用于磁性补偿的芯片级原子钟的方法和装置

    公开(公告)号:CN108255047A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201711426611.2

    申请日:2017-12-26

    Abstract: 本申请涉及一种用于磁性补偿的芯片级原子钟的方法和装置。在所描述的示例中,一种装置包含物理单元(图3,302)和电子电路(304),物理单元包含:配置为朝向含有原子气体的原子腔室发射光的激光源;配置为接收来自原子腔室的发射物的光电探测器;以及用于在该原子腔室中产生磁场的线圈;并且电子电路(304)包含:耦合到光电探测器输出端并且具有到数模转换器电路(322)的控制输出端的控制器电路(324);数模转换器电路,其具有用于调整磁场的线圈电流输出端(E)、用于控制光(C)的调制的调制控制输出端,并且具有控制压控振荡器的输出端(A&B);以及射频输出电路(320),其具有耦合到数模转换器电路的输出端的压控振荡器并且向物理单元(302)中的激光源(LASER)输出射频信号。

    用于电子设备应用中的量子跃迁检测的气密瓶

    公开(公告)号:CN114839437A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210082951.2

    申请日:2022-01-25

    Abstract: 本申请涉及用于电子设备应用中的量子跃迁检测的气密瓶。物理单元包括密封玻璃瓶(208),其容纳低压(例如,约0.01毫巴和0.2毫巴之间)高纯度偶极气体(210)(例如,OCS)。可以使用激光(202)切割工艺(200)密封瓶(208),该激光(202)切割工艺(200)仅涉及瓶(208)的局部加热,这不使所容纳的气体(210)的大部分变性。一个或多个电磁半透明窗口或瓶端部入口点为一个或多个电磁天线发射或接收的电磁波提供入口,该电磁波的频率基于检测到的最大吸收频率而调整为匹配气体(210)的量子跃迁频率。玻璃瓶物理单元(208)的制造成本可以低于由结合晶片制造的物理单元。多个瓶可以通过外壳中的波导连结,以便可以在瓶的单个端部处提供发射天线和接收天线。

    分子钟校准
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115733488A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202211044930.8

    申请日:2022-08-30

    Abstract: 本申请公开了分子钟校准。一种方法(200),向PLL的基准输入和输出时钟电路提供(204)振荡器输出信号;向PLL的控制输入提供(206)第一除数值以调节包括物理单元、接收器和PLL的闭环;向输出时钟电路的控制输入提供(208)第二除数值以控制输出时钟信号的输出频率;在第一方向上偏移(212、216、220、224)第一除数值以引起闭环中的扰动;沿相反的第二方向偏移(212、216、220、224)第二除数值以抵消闭环对扰动的响应并调节输出时钟信号的输出频率;以及基于接收器输出信号,分析(212、216、220、224)闭环对扰动的响应。

    带有集成天线的微电子器件封装
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116072619A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202211335871.X

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本申请公开了带有集成天线的微电子器件封装。所描述的示例(图4B、400)包括:安装到封装衬底(409)的管芯焊盘(411)的半导体管芯(405),该半导体管芯在背离管芯焊盘的器件侧表面上具有键合焊盘;键合线(413),其将半导体管芯的键合焊盘耦合到封装衬底的引线(401),引线与管芯焊盘间隔开;天线(451),其被定位在半导体管芯的器件侧表面上方,并且具有耦合在天线和半导体管芯的器件侧表面之间的馈线(459);以及模具化合物(403),其覆盖半导体管芯、键合线、引线的一部分和管芯焊盘的管芯侧表面,天线的一部分从模具化合物中暴露出来。

    基板和通信系统
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111613862B

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202010107096.7

    申请日:2020-02-21

    Abstract: 一种器件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的多层基板(104)。集成电路(102)安装在多层基板的第二表面上,该集成电路具有被配置为处理毫米波信号的传输电路。具有基本实心壁的基板波导(170)被形成在垂直于第一表面的多层基板的一部分内。该基板波导具有第一端,该第一端的壁具有在多层基板的第一表面上暴露的边缘(118TX)。反射器(174)位于基板的其中一层中并且耦合到基板波导的相对端上的壁的边缘。

    用于磁性补偿的芯片级原子钟的方法和装置

    公开(公告)号:CN108255047B

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN201711426611.2

    申请日:2017-12-26

    Abstract: 本申请涉及一种用于磁性补偿的芯片级原子钟的方法和装置。在所描述的示例中,一种装置包含物理单元(图3,302)和电子电路(304),物理单元包含:配置为朝向含有原子气体的原子腔室发射光的激光源;配置为接收来自原子腔室的发射物的光电探测器;以及用于在该原子腔室中产生磁场的线圈;并且电子电路(304)包含:耦合到光电探测器输出端并且具有到数模转换器电路(322)的控制输出端的控制器电路(324);数模转换器电路,其具有用于调整磁场的线圈电流输出端(E)、用于控制光(C)的调制的调制控制输出端,并且具有控制压控振荡器的输出端(A&B);以及射频输出电路(320),其具有耦合到数模转换器电路的输出端的压控振荡器并且向物理单元(302)中的激光源(LASER)输出射频信号。

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