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公开(公告)号：CN111052375B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201880055331.1
申请日：2018-07-11
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L23/538
Abstract: 所描述的示例包括封装器件(100)，封装器件(100)包括彼此间隔开间隙(110)的第一物体(101)和第二物体(102)。每个物体具有第一表面(101a、102a)和相对的第二表面(101c、102c)。第一表面(101a、102a)包括第一端子(101b、102b)。结构(120)包括嵌入在电介质壳体(130)中的至少两个导体(121)，电介质壳体巩固至少两个导体(121)的构造和组织。至少两个导体(121)具有未被电介质壳体(130)嵌入的端部部分。至少两个导体(121)中的至少一个的端部部分电连接到第一物体(101)的第一端子(101b)，并且至少两个导体(121)中的至少一个的相对的端部部分电连接到第二物体(102)的相应的第一端子(102b)。至少两个导体(121)电连接第一物体(101)和第二物体(102)。
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公开(公告)号：CN109217905B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201810684815.4
申请日：2018-06-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于近场通信系统的锥形同轴发射结构。本申请提供了一种系统，该系统中一组模块(221)的每一个具有基板(250)，在基板(250)上安装射频(RF)传输器和/或RF接收器(251)。每个模块具有围绕和包围该基板的外壳(260)。该外壳在外壳的表面上具有端口区域。每个模块具有位于基板与外壳上的端口区域之间的锥形近场通信(NFC)场限制器(255)，该锥形近场通信(NFC)场限制器(255)被配置成将由RF传输器产生的电磁能量导引到端口区域，使得电磁能量可被放射到邻近模块的端口区域。
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公开(公告)号：CN112534713A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980052221.4
申请日：2019-08-30
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03F1/32
Abstract: 在示例装置(108)中，第一晶体管(202)具有基极端子(208)、第一电流端子(206)和第二电流端子(210)。基极端子(208)耦合到输入电压节点(106)。第二晶体管(220)具有控制端子(226)、第三电流端子(224)和第四电流端子(228)。第三电流端子(224)耦合到第二电流端子(210)。第四电流端子(228)耦合到第一电阻器(236)。第二电阻器(402)耦合到控制端子(226)。电感器(406)耦合在第一电阻器(236)和接地端子之间。
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公开(公告)号：CN110463053A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880019719.6
申请日：2018-03-22
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H04B3/21
Abstract: 在所描述的示例中，数字隔离器模块(160)包括隔离电路系统(120)。隔离电路系统(120)包括电容耦合电流隔离电路(130)，其具有分别包括第一极板(128t，136t)和第二极板(128b，136b)的第一和第二耦合电容器(C1，C2)，以及连接第一极板(128t，136t)的键合线(134)。第一电路(124a)具有第一电感器(LF)，其经耦合以与和第一耦合电容器(C1)的第二极板(128b)相关联的第一寄生电容器(CP1)一起形成第一谐振回路电路。第二电路(124b)具有第二电感器(LF)，其经耦合以与和第二耦合电容器(C2)的第二极板(136b)相关联的第二寄生电容器(CP2)一起形成第二谐振回路电路。
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公开(公告)号：CN104184438B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201410224778.0
申请日：2014-05-26
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03K19/0175
Abstract: 一种系统封装(SOP)(8)可包含电流隔离器(12)。电流隔离器(12)可包含输入级(14)，其经配置以响应于接收输入调制信号而发射输入RF信号。电流隔离器(12)还可包含共振耦合器(16)，其通过电介质与输入级电隔离。共振耦合器(16)可经配置以对输入RF信号进行滤波，且响应于输入RF信号而发射输出RF信号。电流隔离器(12)可进一步包含输出级(20)，其通过电介质与共振耦合器(16)电隔离。输出级(20)可经配置以响应于接收到输出RF信号而提供输出调制信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104904115B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201480004238.X
申请日：2014-01-14
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03B19/10
Abstract: 倍频器具有经配置用于接收具有第一频率的第一差分信号(f*Lo+，fur)的一对差分晶体管(Q1、Q2)和变压器(TR)。所述变压器初级侧被耦合到所述一对差分晶体管，而且所述变压器次级经配置用于输出具有大于所述第一频率的第二频率的第二差分信号(2fLo+，2fLo‑)。第一导电型晶体管(Q3)被耦合到第一供电轨(地面)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管。第二导电型晶体管(Q4)被耦合到第二供电轨(VDD)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管，其中所述第二晶体管是第二导电型晶体管。
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公开(公告)号：CN104641560A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380046773.7
申请日：2013-09-12
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03K21/00
CPC classification number: H03K21/026
Abstract: 一种分频器(200)装置包括以环形结构彼此串联耦合的锁存器(202-1，202-2)。每个锁存器包括三态逆变器(Q9-1Q12)、第一电阻电容网络(R1，C1)和第二RC网络(R2，C2)。三态逆变器具有第一时钟端子(CLKB)和第二时钟端子(CLK)。第一RC网络耦合到第一时钟端子。第二RC网络耦合到第二时钟端子。还提供一种偏置网络(206)。该偏置网络具有耦合到每个锁存器的第一RC网络的第一偏置电压发生器(Q19，210)和耦合到每个锁存器的第二RC网络的第二偏置电压发生器(Q20，208)。
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公开(公告)号：CN110998854B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880050035.2
申请日：2018-09-05
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 一种装置包括衬底(100)，该衬底包括谐振腔(125)。谐振腔(125)包括具有吸收频率的偶极分子。谐振腔(125)以等于偶极分子的吸收频率的频率谐振。该装置还包括谐振腔(125)上的第一端口(110)，该第一端口被配置成接收射频(RF)信号。
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公开(公告)号：CN116569482A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180081279.9
申请日：2021-12-01
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03F3/42
Abstract: 一种系统(200)包括第一差分放大器(102)和第一变压器(X1)，所述第一变压器具有耦合到所述第一差分放大器(102)的输出的初级线圈(L1)并且具有耦合到负载(RL)的次级线圈(L2)。所述系统(200)还包括第二差分放大器(104)和第二变压器(X2)，所述第二变压器具有耦合到所述第二差分放大器(104)的输出的初级线圈(L3)并且具有与所述第一变压器(X1)的次级线圈(L2)串联耦合的次级线圈(L4)。所述系统(200)还包括调谐网络(204)，所述调谐网络耦合到所述第一变压器(X1)的次级线圈(L2)与所述第二变压器(X2)的次级线圈(L4)之间的中心抽头节点(206)。
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公开(公告)号：CN111613862B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202010107096.7
申请日：2020-02-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01P5/08
Abstract: 一种器件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的多层基板(104)。集成电路(102)安装在多层基板的第二表面上，该集成电路具有被配置为处理毫米波信号的传输电路。具有基本实心壁的基板波导(170)被形成在垂直于第一表面的多层基板的一部分内。该基板波导具有第一端，该第一端的壁具有在多层基板的第一表面上暴露的边缘(118TX)。反射器(174)位于基板的其中一层中并且耦合到基板波导的相对端上的壁的边缘。
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