碱组合物和各种钼蚀刻抑制剂，与所述水性碱组合物相比，所述钼蚀刻抑制剂减少从微电子装置的表面所去除的钼的量。

公开(公告)号：CN115485417A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180032467.2

申请日：2021-04-14

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： A·K·达斯 ,  D·怀特 ,  E·I·库珀 ,  E·洪 ,  梁正烈 ,  余珠姬 ,  M·L·怀特 ,  洪性辰 ,  蔡升贤 ,  S·A·利普皮 ,  金元来

IPC: C23F1/38 ,  C23F11/14

Abstract: 本发明描述一种用于以一定蚀刻速率，从微电子装置蚀刻钼的蚀刻剂组合物及方法。使微电子装置与蚀刻剂组合物接触足以至少部分去除所述钼的时间。所述蚀刻剂组合物包含至少一种氧化剂、至少一种氧化剂稳定剂及至少一种碱且具有7.5到13的pH。所述蚀刻剂组合物以5到的蚀刻速率选择性去除钼。