公开(公告)号：CN119032157A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202380034465.6

申请日：2023-03-03

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 刘俊 ,  王朝钰 ,  D·怀特 ,  M·L·怀特

IPC: C11D3/34 ,  C11D3/00 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D3/37 ,  C11D7/32 ,  C11D11/00

Abstract: 本发明提供适用于CMP后清洁操作、特别是那些含有经暴露铜表面的衬底中的组合物。本发明的组合物提供这些衬底的极佳清洁，同时显示存在于所述衬底的表面的二氧化硅和有机材料的缺陷较少。还提供一种使用这些组合物清洁微电子装置衬底的方法和在两个或更多个容器中包括所述组合物的组分的套组。

公开(公告)号：CN112424327A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980047825.X

申请日：2019-07-18

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·怀特 ,  E·托马斯 ,  刘俊 ,  M·怀特 ,  王朝钰 ,  D·弗赖伊

IPC: C11D3/00 ,  C11D3/04 ,  C11D3/28 ,  C11D3/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321

Abstract: 一种用于清洗工艺内微电子装置衬底的清洗组合物和方法，例如通过化学机械抛光CMP后清洗，以自其表面去除残余物，其中所述清洗组合物可尤其有效地用于清洗包括例如钴、铜或两者的经暴露金属以及介电或低k介电材料的衬底表面，且其中所述清洗组合物包括腐蚀抑制剂以抑制所述经暴露金属的腐蚀。

公开(公告)号：CN119095946A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380036832.6

申请日：2023-03-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 王朝钰 ,  A·K·达斯 ,  M·L·怀特 ,  李俊毅 ,  N·困达 ,  D·怀特 ,  D·弗赖伊

IPC: C11D3/00 ,  C11D3/06 ,  C11D3/065 ,  C11D3/20 ,  C11D3/34 ,  C11D3/32 ,  C11D1/66 ,  C11D7/32 ,  C11D7/16

Abstract: 本发明提供用于存在二氧化铈的化学机械抛光后清洁操作的组合物。在一个方面中，本发明提供一种包含还原剂、螯合剂、氨基(C6‑C12烷基)醇和水的组合物；其中所述组合物具有小于约8的pH。可发现本发明的组合物在例如多晶硅(poly Si)衬底上显示出改进的二氧化铈的去除。还提供一种使用这些组合物清洁微电子装置衬底的方法以及一种在一或多个容器中包含所述组合物的选定组分的试剂盒。